BITEK專題
請(qǐng)各位正在使用或即將開發(fā)BITEK INVERTER的同學(xué)們?cè)诖藢ｎ}討論與交流技術(shù)..
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@hill_zhang
alb5939兄好文采!
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ic-maker: 第4帖 編輯 好帖 2005-05-17 15:10: 九
這個(gè)問(wèn)題我也跟蹤了幾年了,雖然得到了一些零星的資料,在臺(tái)灣、美國(guó)一些判決有的對(duì)O2有利,有的說(shuō)MPS 贏了;綜合來(lái)說(shuō),O2通過(guò)專利策略成功的把MPS和BITEK 市場(chǎng)份額前幾年減小了不少,但是專利官司畢竟曠日持久,也就是在一段時(shí)間(少則3年多則5年)里根本不會(huì)有結(jié)果,大家就得不到確切的消息,另一方面來(lái)看,目前INVERTER IC 實(shí)際市場(chǎng)主要份額(我估計(jì)) O2高端(30%),MPS高端 20% ,bitek 低端 40%,其他10%,也都不是小廠在用吧;
能說(shuō)誰(shuí)贏了,誰(shuí)輸了,誰(shuí)有理,誰(shuí)沒(méi)理;O2 是挑起人,他要達(dá)到的目的就是要我們大家搞不清楚,不敢用其他家的芯片;但是近來(lái)MPS 好像是做得很不錯(cuò);BITEK 也出貨不少吧,但是基于各個(gè)IC廠商而言,似乎達(dá)到了平衡,不信你問(wèn)他們各自的總代理到底是誰(shuí)贏了? 誰(shuí)也拿不出有力的證據(jù)如判據(jù)書、和罰單.
時(shí)間久了,還有誰(shuí)會(huì)在乎有專利問(wèn)題嗎?畢竟對(duì)INVERTER 廠家來(lái)說(shuō),成本性能最終決定用哪家.
專利問(wèn)題依然會(huì)存在于特大廠家HP、DELL、IBM、SAMSUNG上面,那要看誰(shuí)要搞誰(shuí)了,但是大廠家根本不會(huì)在乎誰(shuí)告,搞不好來(lái)個(gè)反訴或者停止其它產(chǎn)品中使用你的產(chǎn)品.
我們看清楚了,其實(shí)各家的都可以用了,這樣在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)就靈活得多了,尤其是國(guó)內(nèi)銷售的產(chǎn)品,不用管它.即使有人告你,那你產(chǎn)品一定火了,
等到法院判決(如果有)下來(lái)的時(shí)候,你已經(jīng)賺大錢了,改行了,也就停止侵權(quán)了.(開個(gè)玩笑).
有不同意見歡迎討論,最好有數(shù)據(jù)、證據(jù)出來(lái),因?yàn)槲疫@里信息閉塞一點(diǎn).
ic-maker: 第4帖 編輯 好帖 2005-05-17 15:10: 九
這個(gè)問(wèn)題我也跟蹤了幾年了,雖然得到了一些零星的資料,在臺(tái)灣、美國(guó)一些判決有的對(duì)O2有利,有的說(shuō)MPS 贏了;綜合來(lái)說(shuō),O2通過(guò)專利策略成功的把MPS和BITEK 市場(chǎng)份額前幾年減小了不少,但是專利官司畢竟曠日持久,也就是在一段時(shí)間(少則3年多則5年)里根本不會(huì)有結(jié)果,大家就得不到確切的消息,另一方面來(lái)看,目前INVERTER IC 實(shí)際市場(chǎng)主要份額(我估計(jì)) O2高端(30%),MPS高端 20% ,bitek 低端 40%,其他10%,也都不是小廠在用吧;
能說(shuō)誰(shuí)贏了,誰(shuí)輸了,誰(shuí)有理,誰(shuí)沒(méi)理;O2 是挑起人,他要達(dá)到的目的就是要我們大家搞不清楚,不敢用其他家的芯片;但是近來(lái)MPS 好像是做得很不錯(cuò);BITEK 也出貨不少吧,但是基于各個(gè)IC廠商而言,似乎達(dá)到了平衡,不信你問(wèn)他們各自的總代理到底是誰(shuí)贏了? 誰(shuí)也拿不出有力的證據(jù)如判據(jù)書、和罰單.
