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我們用的是裸片，在高倍顯微鏡下可以看到芯片有燒過的痕跡。

元器件沒有變化。波形在低壓的時候也沒有問題。昨天仔細觀察了一下，2110芯片（裸芯片）低端驅動圖騰柱的一個晶體管上有不少元胞被燒掉了。就是紅圈中的那個管子。所有壞掉的產品都有這個現象，都是這個管子燒掉。而高端的兩個管子卻都沒有問題。怎么會就燒這個管子呢？是我的柵極電阻選太小，半橋下管因為米勒效應瞬間回灌一個大電流？但那樣也應該燒紅圈下面那個圖騰柱管子啊。[圖片]

VCE在驅動電流超過一定值時也是基本不變的，也可以看成一個常量這句不對吧？當三極管飽和后，進入的是恒流區(qū)域，柵極驅動電流與集電極電流無關，集電極電流也與集電極-發(fā)射極電壓無關，恒定的是集電極電流，而不是集電極-發(fā)射極電壓即飽和壓降吧？

[圖片][圖片]從圖像來說，在固定某個驅動電壓值時，IGBT的伏安特性的線性度要比MOS管好啊。為何指標上不規(guī)定某幾個常用驅動電壓時的等效導通電阻呢？而且從圖像上看，MOS管也存在類似IGBT飽和區(qū)的恒流區(qū)

沒必要那么復雜，直接把MOS管當一個二極管來測就可以了。MOS管的體二極管就是他本身，熱阻測試的時候也是測量二極管結壓降與溫度的關系。

增加關斷電阻，關斷延遲不就更大?

那么驅動芯片上標注的灌電流/拉電流就又有什么意義呢？比如我現在用IR2130驅動IGBT，即便將驅動電阻直接短路掉，IGBT的柵極驅動信號開通時間依然要1.8us.這個時候顯然不能認為驅動是個無內阻的恒壓源吧？

原方案是7個合金采樣電阻并聯，太占地方了。想把這個空間省出來放別的。

求教，啥叫正常有效的尖峰？測試條件是電壓56V，三相橋驅動無刷電機，電流30A時，測量其中一個橋臂下管的Vds波形。

多謝指點，原來耐壓還是和時間有關的啊。原來一直以為超過了就一定損壞。