多半是驅(qū)動部分的問題.

請進一步解釋下,P-MOSFET是低電平驅(qū)動,N-MOSFET是高電平驅(qū)動.這點差別如何允許P-MOSFET能100%打開?能從結(jié)構(gòu)工藝上解釋一下嗎?謝謝!

1.要把高電平把它當?shù)碗娖娇?.原則上MOS的DS極就是一個電阻.我是這樣認為的.

請你自己舉個例子說明一下你的認識.

例如國半的一顆DC/DC controller LM3485, 外接的開關(guān)管是PFET,并在DS中說明可以在100%占空比下工作,使得輸出電壓等于輸入電壓(接近).您可以到國半的網(wǎng)站上下載這個DS.當然有很多DC/DC regulator是用的NFET,并有最大占空比的限制.現(xiàn)在的問題依然回到開始,怎么解釋PFET可以常開?補充:一般PFET的Rdson是比NFET要大.

PMOS導通的條件是Vg比Vs小;NMOS導通的條件是Vg比Vs大;
一般的FET是接高位電壓部分(Vin+),所以PMOS導通條件容易實現(xiàn),可達100%占空比
如果你把NMOS接到低位電壓部分,又能控制它正常開關(guān)的話,NMOS做到100%的占空比也可以
一般的開關(guān)電源電路里,有人這么用么?

樓上的說法我贊同,在High side的位置上用PFET,的確方便驅(qū)動電路設計.PFET的S極接到Vin,驅(qū)動電壓能做到比S極電壓低即可實現(xiàn)驅(qū)動;如果在High side的位置上用NFET,需要Boot電容做自舉,讓G極電壓高于NFET的S極.如果此時NFET常開,無法保證Boot電容電壓維持,失去了電容充放電的條件,因此無法保證NFET常開.
如果有不妥的地方請大蝦們指點.
謝謝!