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我使用100A-300A的IGBT模塊時(shí)一般將Rg設(shè)置為幾歐姆到十幾歐姆。使用單電源時(shí)最好加有源鉗位。IGBT大于150A時(shí)最好使用雙電源,不考慮成本時(shí)可以雙電源+有源鉗位,有些專用驅(qū)動(dòng)芯片集成了有源鉗位。
2016-07-18 17:11 回復(fù)
原帖:IGBT老燒,求教原因,附波形
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