三相整流橋的參數(shù)計(jì)算
If(AV),Id這兩個(gè)參數(shù)代表什么意思,還有我如果設(shè)計(jì)一個(gè)200KW的電源,如何計(jì)算這兩個(gè)參數(shù),輸入為AC380V
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ROHM確立了SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系低驅(qū)動(dòng)電壓,高效率的SiC肖特基勢(shì)壘二極管開(kāi)始量產(chǎn)!半導(dǎo)體制造商ROHM株式會(huì)社(總部設(shè)在京都),最近開(kāi)始了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)“SCS110A系列”的量產(chǎn),本系列產(chǎn)品采用了因低功耗、高耐壓而有望成為下一代功率元件材料的 SiC(Silicon carbide:碳化硅)?!癝CS110A系列”產(chǎn)品與其他公司已經(jīng)量產(chǎn)的SiC-SBD相比,在正向電壓和動(dòng)作時(shí)阻抗等特性上有很大的改善,可以廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)等進(jìn)行電源轉(zhuǎn)換的變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路(功率因數(shù)校正電路)等領(lǐng)域和其他可能的領(lǐng)域。本系列新產(chǎn)品已在2010年4月下旬開(kāi)始量產(chǎn)和銷(xiāo)售,我們將視市場(chǎng)需求情況逐步擴(kuò)大生產(chǎn)。生產(chǎn)基地定于晶圓在SiCrystal公司(德國(guó)埃爾蘭根市)制造,前期工序在ROHM Apollo Device Co.,Ltd.(福岡縣),后期工序在ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.(泰國(guó))進(jìn)行。
最近,在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,電源轉(zhuǎn)換時(shí)半導(dǎo)體元件所帶來(lái)的功耗已成為一個(gè)問(wèn)題,從環(huán)保角度出發(fā),行業(yè)也在以進(jìn)一步降低功耗為目標(biāo),不斷進(jìn)行材料特性比硅材料更優(yōu)越的SiC功率元件的開(kāi)發(fā)研究。在這種趨勢(shì)下,2004年ROHM率先采用SiC成功試制出MOSFET產(chǎn)品,并成功試制出采用了SBD和這些元件的功率模塊,在行業(yè)中首先推進(jìn)了SiC元件/模塊的研究和開(kāi)發(fā)。SiC-SBD從2005年開(kāi)始銷(xiāo)售工程樣品,結(jié)合客戶(hù)的反饋,我們不斷努力提高可靠性和改善生產(chǎn)性。此外,為了確保高品質(zhì)的SiC晶圓,ROHM收購(gòu)了德國(guó)SiCrystal公司,以建立SiC元件的一條龍生產(chǎn)體系。
本次開(kāi)始量產(chǎn)的“SCS110A系列”產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)是15nsec,與以往的硅材料快速恢復(fù)二極管(35nsec?50nsec)相比大幅縮短,恢復(fù)過(guò)程中的損失減少到約三分之一。因此,變壓器、轉(zhuǎn)換器、PFC電路中如果采用本系列產(chǎn)品,可以大大降低損耗,從而減少發(fā)熱量。此外,相比硅材料快速恢復(fù)二極管(FRD),由于其溫度變化時(shí)的特性變化極小,散熱片小型化等可望效果顯著。另外,和以往的SiC-SBD相比較,具有反向恢復(fù)時(shí)間顯著改善、芯片尺寸減小15%左右等優(yōu)勢(shì)。本系列產(chǎn)品的量產(chǎn),解決了肖特基勢(shì)壘的均一性、高溫處理中形成不必要的高抗保護(hù)環(huán)層等SiC元件的課題,并且確立了一條龍生產(chǎn)體制。另外,本系列產(chǎn)品與已經(jīng)量產(chǎn)的以往SiC-SBD產(chǎn)品相比,工作時(shí)阻抗更小、正向電壓更低(VF = 1.5V(標(biāo)稱(chēng)值)10A時(shí)),溫度特性得到改善,實(shí)現(xiàn)了比以往產(chǎn)品都高的效率。
ROHM將SiC元件業(yè)務(wù)視為下一代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的核心技術(shù)之一,今后將繼續(xù)推進(jìn)SBD的進(jìn)一步高耐壓化,強(qiáng)化大電流產(chǎn)品陣容,擴(kuò)展搭載MOSFET和 SiC元件的IPM(智能功率模塊)等SiC相關(guān)產(chǎn)品陣容并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)化。
SiC肖特基勢(shì)壘二極管“SCS110A系列”![]() |
■碳化硅快速恢復(fù)二極管和SiC-SBD的開(kāi)關(guān)波形比較
品名 | VRM(V) | VR(V) | IO(A) | IFSM(A) | Tj(oC) | Tstg(oC) | VF (V) | IR (μA) | trr(nsec) | Conditions | typ. | IF(A) | Max. | VR(V) | typ. | SCS110A系列 | 600 | 600 | 10 | 40 | 150 | -55 to +150 | 1.5 | 10 | 2 | 600 | 15 | IF=10AVR=400Vdi/dt=-350A/μsec |