時(shí)間久了,還有誰(shuí)會(huì)在乎有專利問(wèn)題嗎?畢竟對(duì)INVERTER 廠家來(lái)說(shuō),成本性能最終決定用哪家.
專利問(wèn)題依然會(huì)存在于特大廠家HP、DELL、IBM、SAMSUNG上面,那要看誰(shuí)要搞誰(shuí)了,但是大廠家根本不會(huì)在乎誰(shuí)告,搞不好來(lái)個(gè)反訴或者停止其它產(chǎn)品中使用你的產(chǎn)品.
我們看清楚了,其實(shí)各家的都可以用了,這樣在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)就靈活得多了,尤其是國(guó)內(nèi)銷售的產(chǎn)品,不用管它.即使有人告你,那你產(chǎn)品一定火了,
等到法院判決(如果有)下來(lái)的時(shí)候,你已經(jīng)賺大錢了,改行了,也就停止侵權(quán)了.(開個(gè)玩笑).
有不同意見歡迎討論,最好有數(shù)據(jù)、證據(jù)出來(lái),因?yàn)槲疫@里信息閉塞一點(diǎn).
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@hill_zhang
高手的分析-----(轉(zhuǎn)貼)ic-maker: 第4帖 編輯 好帖 2005-05-1715:10:九 這個(gè)問(wèn)題我也跟蹤了幾年了,雖然得到了一些零星的資料,在臺(tái)灣、美國(guó)一些判決有的對(duì)O2有利,有的說(shuō)MPS贏了;綜合來(lái)說(shuō),O2通過(guò)專利策略成功的把MPS和BITEK市場(chǎng)份額前幾年減小了不少,但是專利官司畢竟曠日持久,也就是在一段時(shí)間(少則3年多則5年)里根本不會(huì)有結(jié)果,大家就得不到確切的消息,另一方面來(lái)看,目前INVERTERIC實(shí)際市場(chǎng)主要份額(我估計(jì))O2高端(30%),MPS高端20%,bitek低端40%,其他10%,也都不是小廠在用吧;能說(shuō)誰(shuí)贏了,誰(shuí)輸了,誰(shuí)有理,誰(shuí)沒(méi)理;O2是挑起人,他要達(dá)到的目的就是要我們大家搞不清楚,不敢用其他家的芯片;但是近來(lái)MPS好像是做得很不錯(cuò);BITEK也出貨不少吧,但是基于各個(gè)IC廠商而言,似乎達(dá)到了平衡,不信你問(wèn)他們各自的總代理到底是誰(shuí)贏了?誰(shuí)也拿不出有力的證據(jù)如判據(jù)書、和罰單.時(shí)間久了,還有誰(shuí)會(huì)在乎有專利問(wèn)題嗎?畢竟對(duì)INVERTER廠家來(lái)說(shuō),成本性能最終決定用哪家. 專利問(wèn)題依然會(huì)存在于特大廠家HP、DELL、IBM、SAMSUNG上面,那要看誰(shuí)要搞誰(shuí)了,但是大廠家根本不會(huì)在乎誰(shuí)告,搞不好來(lái)個(gè)反訴或者停止其它產(chǎn)品中使用你的產(chǎn)品. 我們看清楚了,其實(shí)各家的都可以用了,這樣在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)就靈活得多了,尤其是國(guó)內(nèi)銷售的產(chǎn)品,不用管它.即使有人告你,那你產(chǎn)品一定火了,等到法院判決(如果有)下來(lái)的時(shí)候,你已經(jīng)賺大錢了,改行了,也就停止侵權(quán)了.(開個(gè)玩笑). 有不同意見歡迎討論,最好有數(shù)據(jù)、證據(jù)出來(lái),因?yàn)槲疫@里信息閉塞一點(diǎn).
不過(guò)BIT的性能不怎么樣啊.這個(gè)是個(gè)難題,所以現(xiàn)在BIT的市場(chǎng)份額最小.
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@protose
電路結(jié)構(gòu)決定了3105在同樣的條件下,效率要比960低,頻率隨電壓的變化范圍比較大,個(gè)人感覺誤差放大器性能不怎么樣.請(qǐng)指教.
