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dv/dt高時(shí)，器件寄生電容的充放電電流會(huì)通過耦合路徑形成共模電流，進(jìn)而產(chǎn)生干擾。降低dv/dt等于降低耦合電流幅度，所以能有效減少共模EMI。這也是GaN/SiC器件需要搭配更優(yōu)EMI設(shè)計(jì)的原因。

＜1℃/W的熱阻通常是在標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板、冷板溫度恒定條件下測(cè)的，TIM的影響需要額外考慮。實(shí)際應(yīng)用里，如果散熱界面材料導(dǎo)熱率不佳，整體系統(tǒng)熱阻會(huì)比官方數(shù)據(jù)偏高，需要預(yù)留余量

硬件+軟件結(jié)合的思路一般是：硬件上通過拓?fù)鋬?yōu)化（LLC、ZVS/ZCS）、布局緊湊化和濾波器設(shè)計(jì)來降低干擾源；軟件上則通過突發(fā)模式、頻率抖動(dòng)、動(dòng)態(tài)負(fù)載調(diào)節(jié)來打散能量譜，實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)。兩者配合比單獨(dú)做硬件/軟件更有效。

確實(shí)，變壓器繞制工藝對(duì)無Y-CAP電源的EMI抑制很關(guān)鍵。除了繞組順序，還可以通過分布電容建模來提前評(píng)估效果，再結(jié)合PI芯片的頻率抖動(dòng)技術(shù)，整體抗干擾能力會(huì)更強(qiáng)

樓主的整理非常系統(tǒng)，把PI產(chǎn)品在EMI上的幾大核心思路都串起來了，尤其是“源頭降噪+路徑隔離+頻譜優(yōu)化+布局防護(hù)”的邏輯，很適合做工程設(shè)計(jì)時(shí)的checklist

電感主要是儲(chǔ)能元件，用在振蕩或?yàn)V波電路里；磁珠更像‘電阻’，專門對(duì)高頻噪聲起衰減作用。兩者雖然都能濾波，但原理和應(yīng)用場(chǎng)景不同

磁珠在電路里選型時(shí)要注意工作電流和阻抗曲線，尤其是別超出額定電流，不然磁珠會(huì)發(fā)熱甚至失效

模擬信號(hào)是連續(xù)的，而數(shù)字信號(hào)是離散的方波。數(shù)字信號(hào)的高頻分量很容易串到模擬部分里，所以常常需要隔離和濾波，否則會(huì)帶來明顯干擾

總結(jié)得很全面??，以前只知道磁珠是濾波用的，看了你的整理才發(fā)現(xiàn)選擇磁珠的時(shí)候還需要結(jié)合頻率曲線和工作環(huán)境，學(xué)到了！