關(guān)于IGBT/MOSFET驅(qū)動(dòng)峰值電流的問(wèn)題
小弟請(qǐng)教有經(jīng)驗(yàn)的前輩，要使IGBT/MOSFET能快速開(kāi)關(guān)，必須提供足夠的驅(qū)動(dòng)峰值電流，一般驅(qū)動(dòng)芯片（VCC=15V）的輸出都接了10歐左右的限流電阻，如果驅(qū)動(dòng)大功率的IGBT（需要3~4A驅(qū)動(dòng)峰值電流），這個(gè)限流電阻可否省略？請(qǐng)各位不吝賜教！
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@gz.daheng
我是新手！回答點(diǎn)僅供參考。（有錯(cuò)誤引起想笑的請(qǐng)去沒(méi)人的地方）回答：只能是阻值大小選擇，最好別省去。（詳細(xì)請(qǐng)參考有關(guān)廠家資料）RG阻值正規(guī)的生產(chǎn)廠在IGBT資料都有詳細(xì)說(shuō)明，當(dāng)然，具體阻值最好在電路構(gòu)件調(diào)整中稍加修正。
加驅(qū)動(dòng)電阻的目的是為了保護(hù)被驅(qū)動(dòng)的管子,防止大的電流損傷管子.同時(shí),利用限流電阻還可以控制管子的開(kāi)啟時(shí)間.
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MOSFE和IGBT的驅(qū)動(dòng)電阻的大小選擇主要是考慮開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的VDS和IDS上升和下降時(shí)間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅(qū)動(dòng)電阻可以加快開(kāi)通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內(nèi)阻很小，一般要加個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻，更加細(xì)致的設(shè)計(jì)需要將開(kāi)通和關(guān)斷電阻分開(kāi)設(shè)計(jì)，以使開(kāi)通和關(guān)斷速度都做到最大，同時(shí)不會(huì)損壞管子，可以去算下開(kāi)關(guān)時(shí)間。dv/dt做到20V/ns基本上是現(xiàn)在許多管子的極限。
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@hardisli
MOSFE和IGBT的驅(qū)動(dòng)電阻的大小選擇主要是考慮開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)的VDS和IDS上升和下降時(shí)間，在最大的dV/dt允許的情況下，盡量選擇小的驅(qū)動(dòng)電阻可以加快開(kāi)通速度，減少損耗，由于MOSFET和IGBT的G極內(nèi)阻很小，一般要加個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻，更加細(xì)致的設(shè)計(jì)需要將開(kāi)通和關(guān)斷電阻分開(kāi)設(shè)計(jì)，以使開(kāi)通和關(guān)斷速度都做到最大，同時(shí)不會(huì)損壞管子，可以去算下開(kāi)關(guān)時(shí)間。dv/dt做到20V/ns基本上是現(xiàn)在許多管子的極限。
從該MOSFET的PDF文檔上看，它的導(dǎo)通電阻為18毫歐，外接1歐的限流電阻也行，如果用10V電壓驅(qū)動(dòng)的話，那么驅(qū)動(dòng)峰值電流可以達(dá)到10A，下面是MOSFET的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)，請(qǐng)各位幫小弟看看。如果驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電壓為12V，輸出峰值電流上限為4A的話，限流電阻取3歐應(yīng)該可以吧？但是問(wèn)題是電阻的功率怎么選擇，有沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)值可供參考呢？請(qǐng)各位大蝦幫忙指點(diǎn)一下！
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@kuernikewa
[圖片]從該MOSFET的PDF文檔上看，它的導(dǎo)通電阻為18毫歐，外接1歐的限流電阻也行，如果用10V電壓驅(qū)動(dòng)的話，那么驅(qū)動(dòng)峰值電流可以達(dá)到10A，下面是MOSFET的開(kāi)關(guān)特性參數(shù)，請(qǐng)各位幫小弟看看。如果驅(qū)動(dòng)芯片的輸出電壓為12V，輸出峰值電流上限為4A的話，限流電阻取3歐應(yīng)該可以吧？但是問(wèn)題是電阻的功率怎么選擇，有沒(méi)有經(jīng)驗(yàn)值可供參考呢？請(qǐng)各位大蝦幫忙指點(diǎn)一下！[圖片] （點(diǎn)擊放大）
小弟初學(xué)，請(qǐng)各位大蝦幫忙看看吧！
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@liuxing925
一般選擇至少2W以上的金屬膜電阻，使用多的是3W的電阻。驅(qū)動(dòng)電阻要求耐沖擊電流，寄生電感小。
門極電阻不需要這么大的功率，因?yàn)橹挥杏|發(fā)瞬間的峰值電流很大，一般用125mW的普通電阻就可以了。
同時(shí)這個(gè)電阻是為了防止由于雜散參數(shù)引起的振蕩，從而損壞開(kāi)關(guān)管。
通過(guò)這個(gè)電阻可以控制開(kāi)關(guān)管的開(kāi)通和截止時(shí)間。公式為 ton=2.2RgCiss. Ciss:MOSFET的輸入電容(pF). Rg:門極電阻。
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