效率是見仁見智的,完全看變壓器設(shè)計(jì)者的功力,順便告訴你一個(gè)問(wèn)題,o2有max duty保護(hù),所以變壓器的圈比一定比bitek的高,何以見得效率會(huì)比o2差,會(huì)說(shuō)這話的,應(yīng)該要從變壓器設(shè)計(jì)上去下功夫,其實(shí)說(shuō)穿了,不管是那家的ic,其實(shí)都差不多,只是差別於補(bǔ)償,保護(hù)零件的多寡,其餘的,完全是看邊壓器的功力,我也看過(guò)有些RD把o2的效率設(shè)計(jì)在75%,也有些功力高深的RD,把bitek的效率提昇至90%以上的,所以各位英將重點(diǎn)放在變壓器設(shè)計(jì)上,而非ic
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@alb5939
效率是見仁見智的,完全看變壓器設(shè)計(jì)者的功力,順便告訴你一個(gè)問(wèn)題,o2有maxduty保護(hù),所以變壓器的圈比一定比bitek的高,何以見得效率會(huì)比o2差,會(huì)說(shuō)這話的,應(yīng)該要從變壓器設(shè)計(jì)上去下功夫,其實(shí)說(shuō)穿了,不管是那家的ic,其實(shí)都差不多,只是差別於補(bǔ)償,保護(hù)零件的多寡,其餘的,完全是看邊壓器的功力,我也看過(guò)有些RD把o2的效率設(shè)計(jì)在75%,也有些功力高深的RD,把bitek的效率提昇至90%以上的,所以各位英將重點(diǎn)放在變壓器設(shè)計(jì)上,而非ic
同意樓上兄臺(tái)見解,驅(qū)動(dòng)的部分(Ic起作用)只是一種方式,真正的inverter設(shè)計(jì)其實(shí)最難的是在變壓器的部分,因爲(wèi)不能用具體的計(jì)算來(lái)確定變壓器的參數(shù),所以就增加了許多的不定因素進(jìn)去,最痛疼得是模擬電路中隨便差不多的參數(shù)都可以動(dòng)作起來(lái)(比如我變壓器砸比10:2000或者12:2000的時(shí)候,都可以正常工作,但是這時(shí)候的效率卻會(huì)差很多),不太好確認(rèn)什麼時(shí)候才是真正的最佳,這時(shí)候可能就只有經(jīng)驗(yàn)可以幫忙了(-:
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@alb5939
效率是見仁見智的,完全看變壓器設(shè)計(jì)者的功力,順便告訴你一個(gè)問(wèn)題,o2有maxduty保護(hù),所以變壓器的圈比一定比bitek的高,何以見得效率會(huì)比o2差,會(huì)說(shuō)這話的,應(yīng)該要從變壓器設(shè)計(jì)上去下功夫,其實(shí)說(shuō)穿了,不管是那家的ic,其實(shí)都差不多,只是差別於補(bǔ)償,保護(hù)零件的多寡,其餘的,完全是看邊壓器的功力,我也看過(guò)有些RD把o2的效率設(shè)計(jì)在75%,也有些功力高深的RD,把bitek的效率提昇至90%以上的,所以各位英將重點(diǎn)放在變壓器設(shè)計(jì)上,而非ic
說(shuō)得有道理,但是IC還是有很大作用的,960采用了phase shifted ZVS,電流都是從MOS管流走的,MOSFET上損耗的功率為I^2×Rdson×D×f,Rdson通常為20mohm左右,而3105采用的驅(qū)動(dòng)方式使電流不得不從并聯(lián)的schottky diode流走,這個(gè)時(shí)候diode上的壓降有0.4V左右,在diode上損耗的功率為I×Vdiode×D×f,D為duty cycle,f為frequency.
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@protose
說(shuō)得有道理,但是IC還是有很大作用的,960采用了phaseshiftedZVS,電流都是從MOS管流走的,MOSFET上損耗的功率為I^2×Rdson×D×f,Rdson通常為20mohm左右,而3105采用的驅(qū)動(dòng)方式使電流不得不從并聯(lián)的schottkydiode流走,這個(gè)時(shí)候diode上的壓降有0.4V左右,在diode上損耗的功率為I×Vdiode×D×f,D為dutycycle,f為frequency.
