為什么PFET允許100%打開工作,而NFET通常不允許這樣?請高手解釋一下
RT.
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@holan
例如國半的一顆DC/DCcontrollerLM3485,外接的開關(guān)管是PFET,并在DS中說明可以在100%占空比下工作,使得輸出電壓等于輸入電壓(接近).您可以到國半的網(wǎng)站上下載這個DS.當然有很多DC/DCregulator是用的NFET,并有最大占空比的限制.現(xiàn)在的問題依然回到開始,怎么解釋PFET可以常開?補充:一般PFET的Rdson是比NFET要大.
PMOS導通的條件是Vg比Vs小;NMOS導通的條件是Vg比Vs大;
一般的FET是接高位電壓部分(Vin+),所以PMOS導通條件容易實現(xiàn),可達100%占空比
如果你把NMOS接到低位電壓部分,又能控制它正常開關(guān)的話,NMOS做到100%的占空比也可以
一般的開關(guān)電源電路里,有人這么用么?
一般的FET是接高位電壓部分(Vin+),所以PMOS導通條件容易實現(xiàn),可達100%占空比
如果你把NMOS接到低位電壓部分,又能控制它正常開關(guān)的話,NMOS做到100%的占空比也可以
一般的開關(guān)電源電路里,有人這么用么?
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@落花滿天蔽月光
PMOS導通的條件是Vg比Vs小;NMOS導通的條件是Vg比Vs大;一般的FET是接高位電壓部分(Vin+),所以PMOS導通條件容易實現(xiàn),可達100%占空比如果你把NMOS接到低位電壓部分,又能控制它正常開關(guān)的話,NMOS做到100%的占空比也可以一般的開關(guān)電源電路里,有人這么用么?
樓上的說法我贊同,在High side的位置上用PFET,的確方便驅(qū)動電路設計.PFET的S極接到Vin,驅(qū)動電壓能做到比S極電壓低即可實現(xiàn)驅(qū)動;如果在High side的位置上用NFET,需要Boot電容做自舉,讓G極電壓高于NFET的S極.如果此時NFET常開,無法保證Boot電容電壓維持,失去了電容充放電的條件,因此無法保證NFET常開.
如果有不妥的地方請大蝦們指點.
謝謝!
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