MOS管Vds與Id之間的關(guān)系是線性關(guān)系？斜率就是Rdon？
而IGBT的Vce和Ic之間的關(guān)系是怎么樣一個(gè)關(guān)系？
一個(gè)基礎(chǔ)問(wèn)題，為什么衡量導(dǎo)通損耗，MOS管是導(dǎo)通電阻，而IGBT是導(dǎo)通壓降？
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從問(wèn)題可以看出來(lái)你沒(méi)學(xué)好模擬或沒(méi)學(xué)過(guò)模擬
MOS管可以看成一個(gè)壓控電阻，在放大區(qū)的時(shí)候RDS和VGS成線性關(guān)系，超出放大區(qū)的時(shí)候MOS完全導(dǎo)通，此時(shí)在MOS上的損耗=I^2*Rds，RDS此時(shí)基本是不變的，可以看成是一個(gè)常量，所以他的斜率就是RDS.
而三極管是非線性元件，飽和導(dǎo)通的時(shí)候VCE壓降與ICE電流無(wú)關(guān)，所以三極管上的損耗=ICE*VCE，VCE在驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)一定值時(shí)也是基本不變的，也可以看成一個(gè)常量，所以你懂的。
IGBT屬于三極管和MOS管的結(jié)合的一個(gè)元件，用電壓驅(qū)動(dòng)，但VCE與三極管的是一樣的，所以它的損耗=ICE*VCE，與三極管的計(jì)算是一樣的
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@bpyanyu
從問(wèn)題可以看出來(lái)你沒(méi)學(xué)好模擬或沒(méi)學(xué)過(guò)模擬MOS管可以看成一個(gè)壓控電阻，在放大區(qū)的時(shí)候RDS和VGS成線性關(guān)系，超出放大區(qū)的時(shí)候MOS完全導(dǎo)通，此時(shí)在MOS上的損耗=I^2*Rds，RDS此時(shí)基本是不變的，可以看成是一個(gè)常量，所以他的斜率就是RDS.而三極管是非線性元件，飽和導(dǎo)通的時(shí)候VCE壓降與ICE電流無(wú)關(guān)，所以三極管上的損耗=ICE*VCE，VCE在驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)一定值時(shí)也是基本不變的，也可以看成一個(gè)常量，所以你懂的。IGBT屬于三極管和MOS管的結(jié)合的一個(gè)元件，用電壓驅(qū)動(dòng)，但VCE與三極管的是一樣的，所以它的損耗=ICE*VCE，與三極管的計(jì)算是一樣的
從圖像來(lái)說(shuō)，在固定某個(gè)驅(qū)動(dòng)電壓值時(shí)，IGBT的伏安特性的線性度要比MOS管好啊。為何指標(biāo)上不規(guī)定某幾個(gè)常用驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)的等效導(dǎo)通電阻呢？而且從圖像上看，MOS管也存在類似IGBT飽和區(qū)的恒流區(qū)
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@bpyanyu
從問(wèn)題可以看出來(lái)你沒(méi)學(xué)好模擬或沒(méi)學(xué)過(guò)模擬MOS管可以看成一個(gè)壓控電阻，在放大區(qū)的時(shí)候RDS和VGS成線性關(guān)系，超出放大區(qū)的時(shí)候MOS完全導(dǎo)通，此時(shí)在MOS上的損耗=I^2*Rds，RDS此時(shí)基本是不變的，可以看成是一個(gè)常量，所以他的斜率就是RDS.而三極管是非線性元件，飽和導(dǎo)通的時(shí)候VCE壓降與ICE電流無(wú)關(guān)，所以三極管上的損耗=ICE*VCE，VCE在驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)一定值時(shí)也是基本不變的，也可以看成一個(gè)常量，所以你懂的。IGBT屬于三極管和MOS管的結(jié)合的一個(gè)元件，用電壓驅(qū)動(dòng)，但VCE與三極管的是一樣的，所以它的損耗=ICE*VCE，與三極管的計(jì)算是一樣的
VCE在驅(qū)動(dòng)電流超過(guò)一定值時(shí)也是基本不變的，也可以看成一個(gè)常量
這句不對(duì)吧？
當(dāng)三極管飽和后，進(jìn)入的是恒流區(qū)域，柵極驅(qū)動(dòng)電流與集電極電流無(wú)關(guān)，集電極電流也與集電極-發(fā)射極電壓無(wú)關(guān)，恒定的是集電極電流，而不是集電極-發(fā)射極電壓即飽和壓降吧？
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