此種說(shuō)法有誤,你以為ZVS是如何做到的,你以為光是靠Phase SHift就可以ZVS,可見你對(duì)全橋的架構(gòu)不甚了解,所謂的ZVS就是利用MOS管的BODY DIODE先導(dǎo)通,使的MOS管的DS電壓降低至DIODE順向電壓,而不是VDD,從而導(dǎo)通MOS管,由於DIODE的順向電壓很低,才稱之為零電壓切換,事實(shí)上不是零電壓,事實(shí)上O2也是利用BODY DIODE導(dǎo)通來(lái)達(dá)到ZVS的,PHASE SHIFT只是驅(qū)動(dòng)波型的組合方式不同而已,你可試著將O2的4個(gè)驅(qū)動(dòng)波型畫出來(lái),配合全橋的MOS管畫一遍導(dǎo)通的順序,你就會(huì)了解了(要切記一點(diǎn),變壓器的初級(jí)測(cè)要把他想成是一個(gè)電感,電感的電流是不會(huì)瞬間改變的,包含大小及方向)
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@alb5939
此種說(shuō)法有誤,你以為ZVS是如何做到的,你以為光是靠PhaseSHift就可以ZVS,可見你對(duì)全橋的架構(gòu)不甚了解,所謂的ZVS就是利用MOS管的BODYDIODE先導(dǎo)通,使的MOS管的DS電壓降低至DIODE順向電壓,而不是VDD,從而導(dǎo)通MOS管,由於DIODE的順向電壓很低,才稱之為零電壓切換,事實(shí)上不是零電壓,事實(shí)上O2也是利用BODYDIODE導(dǎo)通來(lái)達(dá)到ZVS的,PHASESHIFT只是驅(qū)動(dòng)波型的組合方式不同而已,你可試著將O2的4個(gè)驅(qū)動(dòng)波型畫出來(lái),配合全橋的MOS管畫一遍導(dǎo)通的順序,你就會(huì)了解了(要切記一點(diǎn),變壓器的初級(jí)測(cè)要把他想成是一個(gè)電感,電感的電流是不會(huì)瞬間改變的,包含大小及方向)
phase shift 可以減小mosfet 在ZVS時(shí)的Vds,在mosfet開關(guān)的死區(qū)時(shí)間內(nèi)vds會(huì)有一個(gè)body diode壓降,大概0.7V左右,這個(gè)時(shí)候時(shí)候?qū)崿F(xiàn)橋式電路的ZVS,當(dāng)ZVS完成時(shí)候MOSFET的VDS進(jìn)一步降低,只有I×Rdson的壓降.早期的橋式電路使電流從MOSFET的body diode通過(guò),由于body diode的正向壓降比較高,使得效率不高,后來(lái)發(fā)展采用schottky diode 并聯(lián),壓降為0.4V左右,可以提高一定效率,后來(lái)TI發(fā)展了 phase shifted 開關(guān)技術(shù),利用導(dǎo)通的MOSFET來(lái)續(xù)流,續(xù)流的回路中MOSFET的VDS壓降更低.現(xiàn)在的同步整流也就是同樣的原理.現(xiàn)在基本上采用3105做的inverter都要并聯(lián)schottky,這樣可以提高效率,降低mosfet的溫度.我是做IC的,對(duì)電感不怎么了解,希望能向您學(xué)習(xí).
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@protose
phaseshift可以減小mosfet在ZVS時(shí)的Vds,在mosfet開關(guān)的死區(qū)時(shí)間內(nèi)vds會(huì)有一個(gè)bodydiode壓降,大概0.7V左右,這個(gè)時(shí)候時(shí)候?qū)崿F(xiàn)橋式電路的ZVS,當(dāng)ZVS完成時(shí)候MOSFET的VDS進(jìn)一步降低,只有I×Rdson的壓降.早期的橋式電路使電流從MOSFET的bodydiode通過(guò),由于bodydiode的正向壓降比較高,使得效率不高,后來(lái)發(fā)展采用schottkydiode并聯(lián),壓降為0.4V左右,可以提高一定效率,后來(lái)TI發(fā)展了phaseshifted開關(guān)技術(shù),利用導(dǎo)通的MOSFET來(lái)續(xù)流,續(xù)流的回路中MOSFET的VDS壓降更低.現(xiàn)在的同步整流也就是同樣的原理.現(xiàn)在基本上采用3105做的inverter都要并聯(lián)schottky,這樣可以提高效率,降低mosfet的溫度.我是做IC的,對(duì)電感不怎么了解,希望能向您學(xué)習(xí).
