日韩在线不卡免费视频一区,日韩欧美精品一区二区三区经典,日产精品码2码三码四码区,人妻无码一区二区三区免费,日本feerbbwdh少妇丰满

  • 回復(fù)
  • 收藏
  • 點(diǎn)贊
  • 分享
  • 發(fā)新帖

三相整流橋的參數(shù)計(jì)算

整流橋一般有三個(gè)參數(shù)比較重要,If(AV),Id,URRM,我想知道
If(AV),Id這兩個(gè)參數(shù)代表什么意思,還有我如果設(shè)計(jì)一個(gè)200KW的電源,如何計(jì)算這兩個(gè)參數(shù),輸入為AC380V
全部回復(fù)(16)
正序查看
倒序查看
log1
LV.8
2
2008-04-30 13:26
If(AV):平均正向電流,一般流至少30%余量吧,需要注意的是你要看125°C或150°C的值而不是25°C的.
Id:查了好幾個(gè)整流橋,沒(méi)發(fā)現(xiàn)此參數(shù),如果你有有這個(gè)參數(shù)的,麻煩給個(gè)型號(hào).
0
回復(fù)
oldfang
LV.4
3
2009-02-07 23:09
@log1
If(AV):平均正向電流,一般流至少30%余量吧,需要注意的是你要看125°C或150°C的值而不是25°C的.Id:查了好幾個(gè)整流橋,沒(méi)發(fā)現(xiàn)此參數(shù),如果你有有這個(gè)參數(shù)的,麻煩給個(gè)型號(hào).
為什么要看125度的呢,比如D92-02 25度時(shí)是20A 100度才幾安
0
回復(fù)
log1
LV.8
4
2009-02-09 09:57
@oldfang
為什么要看125度的呢,比如D92-0225度時(shí)是20A100度才幾安
為了器件安全可靠.實(shí)際工作時(shí),節(jié)點(diǎn)溫度是多少就取多少,如果不知道就往大了取.
0
回復(fù)
2009-12-10 14:06
@oldfang
為什么要看125度的呢,比如D92-0225度時(shí)是20A100度才幾安
器件允許通過(guò)的電流隨著溫度的升高下降,有的器件降的很厲害,所以一定要看datasheet上的多少溫度對(duì)應(yīng)的電流值
0
回復(fù)
540054528
LV.3
6
2011-03-29 10:38

If電力二極管的正向平均電流

Id是流過(guò)二極管的電流有效值

如果設(shè)計(jì)電源你看看你負(fù)載的額定電流Ie多大,三相橋取二極管參(數(shù)余量%+1)1/3Ie

單相取(余量%+1)1/2Ie

還要考慮反向電壓。。。。。

0
回復(fù)
陳永真
LV.8
7
2011-04-04 18:21
留有3~10倍的電流裕量,這是MOTOLOLA在80年代給出的經(jīng)驗(yàn)公式。
0
回復(fù)
LV.1
8
2011-05-28 23:36
@log1
If(AV):平均正向電流,一般流至少30%余量吧,需要注意的是你要看125°C或150°C的值而不是25°C的.Id:查了好幾個(gè)整流橋,沒(méi)發(fā)現(xiàn)此參數(shù),如果你有有這個(gè)參數(shù)的,麻煩給個(gè)型號(hào).

 

0
回復(fù)
2011-06-09 22:01
@陳永真
留有3~10倍的電流裕量,這是MOTOLOLA在80年代給出的經(jīng)驗(yàn)公式。

羅姆銷(xiāo)售支持:Stephen

TEL: 13632665149

QQ: 344645122

ROHM確立了SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系低驅(qū)動(dòng)電壓,高效率的SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始量產(chǎn)!
2010.05.10

半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社(總部設(shè)在京都),最近開(kāi)始了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)“SCS110A系列”的量產(chǎn),本系列產(chǎn)品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的 SiC(Silicon carbide:碳化硅)?!癝CS110A系列”產(chǎn)品與其他公司已經(jīng)量產(chǎn)的SiC-SBD相比,在正向電壓和動(dòng)作時(shí)阻抗等特性上有很大的改善,可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)等進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路(功率因數(shù)校正電路)等領(lǐng)域和其他可能的領(lǐng)域。本系列新產(chǎn)品已在2010年4月下旬開(kāi)始量產(chǎn)和銷(xiāo)售,我們將視市場(chǎng)需求情況逐步擴(kuò)大生產(chǎn)。生產(chǎn)基地定于晶圓在SiCrystal公司(德國(guó)埃爾蘭根市)制造,前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.(福岡縣),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))進(jìn)行。

最近,在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,電源轉(zhuǎn)換時(shí)半導(dǎo)體元件所帶來(lái)的功耗已成為一個(gè)問(wèn)題,從環(huán)保角度出發(fā),行業(yè)也在以進(jìn)一步降低功耗為目標(biāo),不斷進(jìn)行材料特性比硅材料更優(yōu)越的SiC功率元件的開(kāi)發(fā)研究。在這種趨勢(shì)下,2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產(chǎn)品,并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊,在行業(yè)中首先推進(jìn)了SiC元件/模塊的研究和開(kāi)發(fā)。SiC-SBD從2005年開(kāi)始銷(xiāo)售工程樣品,結(jié)合客戶(hù)的反饋,我們不斷努力提高可靠性和改善生產(chǎn)性。此外,為了確保高品質(zhì)的SiC晶圓,ROHM收購(gòu)了德國(guó)SiCrystal公司,以建立SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系。

