書上講一般Rg都在20歐姆以內(nèi),隨開關(guān)管的容量增大而減小;但我們用時都分情況,如果驅(qū)動脈沖上升沿或下降沿有毛刺,就略微加大電阻,直到消除為止,其阻值于書上所述相差不大.不知dx們是怎么應(yīng)用的.

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驅(qū)動電阻的具體作用是什么呢?雖說是為了消除驅(qū)動脈沖上升沿的尖峰,但消除尖峰的根本目的又是什么呢? 我只知道大概是避免開關(guān)管開啟太迅速而產(chǎn)生諧波干擾.但是,開關(guān)管開啟快速點不是可以減少開啟損耗嗎?

DIGN

關(guān)注中

同時限制驅(qū)動時的電流,尤其是采用芯片輸出直接驅(qū)動的,驅(qū)動電流不能超過芯片允許的驅(qū)動輸出電流

同時限制驅(qū)動時的電流,尤其是采用芯片輸出直接驅(qū)動的,驅(qū)動電流不能超過芯片允許的驅(qū)動輸出電流

可以改變上升和下降的斜率.

驅(qū)動電阻太大了會壞MOS的!

為什么?

太大了
影響COSS的充電!!

哪為什么會壞,比如我加一個10M的電阻,會壞嗎?

老弟(兄),這還用問為什么,你試一試便知.
10M的電阻,什么概念!我想用10M的電阻倒不會壞MOS了,你用約幾十mA的驅(qū)動電流*10M的電阻的阻值,電阻上壓降多少?還有電壓到MOS 的G極么?哈哈.

但是誰會用幾十mA的定電流源去驅(qū)動MOS呢,一般都是電壓源的吧,而且驅(qū)動的時候,相當(dāng)于一個RC電路,終歸會到達(dá)電源電壓值,電流會隨著電壓的上升而減少到零,如果不是這樣,電路設(shè)計中的上拉電阻怎么能工作呢,呵呵.你說的可能是個現(xiàn)象,但是沒有合理的解釋.

你大概是指放電電阻吧,半橋驅(qū)動時最好是分開驅(qū)動的,放電電阻越小好,因為會因為MILLER EFFECT電流產(chǎn)生,通過放電電阻產(chǎn)生電壓,使原來導(dǎo)通的MOS self turn-on,損壞MOS.而充電電阻大了是壞不了MOS德的,你說的是這個意思吧.

我都用100R

那你試一試不久知道了.如果太的話﹐導(dǎo)通不完全﹐會承受很大功率﹐就會炸掉.用10M的沒炸掉是因為MOS根本就沒導(dǎo)同通﹐沒有一點驅(qū)動.

這才是合理的解釋,不錯,我是不會去試的,呵呵

?

???

斯文兄,

不好意思,看錯了!
我把R看成K了,汗!!!

沒事.我昨個還納悶?zāi)?我還以為自己是另類呢!

在反激的應(yīng)用中,比如對3842的啟動電阻是很大的,幾百K的,
不明白你們所說的驅(qū)動電阻是?
小弟剛進(jìn)入這個層面?請不吝賜教!

小弟想了想,比如在反激中(3842+MOS),是不是3842的輸出級與MOS的柵極之間的電阻?

我想就是接在串接在g短的電阻吧

好像是抑制寄生震蕩吧

是防止在上升沿時L與極間電容產(chǎn)生的寄生振蕩!

是的,與啟動電阻是兩個概念.

驅(qū)動電阻加了以后驅(qū)動信號變得不規(guī)整,加以前是比較好的方波的．
是不是很正常呢?

看看書上的說法:

從降低開關(guān)損耗的觀點要求驅(qū)動波形前后沿越陡越好,驅(qū)動源是理想電壓源.但是,除了帶有驅(qū)動電路的功率模塊以外,柵極驅(qū)動電路不可能與柵極連線最短,連線電感是不可避免的.線路電感與輸入電容在驅(qū)動電壓激勵下引起嚴(yán)重的振蕩,使驅(qū)動無法正常工作.為此,一般總在MOSFET柵極串聯(lián)一個電阻,對振蕩阻尼在可接受范圍內(nèi).但是,電阻的加入破壞了驅(qū)動的電源壓特性,限制了驅(qū)動電流,降低了前后沿陡度,驅(qū)動波形前沿出現(xiàn)明顯指數(shù)上升特性,并在驅(qū)動達(dá)到MOSFET開啟電壓UT時,由于漏-柵電容放電的密勒效應(yīng)造成柵極電壓“打折”,加大導(dǎo)通損耗.在關(guān)斷時,密勒電容的放電效應(yīng),使得關(guān)斷延緩或誤導(dǎo)通,增加了關(guān)斷損耗.因此,柵極電阻不能太大,只要抑制振蕩就行.從根本上應(yīng)當(dāng)盡量縮短柵極與驅(qū)動連接距離.