在本專輯第2篇文章的彌勒平臺(tái)中，談到了MOSFET的開(kāi)啟與關(guān)閉過(guò)程就是對(duì)其中的電荷進(jìn)行充電和放電的過(guò)程，電荷量的多少直接影響了MOSFET開(kāi)關(guān)速度。電容的值一般會(huì)取決于測(cè)量時(shí)所設(shè)置的電壓和頻率，所以相對(duì)與電荷來(lái)講，電容的值就顯得沒(méi)有那么重要。但估計(jì)是為了輔助設(shè)計(jì)，很多供應(yīng)商還是列出了電容的信息，如下圖：

Ciss（輸入電容）：柵極與其他兩個(gè)端子（漏極和源極）之間的電容。

Coss（輸出電容）：漏極與其他兩個(gè)端子（柵極和源極）之間的電容。

Crss（反向傳輸電容）：漏極和源極間的電容。

那么對(duì)于MOSFET的等效模型，就會(huì)有下面的等式成立：

Ciss=Cgd+Cgs，Coss=Cgd+Cds，Crss=Cds

值得注意的是，雖然很多供應(yīng)商都規(guī)定了電容值的測(cè)試頻率為1MHz，但其他的測(cè)試條件卻不盡相同，在元件選擇橫向比較時(shí)比較困難。值得慶幸的是，供應(yīng)商同時(shí)也會(huì)給出電容曲線，如下圖：

根據(jù)公式電容C=電荷Q/電壓V， 隨著電壓的增大，電容值響應(yīng)地有所下降。

綜上所述，在真正的設(shè)計(jì)過(guò)程中會(huì)利用電荷量來(lái)計(jì)算評(píng)估開(kāi)關(guān)時(shí)間，而不會(huì)用Ciss，Coss和Crss。這些電容信息只是可利用的不同MOSFET橫向比較的參數(shù)。