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首先要知道緩沖電路吸收電容的目的，是為了吸收IGBT的尖峰電壓，由于IGBT主回路母排有雜散電感存在，當(dāng)關(guān)斷IGBT的時候，集電極-發(fā)射極電流會快速下降，電感的特性是電流不能瞬變，會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢，形成尖峰電壓:[圖片]IGBT的開關(guān)特性雖然可以調(diào)整驅(qū)動參數(shù)微調(diào)，但改變不大，最根本的還是要想辦法改善換流回路的雜散電感。詳情可參閱文章：IGBT尖峰電壓吸收電容http://www.igbt8.com/il/89.html以及IGBT模塊低雜散電感疊層母排設(shè)計

IGBT發(fā)生短路時，描述短路電流的數(shù)學(xué)表達(dá)式如下，這是一個線性方程。它表示，在短路發(fā)生時，電流的絕對值與電壓，回路中的電感量，及整個過程持續(xù)的時間有關(guān)系。[圖片]絕大部分的短路，母線電壓都是在額定點的，影響短路電流的因素主要是“短路回路中的電感量”。因此對短路行為進(jìn)行分類定義時，短路回路中的電感量是主要的分類依據(jù)。如果短路回路中的電感量再繼續(xù)增大，那么電流變化率就變得更低，此時就不是短路了，變成“過流”了。這時驅(qū)動器是察覺不到這種異常狀態(tài)的，因此在系統(tǒng)中需要電流傳感器來感知電流的絕對數(shù)值，從而進(jìn)行“過流保護(hù)”。我們認(rèn)為，通常IGBT驅(qū)動器是不能進(jìn)行過流保護(hù)的。二類短路與過流之間沒有明顯的界限，學(xué)術(shù)上沒有進(jìn)行定義，在工程上，可以做一個很粗略的假設(shè)：10A/us以下的電流變化率視為“過流”。具體可參閱文章：IGBT驅(qū)動保護(hù)及IGBT模塊短路及寄生導(dǎo)通

因為IGBT具有電導(dǎo)調(diào)制能力，相對于功率MOSFET和雙極晶體管具有較強(qiáng)的正向電流傳導(dǎo)密度和低通態(tài)壓降。因此可實現(xiàn)更小的芯片尺寸，并降低成本。由于輸入是MOS柵結(jié)構(gòu)，需要的驅(qū)動功率低，驅(qū)動電路簡單。相對于電流控制元件（Thyristor,BJT），控制更簡單，適合于高電壓大電流的應(yīng)用。較寬安全工作區(qū)：在輸出特性方面，相對于雙極晶體管，IGBT具有優(yōu)異的電流傳導(dǎo)能力。還具有優(yōu)良的正向和反向電壓阻斷能力。IGBT相對于MOSFET及BJT的缺點：相對于MOSFET開關(guān)速度慢（小于100KHz），但優(yōu)于BJT。由于少數(shù)載流子的原因，集電極會形成拖尾電流，導(dǎo)致較慢的關(guān)斷速度?？蓞㈤單恼耯ttp://www.igbt8.com/jc/3.html（IGBT與MOSFET以及BJT的性能對比）及http://www.igbt8.com/jc/2.html（IGBT的構(gòu)造與工作原理詳解）

如果你是要帶感性負(fù)載是需要帶二極管，否則沒有續(xù)流回路，不過一定要不帶二極管，有專門用于斬波的IGBT模塊

IPM也是可以滿足的啊，現(xiàn)在IPM大功率的可以做到450A了，不過電壓有點浪費，額定為1200V。

需要首先了解IGBT或IGBT模塊的寄生電容參數(shù)：[圖片]IGBT寄生電容是其芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)固有的特性，芯片結(jié)構(gòu)及簡單的原理圖如下圖所示。輸入電容Cies及反饋電容Cres是衡量柵極驅(qū)動電路的根本要素，輸出電容Coss限制開關(guān)轉(zhuǎn)換過程的dv/dt，Coss造成的損耗一般可以被忽略。[圖片]其中：Cies=CGE +CGC：輸入電容（輸出短路）Coss=CGC +CEC：輸出電容（輸入短路）Cres=CGC：反饋電容（米勒電容）動態(tài)電容隨著集電極與發(fā)射極電壓的增加而減小，如下圖所示。[圖片]可以看出密勒電容在VCE電壓較小時有一個比較大的值，此時VCE的瞬變會通過此電容對IGBT柵極有明顯的影響，尤其在半橋電路中有可能造成寄生導(dǎo)通，需要多加注意，實際選型時往往CCE對Cies的比值越小越好。詳情請參閱文章http://www.igbt8.com/jc/23.htmlhttp://www.igbt8.com/

protel99有時候會遇到這個問題，可以將文件以PCB的格式輸出用DXP或者ALTIUMdesign打開

波形的質(zhì)量很光滑啊，PCB的布局整齊，就是用的元器件都比較傳統(tǒng)www.igbt8.com

具體IGBT的測試方法可參考IGBT測試標(biāo)準(zhǔn) IEC60747，這里面會講解IGBT參數(shù)的詳細(xì)測試方法，一般IGBT出廠時都需要進(jìn)行一些關(guān)鍵參數(shù)測試，不過一般都是用脈沖的方式，手冊里的實際參數(shù)值一般制定的比較保守。關(guān)于IGBT詳細(xì)參數(shù)的解釋可參考下面文章：http://www.igbt8.com/jc/19.htmlhttp://www.igbt8.com/

ICRM：可重復(fù)的集電極峰值電流最大允許的集電極峰值電流（Tj≤150°C），IGBT在短時間內(nèi)可以超過額定電流。手冊里定義為規(guī)定的脈沖條件下可重復(fù)集電極峰值電流，如下圖所示。理論上，如果定義了過電流持續(xù)時間，該值可由允許耗散功耗及瞬時熱阻Zth計算獲得。然而這個理論值并沒有考慮到綁定線、母排、電氣連接器的限制。因此，數(shù)據(jù)手冊的值相比較理論計算值很低，但是，它是綜合考慮功率模塊的實際限制規(guī)定的安全工作區(qū)。[圖片][圖片]