MOSFET 的 柵-漏寄生電容Cgd（也稱為米勒電容）在導通和斷開時的大小不同，主要是由于溝道的形成與耗盡區(qū)的變化影響了電容的主要組成部分。

1. MOSFET 導通時（Cgd 較大）

溝道形成：

   • MOSFET 進入線性區(qū)或飽和區(qū)時，柵極施加正電壓（對于 NMOS），在源極和漏極之間形成連續(xù)導電溝道。

   • 由于溝道的存在，柵極與漏極之間的絕緣層變薄，導致更強的電場耦合，使Cgd  主要由 柵極和漏極之間的重疊電容Cov 以及溝道部分的電容貢獻，電容值較大。

米勒效應增強：

   • 在開關(guān)過程中，柵極與漏極的電壓變化劇烈，米勒電容的等效值增大，進一步增加了Cgd 的影響。

2. MOSFET 斷開時（Cgd 較?。?/span>

溝道消失：

   • MOSFET 斷開時（截止區(qū)），柵極電壓不足以維持導電溝道，溝道消失。

   • 此時，漏區(qū)和柵極之間的主要電容來自漏區(qū)的耗盡層電容。

漏極-柵極的 PN 結(jié)反向偏置：

   • 由于漏極通常處于高電勢（對于 NMOS，接近 ），而柵極接近 0V，導致漏極-襯底的 PN 結(jié)處于 反向偏置 狀態(tài)，使耗盡層變厚。

   • 耗盡層增厚會降低寄生電容 ，因為電容值與耗盡層厚度成反比。

總結(jié):