MOS管可以并聯(lián)嗎？當(dāng)然可以，但是這里有一個最大的問題就是可能導(dǎo)致分流不均，從而引起炸管。今天咱們就來聊聊，怎么安全又高效地并聯(lián)MOS管，有哪些關(guān)鍵點(diǎn)要注意。

01| 為什么要并聯(lián)MOS管？

原因1：簡單來說，就是為了增大導(dǎo)通電流，同時降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。

Rds(on)越小，電路的電流傳導(dǎo)能力越強(qiáng)，發(fā)熱和損耗自然就少了。咱們常用的方法就是把多個MOS管并聯(lián)使用——這樣相當(dāng)于把它們的導(dǎo)通電阻"并聯(lián)"起來，整體Rds(on)就能顯著降低。

原因2：處于成本考慮。

假如我們通過的總電流為400A，這時候你可以有兩個選擇，可以直接買一個400A的管子，或者買兩個200A的管子并聯(lián)。

如下圖，一個200A的管子單價4.51元，兩個成本就是9.02元；而一個400A的管子成本為13.9。

算下來一臺設(shè)備可以節(jié)約4.88元。看起來相差不大，但如果量產(chǎn)幾千、幾萬臺設(shè)備，這個差價將會被無限放大。

1000臺 → 省4880元

10000臺 → 省48800元

這還只是MOS管的成本，還沒算上散熱和其它方面帶來的整體成本下降。

當(dāng)然，實際設(shè)計要考慮的更多（比如可靠性、散熱、布局復(fù)雜度等），但單從成本角度看，并聯(lián)MOS管確實能省不少錢！

但是！問題來了：

世界上沒有兩個完全相同的MOS管！就算是同型號，同批次的MOS管，但由于制造差異，并聯(lián)的MOS管之間Rds(on)總有差別，這會導(dǎo)致電流分配不均。

02| 并聯(lián)MOS管注意事項

并聯(lián)MOS管，有三大關(guān)鍵設(shè)計要點(diǎn)

1、給每個MOS管配獨(dú)立柵極電阻

當(dāng)一個MOS管開始導(dǎo)通時，會在源極節(jié)點(diǎn)產(chǎn)生快速電壓跳變，這個變化可能通過另一個MOS管的寄生柵漏極電容進(jìn)行耦合，在柵極上引起振蕩，甚至損壞驅(qū)動芯片或MOS管本身。

不必要的耦合路徑，單柵極加電阻

因此，當(dāng) MOS管快速導(dǎo)通和關(guān)斷時，可能在柵極節(jié)點(diǎn)上引起振蕩，并最終損壞柵極驅(qū)動器或 MOS管。為了抑制這種耦合，每個MOS管應(yīng)該在柵極與柵極驅(qū)動器的共享連接處之間放置一個單獨(dú)的電阻器。這樣可以防止電壓脈沖耦合回輸入端，引起振蕩甚至損壞器件。

改進(jìn)后的電路，每個柵極加一個電阻

這里要注意：給每個MOS管的柵極單獨(dú)加一個小電阻，這個電阻的值不能過大，，阻值一般在1R至47R之間，阻值太大可能降低開關(guān)效率，這個電阻相當(dāng)于引入電壓反饋的機(jī)制，從而抑制電流不均的現(xiàn)象。

2、柵極布局要點(diǎn)

把MOS管盡量彼此靠近放置；保持柵極走線一致，直到接近MOS管（更大限度降低外部信號耦合對 MOS管產(chǎn)生不同影響的可能性）；各柵極走線長度要合理相近（雖沒有要求完全一致）；柵極電阻放置位置不重要，但建議盡量靠近MOS管（以便限制信號在 MOS管柵極內(nèi)外耦合的可能性）。

錯誤的柵極布局

推薦的柵極布局

3、漏極和源極布局要點(diǎn)

為盡可能同時開關(guān)MOS管，盡可能將MOS管的漏極和源極的連接盡可能的相似；漏極和源極建議使用多邊形敷銅而不是走線，盡可能的加粗大電流通過的路徑，便于電流相對均勻，放置分流不均引起另一個管子發(fā)熱嚴(yán)重。

錯誤的漏極和源極布局

推薦的漏極和源極布局

其它注意事項

散熱要均勻：大功率的MOS管散熱一般都是比較大的散熱器，記住并聯(lián)的MOS管散熱也盡可能的保持一致。

可以加RC吸收電路：在漏極和源極之間預(yù)留一個并聯(lián)的RC吸收電路，減少開關(guān)尖峰。

03| 總結(jié)

在大功率應(yīng)用中，每一個微小的優(yōu)化都能帶來不一樣的效果。降低Rds(on)意味著更少的能量浪費(fèi)在發(fā)熱上，均衡的電流分配能大幅提高系統(tǒng)可靠性，優(yōu)化的布局可以讓PCB散熱更高效。

只要做好這幾點(diǎn)，MOS管并聯(lián)完全沒問題！我之前做半橋電路并聯(lián)MOS管，一開始沒調(diào)好，管子發(fā)熱嚴(yán)重，后來優(yōu)化了柵極電阻和布局，電流均勻了，產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)。