hardisli：
MOSFE和IGBT的驅(qū)動(dòng)電阻的大小選擇主要是考慮開通和關(guān)斷時(shí)的VDS和IDS上升和下降時(shí)間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅(qū)動(dòng)電阻可以加快開通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內(nèi)阻很小，一般要加個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻，更加細(xì)致的設(shè)計(jì)需要將開通和關(guān)斷電阻分開設(shè)計(jì)，以使開通和關(guān)斷速度都做到最大，同時(shí)不會(huì)損壞管子，可以去算下開關(guān)時(shí)間。dv/dt做到20V/ns基本上是現(xiàn)在許多管子的極限。