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IGBT能否替換MOSFET

我家里跑步機上的一個MOSFET(IRFPS37N50),壞了,我手頭正好有一個IGBT-G40N150D,不知道能不能直接替換?
哪位知道,說說看有沒有問題.謝謝了
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2008-06-12 19:00
查一下電流電壓以及工作頻率,差不多就可以換
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周挺巧
LV.7
3
2008-06-12 19:02
這兩款管子參數(shù)是比較接近,它們的不同是驅動信號與工作頻率
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huang1983
LV.7
4
2008-06-12 19:39
參數(shù)差不多,但是電路要適當微改,要不可能出現(xiàn)問題!!
只是個人觀點
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zhenxiang
LV.10
5
2008-06-12 21:43
@huang1983
參數(shù)差不多,但是電路要適當微改,要不可能出現(xiàn)問題!!只是個人觀點
頻率夠就問題不大.一般IGBT的頻率做的沒有MOS高
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2008-06-13 14:52
如果工作頻率在幾十KHZ以下應該沒有多大問題.若是在MHZ上就不行了
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2008-06-14 13:29
@xiaochangyu
如果工作頻率在幾十KHZ以下應該沒有多大問題.若是在MHZ上就不行了
還要注意驅動電壓的問題,IGBT要有負壓的.
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2008-06-16 11:49
@niuhaibing
還要注意驅動電壓的問題,IGBT要有負壓的.
負壓只是其中一個問題,而是IGBT的驅動電壓比MOS管的驅動電壓高些,MOS管的驅一般是12V,而IGBT的驅動電壓是15V,其它的只要頻率,電流等差不多的話就可以了!
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2008-06-16 23:17
@niuhaibing
還要注意驅動電壓的問題,IGBT要有負壓的.
說得對,IGBT正壓一般15v左右,不超過20v,負壓一般-5v

IGBT一般放在MOSFET后面由其驅動,可以放在MOSFET后面工作
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2008-06-16 23:19
@firefox886
負壓只是其中一個問題,而是IGBT的驅動電壓比MOS管的驅動電壓高些,MOS管的驅一般是12V,而IGBT的驅動電壓是15V,其它的只要頻率,電流等差不多的話就可以了!
MOSFET的驅動是12v嗎,大多數(shù)不是5v就可以驅動嗎

是不是我記錯了,請賜教
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2008-06-16 23:32
@流水禪心
MOSFET的驅動是12v嗎,大多數(shù)不是5v就可以驅動嗎是不是我記錯了,請賜教
現(xiàn)在MOSFET的驅動電壓差異比較大,有比較先進的2.5V的

原來的也有12.6V,19.1V的等等

對于不同的MOSFET我們要查查其DATASHEET
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正弦波
LV.5
12
2008-06-18 21:03
@流水禪心
說得對,IGBT正壓一般15v左右,不超過20v,負壓一般-5vIGBT一般放在MOSFET后面由其驅動,可以放在MOSFET后面工作
非常正確,加十分,還有一點壓降象可控硅導通時一樣
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2008-06-18 21:33
@正弦波
非常正確,加十分,還有一點壓降象可控硅導通時一樣
謝謝,我不是很懂可控硅特性

是不是導通瞬間壓降大,導通后壓降就小了啊
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正弦波
LV.5
14
2008-06-18 21:44
@流水禪心
謝謝,我不是很懂可控硅特性是不是導通瞬間壓降大,導通后壓降就小了啊
場效應管導通時壓降=內阻*電流,可控硅導通時無論電流大小壓降都在1V左右
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2008-06-18 22:22
@正弦波
場效應管導通時壓降=內阻*電流,可控硅導通時無論電流大小壓降都在1V左右
1、場效應管是電壓控制元件,而晶體管的是電流控制元件.在只允許從信號源取較小電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,只允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.

2、場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電.被稱為雙極型器件.

3、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.

4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用.

