圖紙是不是有誤?MOS是p channel.

不好意思,MOS是N溝道的

不知道你以前有沒有遇到這樣的問題.還有就是老化時(shí)SNNUBER 吸收回路的二極管發(fā)熱很歷害.現(xiàn)在用的是FR207.

R5和R6起什么作用?你的圖紙沒有參數(shù),怎么看啊.

R5 R6實(shí)際上我沒有用到,不過我調(diào)機(jī)時(shí)它們有起到一點(diǎn)調(diào)節(jié)過電流作用,

圖紙參數(shù)我整理后再上傳

原理圖傳上1143182443.pdf

你的炸機(jī)是出現(xiàn)在哪個(gè)工序?老化還是生產(chǎn)中?我有出現(xiàn)過制程中炸機(jī)是由于打高壓擊穿NCP1200引起,如果是老化要考慮一下你的變壓器是否過熱引起.還有你的變壓器磁芯是多大的?

制程中,是在220V測(cè)試時(shí)炸機(jī),打高壓倒是沒有出現(xiàn),我用的是ER28 不過此板是裸板.還有個(gè)問題你用的NCP1200哪個(gè)型號(hào)的.他們弄回來是NCP1200D6 其驅(qū)動(dòng)電流是110mA

如果沒記錯(cuò),1200是不需要VCC的

是可以不需要.但如果要待機(jī)功耗更低的話需加上,

有QQ嗎?這樣聊的方便點(diǎn)

不好意思,我這邊不能上QQ

MSN?

一樣的功率電流我也做過,但是是6841和1203的

估計(jì)是VCC電壓過高導(dǎo)致的,你可以先從低壓測(cè)試一下你的VCC情況

我的VCC電壓只有11.5V左右.要是太高的話,電源不容易過電流保護(hù).因?yàn)樗强繖z測(cè)VCC電壓保護(hù)的

測(cè)試時(shí),用示波器看看MOS的DS波形,是不是會(huì)出現(xiàn)很高的尖峰電壓.尤其是動(dòng)態(tài)的時(shí)候.

搞定沒有?是不是R3太小所致

你變壓器的匝比正確嗎?
為什么1200的供電VCC上要串那么大的電阻?(100ohm)記得我通常只用10ohm就夠了.是不是你變壓器匝數(shù)沒算對(duì),電壓太高了.
另外,你在1200輸出端,Q1的G極那顆R1上反并1顆1N4148試一下.
測(cè)試中,多抓一下1200的驅(qū)動(dòng)波形和MOSE/變壓器上的波形.
估計(jì)你變壓器沒做好.

為何不找供應(yīng)商FAE過來協(xié)助呢? 其實(shí)我司是有代理ON的產(chǎn)品,不過只在臺(tái)灣 國(guó)內(nèi)沒有安排人員!恕小弟無能為力!

我司國(guó)內(nèi)公司有代理通嘉電源管理IC:LD7575 / LD7535 / LD7522 / LD7520系列!應(yīng)用在5W~75W電源

如各位有需求請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我!

目前我們公司也在有做一款12V6A的電源同樣采用的是NCP1200D,不過還沒發(fā)現(xiàn)你所說的炸機(jī)現(xiàn)象,有以下幾點(diǎn)可供你參考,1.根據(jù)你所講的SENSE電阻都有死掉,所以我懷疑你的電源DS電壓肯定很高,所以變壓器圈數(shù)要重新調(diào)整,2.建議你在R1并連一個(gè)反向二極管(IN4148),3.可以在MOSFET S端對(duì)地接一個(gè)10K的電阻.

這芯片參數(shù)應(yīng)不能驅(qū)動(dòng)這樣高功率電路的,起碼MOSFET功耗大,芯片工作溫升高,請(qǐng)注意查看芯片資料;或外加驅(qū)動(dòng)電路.

hjjjjjj

此附件為L(zhǎng)D7552 Data sheet 應(yīng)用在30W~75W電源產(chǎn)品  
待機(jī)功耗在0.3W以下   請(qǐng)各位參考:

1147773151.pdf

樓主不厚道,有始無終

我現(xiàn)在做了一寬范圍輸入,15W/12V輸出的充電器,在低壓輸入時(shí)打嗝,隨著輸入電壓的調(diào)高,打嗝現(xiàn)象消失,而且隨著整機(jī)的溫度的提高,現(xiàn)象越是嚴(yán)重,不知道怎么回事,幫幫我啊

應(yīng)該是MOS的G端加對(duì)地接一個(gè)10K電阻吧!有利MOS加速關(guān)斷.