多項選擇題
1、關(guān)于PCB設(shè)計時信號換層處理正確的方式是（ ）。
A、信號路徑換層，回流路徑保持不變 （優(yōu)選）
B、信號路徑換層，回流路徑換層（回流路徑參考平面屬性不變）（次選）
C、信號路徑換層，回流路徑換層 （回流路徑參考平面屬性改變），避免
D、信號路徑不換層，回流路徑也不換層（首選）
2、下列關(guān)于串?dāng)_的描述錯誤的是（ ）。
A、串?dāng)_是信號在傳輸線上傳播時，由于電磁耦合而在相鄰的傳輸線上產(chǎn)生不期望的電壓或電流噪聲干擾。
B、信號的邊緣場效應(yīng)不是導(dǎo)致串?dāng)_產(chǎn)生的根本原因。
C、信號沿傳輸線傳播時，在信號路徑與返回路徑將產(chǎn)生電力線與磁力線，電磁場會延伸到周圍的空間，這些延伸出去的場稱為邊緣場。
D、串?dāng)_只在近端傳播。
3、減小串?dāng)_的方法有（ ）
A、減小耦合長度 B、加大布線間距
C、將敏感線布成帶狀線 D、減緩信號上升沿或下降沿
4、影響PCB特性阻抗的因素有（ ）。
- A、PCB布線的線寬 B、PCB布線的銅厚
C、介質(zhì)的介電常數(shù) D、參考平面的距離
5、阻抗失配的影響有（ ）。
- A、信號過沖 B、信號振鈴
- B、信號反射 D、空間輻射
6、下列關(guān)于楞次定律描述正確的的是（ ）
- A、感應(yīng)電流的磁場總要阻礙引起感應(yīng)電流的磁通量的變化。
- B、當(dāng)磁通量增加時，感應(yīng)電流的磁場方向與原磁場方向相反，以阻礙磁通量的增加
- C、當(dāng)磁通量減少時，感應(yīng)電流的磁場方向與原磁場方向相同，以阻礙磁通量的減少
- D、楞次定律是渦流理論的基礎(chǔ)。
7、下列關(guān)于安培定則描述錯誤的是 ( )。
A、安培定則也叫右手螺旋定則，是表示電流和電流激發(fā)磁場的磁感線方向間關(guān)系的定則，安培定則有兩種描述方式。
B、用左手握住通電直導(dǎo)線，讓大拇指指向電流的方向，那么彎曲的四指的指向就是磁感線的環(huán)繞方向。
C、用左手握住通電螺線管，使四指彎曲與電流方向一致，那么大拇指所指的那一端是通電螺線管的N極。
D、用右手握住通電螺線管，使四指彎曲與電流方向一致，那么大拇指所指的那一端是通電螺線管的N極。
8、下列關(guān)于差模噪聲與共模噪聲描述正確的是（ ）。
A、電壓和電流的變化通過導(dǎo)線傳輸有兩種形態(tài);一種是兩根導(dǎo)線分別做為信號傳輸路徑與回流路徑, 我們稱之為"差模"。
B、另一種是兩根導(dǎo)線同時做信號傳輸路徑,傳輸相同極性的信號，回流路徑通過參考平面返回，我們稱之為"共模"。
C、差模電流構(gòu)成的環(huán)路面積內(nèi)，磁場是減弱的，而在環(huán)路面積以外的磁場則是相互加強的。
D、對于共模電流的磁場，在環(huán)路面積以內(nèi)磁場是相互抵消的，而在環(huán)路面積以外的磁場則是加強的，
9、下列關(guān)于差模與共模轉(zhuǎn)化描述正確的是（ ）
A、共模噪聲可以是兩條線上的共模電壓大小相同，電流方向也相同的信號。
B、共模噪聲也可以是共模電壓大小不同，電流方向也相同。
C、兩條線之間由于共模電壓不同，就會產(chǎn)生電位差，部分共模噪聲就會轉(zhuǎn)化為差模噪聲。
D、阻抗不匹配產(chǎn)生的反射，以及差模信號傳輸路徑的非設(shè)計改變，是差模信號轉(zhuǎn)換成共模信號的根本原因。
10、下列是關(guān)于頻譜分析儀使用描述錯誤的是（ ）。
A、無明確干擾源，使用針式探針 B、明確干擾源，使用針式探針
C、無明確干擾源，使用環(huán)形探針 D、明確干擾源，使用環(huán)形探針
11、下列關(guān)于電流卡鉗的使用描述錯誤的是（ ）
A、電流卡鉗只能測試差模 B、電流卡鉗只能測試共模
C、電流卡鉗即可以測試差模，也可以測試共模
D、電流卡鉗差模與共模都不能測試
12、關(guān)于差模與共模的分離方法描述正確的是（ ）
- A、可以使用專用的差/共模分離器。
- B、可以使用電流卡鉗分離差/共模
- C、可以使用帶差/共模分離功能的LISN。
- D、可以使用磁環(huán)分離差/共模噪聲
13、關(guān)于電容濾波原理的描述正確的是（ ）
A、電容器具有〝通高頻阻低頻的特性〞
B、濾波是利用此特性為干擾頻點提供〝?shù)妥杩孤窂建?
