對于MOSFET雪崩測試原理如下圖所示，對于MOS給柵極一定寬度的脈沖，讓MOS導(dǎo)通，此時(shí)VDD給電感充電，電感電流由右向左，電感儲(chǔ)存一定能量。當(dāng)柵極信號(hào)關(guān)斷后，由于電感保持原來的電流方向不變進(jìn)行放電，放電的電流方向與二極管方向相反，此時(shí)DS兩端電壓等于電感感應(yīng)電動(dòng)勢Vl與電源電壓VDD之和，即：VDS=Vl+VDD，Vl=Ldi/dt。當(dāng)電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，MOS發(fā)生雪崩擊穿，DS導(dǎo)通，電感通過MOS進(jìn)行電。此時(shí)MOS發(fā)生雪崩前的電壓VDS即為雪崩電壓，在一個(gè)柵極脈沖下?lián)舸┖箅姼蟹烹婋娏鳛閱蚊}沖雪崩電流。

其中

以NMOS為例，MOSFET等效模型中含有一體二極管與寄生三極管BJT-NPN,當(dāng)MOS在大電流情況下關(guān)斷，由于外部感性負(fù)載產(chǎn)生感應(yīng)電動(dòng)勢，此時(shí)漏源極會(huì)出現(xiàn)較高的電壓變化率dVDS/dt,結(jié)電容Ccb中即產(chǎn)生位移電流i=Ccb*dVDS/dt，若電流 i 超于一定值時(shí)，電阻RB兩端超過寄生三極管開啟閾值（0.3~07V），寄生三極管導(dǎo)通，集電極電壓快速返回值基極開路時(shí)的擊穿電壓，此時(shí)MOS發(fā)生雪崩擊穿。

 而對于MOS輸出特性曲線ID-VDS而言，當(dāng)ID隨VDS電壓升高達(dá)到極限時(shí)，器件內(nèi)部電離作用加劇，出現(xiàn)大量的空穴電流流過RB,寄生三極管基極電壓抬高，三極管導(dǎo)通，MOS此時(shí)亦會(huì)發(fā)生雪崩擊穿。

此外，若體二極管漏電電流過大，RB使得寄生三極管基極電壓抬高，三極管導(dǎo)通，MOS此時(shí)同樣可以發(fā)生雪崩擊穿。

故綜上所述，由感性負(fù)載帶來的過高的體二極管電壓變化率dVDSdt、高電離電壓電流及過大的體二極管漏電電流都會(huì)引起寄生三極管的導(dǎo)通，繼而令器件發(fā)生雪崩擊穿。