本次開(kāi)始量產(chǎn)的“SCS110A系列”產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)是15nsec,與以往的硅材料快速恢復(fù)二極管(35nsec?50nsec)相比大幅縮短,恢復(fù)過(guò)程中的損失減少到約三分之一。因此,變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路中如果采用本系列產(chǎn)品,可以大大降低損耗,從而減少發(fā)熱量。此外,相比硅材料快速恢復(fù)二極管(FRD),由于其溫度變化時(shí)的特性變化極小,散熱片小型化等可望效果顯著。另外,和以往的SiC-SBD相比較,具有反向恢復(fù)時(shí)間顯著改善、芯片尺寸減小15%左右等優(yōu)勢(shì)。本系列產(chǎn)品的量產(chǎn),解決了肖特基勢(shì)壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護(hù)環(huán)層等SiC元件的課題,并且確立了一條龍生產(chǎn)體制。另外,本系列產(chǎn)品與已經(jīng)量產(chǎn)的以往SiC-SBD產(chǎn)品相比,工作時(shí)阻抗更小、正向電壓更低(VF = 1.5V(標(biāo)稱(chēng)值)10A時(shí)),溫度特性得到改善,實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品都高的效率。

ROHM將SiC元件業(yè)務(wù)視為下一代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心技術(shù)之一,今后將繼續(xù)推進(jìn)SBD的進(jìn)一步高耐壓化,強(qiáng)化大電流產(chǎn)品陣容,擴(kuò)展搭載MOSFET和 SiC元件的IPM(智能功率模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品陣容并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。

SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS110A系列”(PDF:768KB)

■SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS110A系列”的特點(diǎn)反向恢復(fù)電荷(Qrr)極小,可以高速開(kāi)關(guān)提供穩(wěn)定的溫度特性不受溫度影響的trr(反向恢復(fù)時(shí)間)特性

 

■碳化硅快速恢復(fù)二極管和SiC-SBD的開(kāi)關(guān)波形比較

■電氣特性

品名 VRM(V) VR(V) IO(A) IFSM(A) Tj(oC) Tstg(oC)  VF (V)    IR (μA)  trr(nsec) Conditions typ. IF(A) Max. VR(V) typ. SCS110A系列 600 600 10 40 150 -55 to +150 1.5 10 2 600 15 IF=10AVR=400Vdi/dt=-350A/μsec

■技術(shù)名詞解釋SiC(Silicon carbide:碳化硅)相比硅,具有約為3倍的碳化物間隙,約10倍的絕緣破壞電場(chǎng),約3倍的熱傳導(dǎo)率等優(yōu)秀物理值的化合物半導(dǎo)體,這些特性都適用于功率元件應(yīng)用和高溫動(dòng)作。肖特基勢(shì)壘二極管利用金屬和半導(dǎo)體的接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的二極管。無(wú)少數(shù)載流子蓄積效果,具有高速性的特點(diǎn)。肖特基勢(shì)壘形成肖特基結(jié)時(shí),在金屬和半導(dǎo)體的界面附近形成針對(duì)電子的勢(shì)壘。這就是肖特基勢(shì)壘。保護(hù)環(huán)是指元件周?chē)沫h(huán)形空間,用于防止半導(dǎo)體元件的周邊造成的各種影響。反向恢復(fù)時(shí)間(trr)正向電壓轉(zhuǎn)變成反向電壓時(shí),瞬間逆向電流的通電時(shí)間。
0
回復(fù)
vilva
LV.4
10
2011-08-27 09:37
@陳永真
留有3~10倍的電流裕量,這是MOTOLOLA在80年代給出的經(jīng)驗(yàn)公式。

你好,陳老師,請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題,兩個(gè)100A的半橋組一個(gè)全橋,這算100A還是200A?

0
回復(fù)
陳永真
LV.8
11
2011-08-29 07:35
@vilva
你好,陳老師,請(qǐng)教個(gè)問(wèn)題,兩個(gè)100A的半橋組一個(gè)全橋,這算100A還是200A?
200的全橋
0
回復(fù)
vilva
LV.4
12
2011-08-29 11:42
@陳永真
200的全橋

我現(xiàn)在要做一臺(tái)RCD負(fù)載,總功率三相380V/30KVA,功因0.8,每相用兩個(gè)100A的整流橋夠大嗎?

0
回復(fù)
540054528
LV.3
13
2011-08-30 09:55
@vilva
我現(xiàn)在要做一臺(tái)RCD負(fù)載,總功率三相380V/30KVA,功因0.8,每相用兩個(gè)100A的整流橋夠大嗎?
總夠
0
回復(fù)
czlw888
LV.7
14
2011-09-18 20:16
@540054528
總夠
關(guān)注
0
回復(fù)
log1
LV.8
15
2011-10-18 14:48
@陳永真
200的全橋

。。。。。。

0
回復(fù)
2012-01-13 10:07
@log1
為了器件安全可靠.實(shí)際工作時(shí),節(jié)點(diǎn)溫度是多少就取多少,如果不知道就往大了取.
我看了很多整流橋都是溫度越高IFAV越大???比如在datasheet搜GBU8J 都是100℃ 8A,25℃ 6A  這怎么理解?
0
回復(fù)
ace2050
LV.5
17
2012-08-07 10:22
@log1
。。。。。。

好貼學(xué)習(xí)了

0
回復(fù)
發(fā)