holan：
樓上的說(shuō)法我贊同,在Highside的位置上用PFET,的確方便驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì).PFET的S極接到Vin,驅(qū)動(dòng)電壓能做到比S極電壓低即可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng);如果在Highside的位置上用NFET,需要Boot電容做自舉,讓G極電壓高于NFET的S極.如果此時(shí)NFET常開(kāi),無(wú)法保證Boot電容電壓維持,失去了電容充放電的條件,因此無(wú)法保證NFET常開(kāi).如果有不妥的地方請(qǐng)大蝦們指點(diǎn).謝謝!