為了提高效率就除了采用低Rdson的mosfet外,還有一些辦法,其中之一是降低死區(qū)時(shí)間,也就是減小body diode的導(dǎo)通時(shí)間,還有就是采用更好的驅(qū)動(dòng)方法.TI的predictive gate drive技術(shù)可以降死區(qū)時(shí)間減小到幾個(gè)nano second.
我上面弄錯(cuò)了,功率損耗應(yīng)該是I^2×Rdson(1-D)×f.
我上面弄錯(cuò)了,功率損耗應(yīng)該是I^2×Rdson(1-D)×f.
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@protose
為了提高效率就除了采用低Rdson的mosfet外,還有一些辦法,其中之一是降低死區(qū)時(shí)間,也就是減小bodydiode的導(dǎo)通時(shí)間,還有就是采用更好的驅(qū)動(dòng)方法.TI的predictivegatedrive技術(shù)可以降死區(qū)時(shí)間減小到幾個(gè)nanosecond.我上面弄錯(cuò)了,功率損耗應(yīng)該是I^2×Rdson(1-D)×f.
不好意思 純粹探討,phase shift如何做到zvs,如前帖所述,他只是控制開關(guān)的順序,因?yàn)樵趍os管off的瞬間,相對(duì)應(yīng)的mos管的body diode會(huì)自然導(dǎo)通,形成零電壓後再導(dǎo)通mos,如只是單純的mos切換,並無(wú)法達(dá)到零電壓,零電壓其實(shí)是有利用到變壓器的電感續(xù)流來(lái)達(dá)到的,有時(shí)間我準(zhǔn)備一下文件,再來(lái)和兄弟您一起探討,因?yàn)槟闶靑c,我熟電源,剛好可以互相學(xué)習(xí)
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@protose
為了提高效率就除了采用低Rdson的mosfet外,還有一些辦法,其中之一是降低死區(qū)時(shí)間,也就是減小bodydiode的導(dǎo)通時(shí)間,還有就是采用更好的驅(qū)動(dòng)方法.TI的predictivegatedrive技術(shù)可以降死區(qū)時(shí)間減小到幾個(gè)nanosecond.我上面弄錯(cuò)了,功率損耗應(yīng)該是I^2×Rdson(1-D)×f.
縮短dead time也是一種讓body diode導(dǎo)通縮短的方式,但會(huì)受限於mos管的turn-on delay及turn-off delay限制,如縮短到數(shù)個(gè)ns,將會(huì)導(dǎo)致上下臂的mos管短路,因此縮短dead time不是一個(gè)好方法,應(yīng)該是縮短mos off的時(shí)間,因?yàn)橹挥性趍os off時(shí) body diode才會(huì)導(dǎo)通,而phase shift確實(shí)可以縮短mos off的時(shí)間,對(duì)於效率是有幫助的
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@alb5939
不好意思純粹探討,phaseshift如何做到zvs,如前帖所述,他只是控制開關(guān)的順序,因?yàn)樵趍os管off的瞬間,相對(duì)應(yīng)的mos管的bodydiode會(huì)自然導(dǎo)通,形成零電壓後再導(dǎo)通mos,如只是單純的mos切換,並無(wú)法達(dá)到零電壓,零電壓其實(shí)是有利用到變壓器的電感續(xù)流來(lái)達(dá)到的,有時(shí)間我準(zhǔn)備一下文件,再來(lái)和兄弟您一起探討,因?yàn)槟闶靑c,我熟電源,剛好可以互相學(xué)習(xí)
恩,其實(shí)ZVS只是一種控制方式,phase shifted ZVS的控制方法也和普通的ZVS是一樣的,只是處理細(xì)節(jié)不一樣.在有電感存在的power converter當(dāng)中,PWM控制模式中,如果不往電感中充電的話電感中的電流應(yīng)該只是電感和電容之間的能量傳遞能量應(yīng)該保持不變,但事實(shí)上電感電流環(huán)路中存在阻抗,比如schottky diode的0.4V的正向壓降,mosfet的導(dǎo)通電阻等等,這些都會(huì)消耗環(huán)路中的能量.降低這個(gè)環(huán)路損耗掉的能量就可以提高效率了,我認(rèn)為phase shift 可以做到這一點(diǎn).
