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文中,說明部分的一些符號漏了,是不是參考得不夠仔細.目前雖然這個技術(shù)雖然挺熱的,到底做得怎么樣,最后的精度有多少,如何改善,拭目以待

產(chǎn)品設(shè)計需要嚴(yán)謹?shù)淖黠L(fēng)這里批評一下,希望對路過的朋友有所警示:針對ABZ信號,也沒有計算一下信號的頻率和要求的轉(zhuǎn)換速度,就給出了電路,1.3K的電阻是否合適驅(qū)動光藕?阻容的時間是否滿足信號變化需求？這里的阻容時間這么長是否還需要這么高速的光藕?正反邊沿的延長時間誤差有多少,對系統(tǒng)的影響有沒有必要評估一下

邊沿時間,通常定義的是 10%~90%范圍的時間

確實,保護電路是那么的重要,卻又是往往不被足夠重視的部分.如果有強悍的外設(shè),純硬件的保護也并非必須,不過在新產(chǎn)品的研制還是很必要的.保護電路非常依賴應(yīng)用要求,這個電路還是比較簡單的,有些地方還會需要自鎖解鎖,信號來源判斷等功能.

寫得挺詳細的，我看如果能夠把搭建的過程也描述一下，可以作為教程推薦給學(xué)習(xí)者了。

是不是有個電路圖看看?看圖片的樣子還是有點古代版本.現(xiàn)代的可以借助MCU精確的控制電流或功率. 當(dāng)然,如果負載吸收的能量不是熱消耗,而是儲存起來, 將更好啦

STM32之多任務(wù)裸機， 本文內(nèi)容和題目好像切合度不高。怎么做才能使整個單片機系統(tǒng)的框架更加簡潔方便可靠。這一點值得贊賞，做完一個項目回頭想一想，怎樣才能更好，是學(xué)習(xí)進步的好方法。多任務(wù)和裸機是個矛盾的說法。因為任務(wù)一詞已經(jīng)再OS里嚴(yán)格定義。那就不妨理解成需要處理的多個事務(wù)吧

"MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。"雖然不建議刨根問底,還是得說說,所謂結(jié)型FET有增強型或耗盡型，但MOSFET(金屬氧化物)FET只有增強型。

實際上是一個RC延時電路,和一個帶正反饋的遲滯比較器. R3,和穩(wěn)壓管都可以不要的.

注意: 如果是異步電機, 還要計算轉(zhuǎn)差率的問題. 通過轉(zhuǎn)速給定進行閉環(huán)控制；轉(zhuǎn)差率導(dǎo)致轉(zhuǎn)子位置和速度不能同步.