C、由于電容本身不具有消耗能量的特性，干擾頻點是通過電容改變了傳播路徑。
D、電容元件又稱反射式濾波元件。
14、關(guān)于電容頻率特性的描述錯誤的是（ ）
A、 低頻范圍內(nèi)非常接近理想電容器，阻抗與頻率成反比，此區(qū)域稱為容性區(qū)域〞。
B、 高頻范圍內(nèi)非常接近理想電容器，阻抗與頻率成反比，此區(qū)域稱為容性區(qū)域〞。
C、隨著頻率的改變，阻抗卻成升高趨勢，電容的寄生電感影響非常明顯，此區(qū)域稱為感性區(qū)域。
D、 低頻范圍內(nèi)非常接近理想電容器，阻抗與頻率成反比，此區(qū)域稱為感性區(qū)域〞。
15、關(guān)于安規(guī)電容描述正確的是（ ）
A、安規(guī)電容之所以稱之為安規(guī)電容，是指它的應(yīng)用場合，即使電容器失效后，不會出現(xiàn)導(dǎo)致電擊、起火等危害人身安全的情況。
B、X電容、Y電容屬于安規(guī)電容。
C、X電容根據(jù)耐壓分為X1、X2、X3三個等級，安全等級中允許的峰值脈沖電壓過電壓等級：2.5KV＜X1≤4.0KV、X2≤2.5KV、X3≤1.2KV。
D、 Y電容安全等級是：Y1≧250V，允許峰值脈沖電壓＞8KV；150V≤Y2≤300V;允許峰值脈沖電壓＞5KV; Y42≤150V，允許峰值脈沖電壓＞2.5KV。
16、下列關(guān)于寄生電容的主要分類描述正確的是（ ）
A、芯片管腳之間的寄生電容 B、金屬導(dǎo)體與磁芯
C、芯片與金屬散熱片 D、導(dǎo)體與參考地平面
E、線纜寄生電容 F、PCB布線的分布電容
17、關(guān)于變壓器寄生電容的優(yōu)化措施正確的是（ ）
A、增大繞組之間距離，降低繞組之間的寄生電容
B、繞組之間增加屏蔽，降低繞組之間的寄生電容耦合
C、通過調(diào)整繞線疏密度，降低寄生電容
D、調(diào)整屏蔽層接地方式，降低寄生電容影響
18、如何降低PCB布線的寄生電容，下列描述正確的是（ ）
A、縮小PCB布線間的距離，降低寄生電容
B、PCB布線間增加地線屏蔽，降低寄生電容
C、縮小層距，降低層于層之間的寄生電容
D、采用垂直交叉布線，降低寄生電容
19、下列關(guān)于電容PCB布線注意事項描述正確的是（ ）
A、芯片引腳高頻電容遵循先小后大的原則，小電容靠近芯片引腳最近，其次是大電容。
B、 電容到濾波器件引腳布線最短原則，在布線最短的基礎(chǔ)上布線盡可能的最粗。
C、 電容到濾波器件引腳布線避免換層原則，如果換層建議采用多過孔并聯(lián)使用。
D、電容的接地端布線遵循短而粗原則，同層回流到芯片參考地或者對應(yīng)引腳的參考地平面。
20、電容選型注意事項，應(yīng)包含（ ）
A、 電容器額定電壓參數(shù)的選擇 B、溫度系數(shù)參數(shù)的選擇
C、 電容的降額設(shè)計 D、誤差精度的選擇