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@alb5939
縮短deadtime也是一種讓bodydiode導(dǎo)通縮短的方式,但會(huì)受限於mos管的turn-ondelay及turn-offdelay限制,如縮短到數(shù)個(gè)ns,將會(huì)導(dǎo)致上下臂的mos管短路,因此縮短deadtime不是一個(gè)好方法,應(yīng)該是縮短mosoff的時(shí)間,因?yàn)橹挥性趍osoff時(shí)bodydiode才會(huì)導(dǎo)通,而phaseshift確實(shí)可以縮短mosoff的時(shí)間,對(duì)於效率是有幫助的
縮短dead time是要先保證上下臂的管子不會(huì)導(dǎo)通才行啊,呵呵,幾個(gè)nano second也是可以做到的,只是對(duì)driver的要求會(huì)比較高啦.現(xiàn)在的一個(gè)inverter可以驅(qū)動(dòng)16燈的inverter,輸出功率達(dá)到上百瓦,MOSFET中流過(guò)的電流會(huì)達(dá)到10安培以上,這個(gè)時(shí)候?qū)λ绤^(qū)時(shí)間控制會(huì)較大幅度提高inverter的效率了.
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@alb5939
不好意思純粹探討,phaseshift如何做到zvs,如前帖所述,他只是控制開關(guān)的順序,因?yàn)樵趍os管off的瞬間,相對(duì)應(yīng)的mos管的bodydiode會(huì)自然導(dǎo)通,形成零電壓後再導(dǎo)通mos,如只是單純的mos切換,並無(wú)法達(dá)到零電壓,零電壓其實(shí)是有利用到變壓器的電感續(xù)流來(lái)達(dá)到的,有時(shí)間我準(zhǔn)備一下文件,再來(lái)和兄弟您一起探討,因?yàn)槟闶靑c,我熟電源,剛好可以互相學(xué)習(xí)
我個(gè)人認(rèn)為phase shift ZVS是通過(guò)控制四組mosfet的開關(guān)順序來(lái)實(shí)現(xiàn)的,主要目的是為了使mosfet在Vds較小的情況下進(jìn)行切換,我們采取并聯(lián)schottky管的目的是降低Vds的值,使其更接近零電壓,還有另外一個(gè)目的是因?yàn)閎ody diode 的反向恢復(fù)速度比較慢.
好像續(xù)流的不是mosfet本身,是mosfet的body diode.
這只是在下的一點(diǎn)愚見,還請(qǐng)各位多多指教!
好像續(xù)流的不是mosfet本身,是mosfet的body diode.
這只是在下的一點(diǎn)愚見,還請(qǐng)各位多多指教!
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@lanyuzhao
我個(gè)人認(rèn)為phaseshiftZVS是通過(guò)控制四組mosfet的開關(guān)順序來(lái)實(shí)現(xiàn)的,主要目的是為了使mosfet在Vds較小的情況下進(jìn)行切換,我們采取并聯(lián)schottky管的目的是降低Vds的值,使其更接近零電壓,還有另外一個(gè)目的是因?yàn)閎odydiode的反向恢復(fù)速度比較慢.好像續(xù)流的不是mosfet本身,是mosfet的bodydiode.這只是在下的一點(diǎn)愚見,還請(qǐng)各位多多指教!
phase shifted ZVS和3105采用的全橋驅(qū)動(dòng)都是ZVS的,只是phase shifted ZVS多了實(shí)現(xiàn)ZVS之外的一點(diǎn)點(diǎn)東西.依靠body diode來(lái)續(xù)流應(yīng)該是最早的全橋驅(qū)動(dòng)辦法吧.
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@protose
縮短deadtime是要先保證上下臂的管子不會(huì)導(dǎo)通才行啊,呵呵,幾個(gè)nanosecond也是可以做到的,只是對(duì)driver的要求會(huì)比較高啦.現(xiàn)在的一個(gè)inverter可以驅(qū)動(dòng)16燈的inverter,輸出功率達(dá)到上百瓦,MOSFET中流過(guò)的電流會(huì)達(dá)到10安培以上,這個(gè)時(shí)候?qū)λ绤^(qū)時(shí)間控制會(huì)較大幅度提高inverter的效率了.
