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你這個(gè)效率低是你的防止EMI的參數(shù)設(shè)計(jì)不合理.你峰值電流檢測(cè)的RC參數(shù)太小了.這樣你的CS波形就不好看.你這個(gè)線路是工作在非連續(xù)模式.你可以將變壓器的自感值加大

我覺(jué)得可能是溫度過(guò)高,導(dǎo)致mos的內(nèi)阻增大,以致發(fā)熱更高,成一個(gè)惡性循壞,所以不停的燒MOS,你在高溫箱里溫度上升比常溫快.第二個(gè)現(xiàn)象,散熱不足也導(dǎo)致溫度過(guò)高.你可以調(diào)大MOS的電流參數(shù),或者改善layout加散熱片散熱.在參數(shù)上選取的話,可以增加變壓器線圈的直徑

我個(gè)人認(rèn)為phaseshiftZVS是通過(guò)控制四組mosfet的開(kāi)關(guān)順序來(lái)實(shí)現(xiàn)的,主要目的是為了使mosfet在Vds較小的情況下進(jìn)行切換,我們采取并聯(lián)schottky管的目的是降低Vds的值,使其更接近零電壓,還有另外一個(gè)目的是因?yàn)閎odydiode的反向恢復(fù)速度比較慢.好像續(xù)流的不是mosfet本身,是mosfet的bodydiode.這只是在下的一點(diǎn)愚見(jiàn),還請(qǐng)各位多多指教!

這樣做做的話元件太難選擇了,mosfet要承受這么大的電壓,又要要求體積很小,對(duì)于pushpull電路,mosfet就已經(jīng)比較容易損壞了.現(xiàn)在這項(xiàng)研究有成果嗎?

好像沒(méi)有吧,據(jù)我所知,現(xiàn)在做的二合一就只有兩級(jí)轉(zhuǎn)換!

你用的是哪個(gè)IC?點(diǎn)多大的負(fù)載?

到目前為止,所有的AC/AC變化全部是先由AC轉(zhuǎn)化為DC,再由DC轉(zhuǎn)化為AC的

你現(xiàn)在變壓器的參數(shù)是多少?

你看一下你得變壓器匝比是否合適你可以自己測(cè)一下是高了還是低了,然后再做修改.對(duì)于inverter還說(shuō)得話,變壓器得設(shè)計(jì)很重要.你也可以咨詢一下相關(guān)得變壓器廠商.

你的變壓器設(shè)置不合適,你可以講變壓器的參數(shù)再做修改.