5、三極管導通電阻大,場效應管導通電阻小,只有幾百毫歐姆.
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rosport
LV.3
16
2008-06-19 16:54
@shenyf1979
查一下電流電壓以及工作頻率,差不多就可以換
最重要是f
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正弦波
LV.5
17
2008-06-19 17:26
@流水禪心
1、場效應管是電壓控制元件,而晶體管的是電流控制元件.在只允許從信號源取較小電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,只允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管.2、場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電.被稱為雙極型器件.3、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好.4、場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用.5、三極管導通電阻大,場效應管導通電阻小,只有幾百毫歐姆.
這里講的是能否代換,講那么高深干嗎?我試驗過IGBT在導通時不管電流大小都有0.4-1左右的壓降,
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hzhy2001
LV.4
18
2008-06-20 15:45
@正弦波
這里講的是能否代換,講那么高深干嗎?我試驗過IGBT在導通時不管電流大小都有0.4-1左右的壓降,
IGBT關斷時有拖尾電流,跑步機電機功率較小,電流也不太大,可以替換應急.
我曾經用相同的板子,相同的驅動電路分別用MSFET和IGBT做電機驅動,性能差不多
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2008-06-20 16:25
@hzhy2001
IGBT關斷時有拖尾電流,跑步機電機功率較小,電流也不太大,可以替換應急.我曾經用相同的板子,相同的驅動電路分別用MSFET和IGBT做電機驅動,性能差不多
學習了,說的很全面
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正弦波
LV.5
20
2008-06-20 21:27
@流水禪心
學習了,說的很全面
跑步機我沒接觸過,可能發(fā)熱要大點,IGBT比交適合用在電壓較高的場合,逆變器用IGBT效率低發(fā)熱大
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hzhy2001
LV.4
21
2008-06-29 16:00
@正弦波
跑步機我沒接觸過,可能發(fā)熱要大點,IGBT比交適合用在電壓較高的場合,逆變器用IGBT效率低發(fā)熱大
拖尾電流影響開關的快速性,功率小時電流較小,可以由MOSFET驅動電路驅動,功率較大時就要考慮關斷時提供負幾伏的充電電壓,即使用專門的IGBT驅動
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hiriecy
LV.3
22
2008-07-06 14:12
建議樓主還是先看看這個管子的手冊,電壓、電流、頻率等是否差不多,還有注意看一下驅動電壓是否也在一個可以接受的替換范圍內
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boyd
LV.3
23
2008-07-08 08:55
哥們,將MOSFET替代IGBT請注意以下幾點:
1.只要開關頻率有幾十K,替代時頻率應該不是大問題.
2.關鍵元參數(shù):耐壓和最大電流.一般來說IGBT能做到比MOSFET更大的功率,所以替代時應特別注意MOSFET的最大電流是否和IGBT的接近或更大.
  從這兩個元件的規(guī)格上來看電流差不多,但耐壓相差較大,所以你要分析一下實際工作的耐壓是多少,最好不要超過400V(留個20%的安全余量)
3.這兩種元件的驅動電阻也要注意,驅動電阻不同會使得尖峰電壓不一樣,替代后最好用示波器測一下反峰電壓是否正常.
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abing
LV.8
24
2008-07-14 10:46
G40N150D,多少錢一只?
還有沒有更高耐壓的?
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nk6108
LV.8
25
2008-08-12 18:35
IGBT 的驅動電壓比MOS管的驅動電壓還要高些?!
IGBT 驅動要有負壓,MOSFET本身可不要負壓,但柵極電容要掃除吧?
三極管因有PN結擋道,導通電壓下不去,場效應管導通電阻小,但負載加重就會變大.
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jnqi1987
LV.1
26
2012-09-26 17:13
@firefox886
負壓只是其中一個問題,而是IGBT的驅動電壓比MOS管的驅動電壓高些,MOS管的驅一般是12V,而IGBT的驅動電壓是15V,其它的只要頻率,電流等差不多的話就可以了!
 
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jnqi1987
LV.1
27
2012-09-26 17:13
@流水禪心
說得對,IGBT正壓一般15v左右,不超過20v,負壓一般-5vIGBT一般放在MOSFET后面由其驅動,可以放在MOSFET后面工作
 
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jnqi1987
LV.1
28
2012-09-26 17:14
@abing
G40N150D,多少錢一只?還有沒有更高耐壓的?
 
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