boyd：
哥們,將MOSFET替代IGBT請(qǐng)注意以下幾點(diǎn):1.只要開關(guān)頻率有幾十K,替代時(shí)頻率應(yīng)該不是大問題.2.關(guān)鍵元參數(shù):耐壓和最大電流.一般來說IGBT能做到比MOSFET更大的功率,所以替代時(shí)應(yīng)特別注意MOSFET的最大電流是否和IGBT的接近或更大. 從這兩個(gè)元件的規(guī)格上來看電流差不多,但耐壓相差較大,所以你要分析一下實(shí)際工作的耐壓是多少,最好不要超過400V(留個(gè)20%的安全余量)3.這兩種元件的驅(qū)動(dòng)電阻也要注意,驅(qū)動(dòng)電阻不同會(huì)使得尖峰電壓不一樣,替代后最好用示波器測一下反峰電壓是否正常.