看了兩位上面的討論,兩位都是在討論工作過(guò)程引起的Mos損耗,確實(shí)很精彩,但是都沒(méi)有去分析如何改善這樣的發(fā)熱情況.愚認(rèn)爲(wèi)不管是3105還是960,都沒(méi)功能腳去真正偵測(cè)零點(diǎn)電位,而是靠切換頻率大於諧振頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)整duty,所以真正要降低切換時(shí)的損耗,還是要去調(diào)整變壓器的參數(shù),一般來(lái)講,3105在duty 40%時(shí),能做到切換頻率與諧振頻率相同,那這時(shí)候的損耗應(yīng)該是最小的.但是有一點(diǎn)比較麻煩,就是我的tank沒(méi)有辦法直接計(jì)算諧振頻率,因爲(wèi)我燈管的負(fù)載沒(méi)有辦法完全確定(純負(fù)載就好了),所以還是只有慢慢的去改變變壓器參數(shù)(累死繞變壓器的助理了),一次次的try,那這時(shí)候可以使用示波器去測(cè)試波形,以確認(rèn)是否到達(dá)最佳.以上是個(gè)人見解,如有不妥,請(qǐng)指正!
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@benidy
看了兩位上面的討論,兩位都是在討論工作過(guò)程引起的Mos損耗,確實(shí)很精彩,但是都沒(méi)有去分析如何改善這樣的發(fā)熱情況.愚認(rèn)爲(wèi)不管是3105還是960,都沒(méi)功能腳去真正偵測(cè)零點(diǎn)電位,而是靠切換頻率大於諧振頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)整duty,所以真正要降低切換時(shí)的損耗,還是要去調(diào)整變壓器的參數(shù),一般來(lái)講,3105在duty40%時(shí),能做到切換頻率與諧振頻率相同,那這時(shí)候的損耗應(yīng)該是最小的.但是有一點(diǎn)比較麻煩,就是我的tank沒(méi)有辦法直接計(jì)算諧振頻率,因爲(wèi)我燈管的負(fù)載沒(méi)有辦法完全確定(純負(fù)載就好了),所以還是只有慢慢的去改變變壓器參數(shù)(累死繞變壓器的助理了),一次次的try,那這時(shí)候可以使用示波器去測(cè)試波形,以確認(rèn)是否到達(dá)最佳.以上是個(gè)人見解,如有不妥,請(qǐng)指正!
請(qǐng)教一哈,switching frequency是IC的振蕩頻率,應(yīng)該是固定的啊,而resonant frequency是tank的參數(shù)決定的,不管duty 是多大,switching frequency都不會(huì)和諧振頻率相同啊.ZVS操作要求開關(guān)頻率略大于諧振頻率,tank呈感性,如果兩個(gè)頻率相等了,tank的L&C會(huì)共振,電流非常大,對(duì)MOSFET&變壓器來(lái)說(shuō)都不是好事啊.您說(shuō)的零點(diǎn)電位是指半橋輸出點(diǎn)的電位為零的時(shí)候嗎?
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@benidy
看了兩位上面的討論,兩位都是在討論工作過(guò)程引起的Mos損耗,確實(shí)很精彩,但是都沒(méi)有去分析如何改善這樣的發(fā)熱情況.愚認(rèn)爲(wèi)不管是3105還是960,都沒(méi)功能腳去真正偵測(cè)零點(diǎn)電位,而是靠切換頻率大於諧振頻率來(lái)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)調(diào)整duty,所以真正要降低切換時(shí)的損耗,還是要去調(diào)整變壓器的參數(shù),一般來(lái)講,3105在duty40%時(shí),能做到切換頻率與諧振頻率相同,那這時(shí)候的損耗應(yīng)該是最小的.但是有一點(diǎn)比較麻煩,就是我的tank沒(méi)有辦法直接計(jì)算諧振頻率,因爲(wèi)我燈管的負(fù)載沒(méi)有辦法完全確定(純負(fù)載就好了),所以還是只有慢慢的去改變變壓器參數(shù)(累死繞變壓器的助理了),一次次的try,那這時(shí)候可以使用示波器去測(cè)試波形,以確認(rèn)是否到達(dá)最佳.以上是個(gè)人見解,如有不妥,請(qǐng)指正!
如都是在零點(diǎn)切換,就會(huì)形成變頻的結(jié)構(gòu)了
另外如切換的頻率和諧振點(diǎn)一至的話,效率是最高沒(méi)錯(cuò),但容易震盪,無(wú)法量產(chǎn),因此一般都會(huì)取燈管頻率是諧振頻率的90%
另外如切換的頻率和諧振點(diǎn)一至的話,效率是最高沒(méi)錯(cuò),但容易震盪,無(wú)法量產(chǎn),因此一般都會(huì)取燈管頻率是諧振頻率的90%
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