圖 1-6、圖 1-7 中顯示了具有代表性的IGBT模塊構(gòu)造。圖 1-6 中表示的端子臺一體構(gòu)造模塊，是通過采用外殼與外部電極端子的一體成型構(gòu)造，達(dá)到減少部件數(shù)量和減低內(nèi)部配線電感的目的。另外，通過采用DCB（Direct CopperBonding）基板，得到低熱阻和高抗折強(qiáng)度的高可靠性產(chǎn)品。圖 1-7 表示的引線端子連接構(gòu)造IGBT模塊，并不是通過錫焊使主端子與DCB 基板相連的，而是采用引線連接的構(gòu)造。由此達(dá)到封裝構(gòu)造的簡易化、小型化、超薄化、輕量化和削減組裝工數(shù)的目的。
此外，關(guān)于通過 IGBT 和FWD 芯片的最合理化配置有效地實(shí)現(xiàn)熱分散，以及通過均等配置上下支路的IGBT 元件使開通時(shí)的過渡電流平衡均等，從而不增加開通時(shí)的損耗等，已經(jīng)在產(chǎn)品中得以實(shí)現(xiàn)。
