ROHM_SIC_MOSFET：
羅姆銷售支持：StephenTEL:13632665149QQ:344645122ROHM確立了SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系低驅(qū)動(dòng)電壓，高效率的SiC肖特基勢壘二極管開始量產(chǎn)！2010.05.10半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社（總部設(shè)在京都），最近開始了肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS110A系列”的量產(chǎn)，本系列產(chǎn)品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的SiC（Siliconcarbide：碳化硅）。“SCS110A系列”產(chǎn)品與其他公司已經(jīng)量產(chǎn)的SiC-SBD相比，在正向電壓和動(dòng)作時(shí)阻抗等特性上有很大的改善，可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力車等進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路（功率因數(shù)校正電路）等領(lǐng)域和其他可能的領(lǐng)域。本系列新產(chǎn)品已在2010年4月下旬開始量產(chǎn)和銷售，我們將視市場需求情況逐步擴(kuò)大生產(chǎn)。生產(chǎn)基地定于晶圓在SiCrystal公司（德國埃爾蘭根市）制造，前期工序在ROHMApolloDeviceCo.,Ltd.（福岡縣），后期工序在ROHMIntegratedSystems(Thailand)Co.,Ltd.（泰國）進(jìn)行。最近，在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，電源轉(zhuǎn)換時(shí)半導(dǎo)體元件所帶來的功耗已成為一個(gè)問題，從環(huán)保角度出發(fā)，行業(yè)也在以進(jìn)一步降低功耗為目標(biāo)，不斷進(jìn)行材料特性比硅材料更優(yōu)越的SiC功率元件的開發(fā)研究。在這種趨勢下，2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產(chǎn)品，并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊，在行業(yè)中首先推進(jìn)了SiC元件/模塊的研究和開發(fā)。SiC-SBD從2005年開始銷售工程樣品，結(jié)合客戶的反饋，我們不斷努力提高可靠性和改善生產(chǎn)性。此外，為了確保高品質(zhì)的SiC晶圓，ROHM收購了德國SiCrystal公司，以建立SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系。本次開始量產(chǎn)的“SCS110A系列”產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）是15nsec，與以往的硅材料快速恢復(fù)二極管（35nsec?50nsec）相比大幅縮短，恢復(fù)過程中的損失減少到約三分之一。因此，變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路中如果采用本系列產(chǎn)品，可以大大降低損耗，從而減少發(fā)熱量。此外，相比硅材料快速恢復(fù)二極管（FRD），由于其溫度變化時(shí)的特性變化極小，散熱片小型化等可望效果顯著。另外，和以往的SiC-SBD相比較，具有反向恢復(fù)時(shí)間顯著改善、芯片尺寸減小15％左右等優(yōu)勢。本系列產(chǎn)品的量產(chǎn)，解決了肖特基勢壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護(hù)環(huán)層等SiC元件的課題，并且確立了一條龍生產(chǎn)體制。另外，本系列產(chǎn)品與已經(jīng)量產(chǎn)的以往SiC-SBD產(chǎn)品相比，工作時(shí)阻抗更小、正向電壓更低（VF=1.5V（標(biāo)稱值）10A時(shí)），溫度特性得到改善，實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品都高的效率。ROHM將SiC元件業(yè)務(wù)視為下一代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心技術(shù)之一，今后將繼續(xù)推進(jìn)SBD的進(jìn)一步高耐壓化，強(qiáng)化大電流產(chǎn)品陣容，擴(kuò)展搭載MOSFET和SiC元件的IPM（智能功率模塊）等SiC相關(guān)產(chǎn)品陣容并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。SiC肖特基勢壘二極管“SCS110A系列”[圖片](PDF：768KB)■SiC肖特基勢壘二極管“SCS110A系列”的特點(diǎn)反向恢復(fù)電荷（Qrr）極小，可以高速開關(guān)提供穩(wěn)定的溫度特性不受溫度影響的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）特性 ■碳化硅快速恢復(fù)二極管和SiC-SBD的開關(guān)波形比較[圖片]■電氣特性品名VRM(V)VR(V)IO(A)IFSM(A)Tj(oC)Tstg(oC) VF (V) IR (μA) trr(nsec)Conditionstyp.IF(A)Max.VR(V)typ.SCS110A系列6006001040150-55to+1501.510260015IF=10AVR=400Vdi/dt=-350A/μsec■技術(shù)名詞解釋SiC（Siliconcarbide：碳化硅）相比硅，具有約為3倍的碳化物間隙，約10倍的絕緣破壞電場，約3倍的熱傳導(dǎo)率等優(yōu)秀物理值的化合物半導(dǎo)體，這些特性都適用于功率元件應(yīng)用和高溫動(dòng)作。肖特基勢壘二極管利用金屬和半導(dǎo)體的接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的二極管。無少數(shù)載流子蓄積效果，具有高速性的特點(diǎn)。肖特基勢壘形成肖特基結(jié)時(shí)，在金屬和半導(dǎo)體的界面附近形成針對電子的勢壘。這就是肖特基勢壘。保護(hù)環(huán)是指元件周圍的環(huán)形空間，用于防止半導(dǎo)體元件的周邊造成的各種影響。反向恢復(fù)時(shí)間（trr）正向電壓轉(zhuǎn)變成反向電壓時(shí)，瞬間逆向電流的通電時(shí)間。