Inno 反激控制器內(nèi)置了功率器件，不需要外部選型和布局布線了，控制也得到了優(yōu)化。
VOR是指次級(jí)導(dǎo)通時(shí)初級(jí)繞組上的反射輸出電壓。VBUS是連接變壓器初級(jí)繞組一端的直流電壓。除VBUS+VOR外，漏極在關(guān)斷時(shí)還會(huì)出現(xiàn)較大的電壓尖峰，這是由存儲(chǔ)在初級(jí)繞組漏感中的能量引起的。為防止漏極電壓超過(guò)額定最大連續(xù)漏極電壓，初級(jí)繞組兩端需要一個(gè)鉗位電路，鉗位二極管的正向恢復(fù)將在初級(jí)開關(guān)關(guān)斷的一瞬間增加一個(gè)尖峰。
下面是使用750V PowiGaN開關(guān)時(shí)264VAC輸入電壓下的峰值漏極電壓，初級(jí)開關(guān)的峰值漏極電壓為VBUS、VOR與VCLM的總和。仍能提供150V的安全裕量。
產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意考慮以下因素：
1）較高的VOR允許在最低電壓VMIN時(shí)獲得更高的輸出功率，這會(huì)降低輸入電容值和提高給定PowiGaN器件的輸出功率能力。
2）較高的VOR還可以降低輸出二極管和SR FET的電壓應(yīng)力。
3）較高的VOR會(huì)增加漏感，從而降低電源效率。
4）較高的VOR會(huì)增大次級(jí)側(cè)的峰值電流及RMS電流，從而增加次級(jí)側(cè)的銅損和二極管損耗。
