上面的測(cè)試波形我用的是英飛凌一款55A 600V的TO252封裝的分立IGBT測(cè)試的，

實(shí)際上用的是一款英飛凌10A的IGBT模塊，這倆個(gè)月測(cè)試分立IGBT怎么都不會(huì)燒，IGBT模塊一上電就燒.....或者工作個(gè)半小時(shí)就燒。。（我保證沒有引腳連線錯(cuò)誤或者短路之類的錯(cuò)誤。。。）我真的是無(wú)語(yǔ)了。。。

你看一下你管子最大能夠承受的didt是多大。這段時(shí)間內(nèi)你的下管應(yīng)該有導(dǎo)通，

請(qǐng)問(wèn)我之前一直以為是密勒電容引起的寄生導(dǎo)通，可是現(xiàn)在我把這個(gè)上管導(dǎo)通造成的誤觸發(fā)電壓降到了3V以下，要低于IGBT的Vge(th)=5.8V，為什么下管還是導(dǎo)通了呢，雖然我覺得從波形上看確實(shí)下管有導(dǎo)通的現(xiàn)象。

另外我這個(gè)IGBT的說(shuō)明書上并沒有標(biāo)注didt的相關(guān)參數(shù)，只有兩個(gè)電流參數(shù) 一個(gè)是最大直流電流是10A，另一個(gè)是Repetitive peak collector current tp=1ms，ic=20A，請(qǐng)問(wèn)這種沒有給出Pulsed Collector Current參數(shù)的，怎么估算...di/dt

我用的那款分立的IGBT給出了一個(gè)參數(shù) Pulsed Collector Current 1 @ T C = 25°C 是110A

這是不是說(shuō)明這個(gè)IGBT的耐瞬間電流大，所以我用這個(gè)分立的IGBT做測(cè)試一直沒事，但那個(gè)IGBT模塊沒有給出這個(gè)參數(shù)，峰值電流（1ms）為20A，可以估計(jì)出這個(gè)IGBT的耐受性要差得多，所以容易燒毀？

會(huì)不會(huì)是死區(qū)太小了？我們做的兩款電源，死區(qū)分別為3微秒及10微秒。還有脈寬是不是不合適？

2us的死區(qū)，從波形上看，一管導(dǎo)通的時(shí)候，另一管柵極已經(jīng)是0V了，應(yīng)該可以把

而且我試過(guò)了，增大死區(qū)并不會(huì)改變這個(gè)脈沖電流

將柵極電容從2.2nF增加到10nF 電流從30A下降到10A 誤觸發(fā)電平從2.6V下降到1.3V

請(qǐng)問(wèn)論壇大神你們IGBT都是正負(fù)壓驅(qū)動(dòng)嗎- -....我在英飛凌的官網(wǎng)上看小功率是可以單電源驅(qū)動(dòng)IGBT的，于是我用了IR2233，然而我這倆個(gè)月根本成功不了。。。單電源驅(qū)動(dòng)IGBT各種雪崩。。

我用的都是正負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)

英飛凌的文檔表示100A以下出于成本要求，都可以使用單電源驅(qū)動(dòng)IGBT。。

哎╮(╯▽╰)╭ 畢竟我還是太菜，單電源驅(qū)動(dòng)IGBT我真是搞不定

不過(guò)我看英飛凌的一些官方demo，單電源驅(qū)動(dòng)IGBT的只有一款還不到1kw的產(chǎn)品，

其他超過(guò)1kw的產(chǎn)品都是正負(fù)電源，感覺被英飛凌騙了

我把Ron從100Ω增大到200歐姆，柵極誤觸發(fā)電平基本不變，但是電流從10A下降到6A

論壇大神們有誰(shuí)成功搞過(guò)單電源的IGBT驅(qū)動(dòng)的....

在Ron=200Ω的條件下，使用有源鉗位技術(shù)，誤觸發(fā)電平降低到1V，瞬態(tài)電流降低到4A，好吧，我盡力了，單電源IGBT驅(qū)動(dòng)這個(gè)問(wèn)題我真的是避免不了......

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我使用100A-300A的IGBT模塊時(shí)一般將Rg設(shè)置為幾歐姆到十幾歐姆。

使用單電源時(shí)最好加有源鉗位。

IGBT大于150A時(shí)最好使用雙電源，不考慮成本時(shí)可以雙電源+有源鉗位，有些專用驅(qū)動(dòng)芯片集成了有源鉗位。

樓主，把你的驅(qū)動(dòng)電路原理圖貼出來(lái)吧，用一個(gè)穩(wěn)壓管和電容很容易產(chǎn)生負(fù)壓的

這方法可以，效果比較好的，用一個(gè)穩(wěn)壓管來(lái)產(chǎn)生負(fù)壓，節(jié)約成本，樓主可以考慮。

我更傾向于你的橋臂出現(xiàn)了直通的現(xiàn)象，才會(huì)導(dǎo)致管子損壞。

可是我用的IR2233，自舉的驅(qū)動(dòng)方式對(duì)于正負(fù)電壓不太友好，現(xiàn)在只能用有源鉗位往下走了，英飛凌和仙童我都看到了有源鉗位的芯片，但是IR2233的電路實(shí)在太簡(jiǎn)單了，實(shí)現(xiàn)成本也低。

不知道你試過(guò)把IR這種自舉方式改造成雙電源沒有，一方面假設(shè)15V供電的話，輸出5.1V的負(fù)電壓，那么你正電壓就只有9.9V，并且高端的負(fù)電壓我試了很多論文上的方式，沒有成功過(guò)，高端的負(fù)電壓不知道是因?yàn)殡娮桦娙莶缓侠磉€是什么原因，反正沒有成功輸出過(guò)

降低dv/dt，可以改善米勒影響。要想徹底消除米勒影響，只能加合適的負(fù)電壓。

我最近也在糾結(jié)這個(gè)問(wèn)題，我是用k50t60的管，頻率27k，幾乎空載，100w的時(shí)候都會(huì)發(fā)熱，還有點(diǎn)嚴(yán)重，全橋驅(qū)動(dòng)，死區(qū)設(shè)置3us，實(shí)際測(cè)試只有2us，從波形看沒問(wèn)題，輸出帶有l(wèi)c電路，在關(guān)斷的時(shí)候還有續(xù)流，直流母線輸入電壓是整流后的310v，我做了一下實(shí)驗(yàn)，發(fā)出的熱量大概是40w，而我的輸出才近100w，會(huì)不會(huì)是開關(guān)頻率太高，k50t60的管最大可以多大頻率

1、加大死區(qū)時(shí)間；

2、10A與55A的驅(qū)動(dòng)電流是不一樣的；

3、驅(qū)動(dòng)電流在資料上有很明顯的差別的；

4、實(shí)踐出真知，媳婦會(huì)熬成婆的。