你的方向是錯誤的

IGBT生產(chǎn)廠商就那幾家

短路 10us 根本不可能(假設(shè)你220V以上)

你應(yīng)該是在電路著手

現(xiàn)在只有英飛凌 能有這樣的技術(shù)參數(shù)

仙童那些我都沒有看到，如果我要做VCE短路測試 那么電路必須要是納秒級別才能保護到

單管IGBT不適合做短路測試因為他不能像模塊檢測VCE方式來作保護其主要原因是 G 與 E 結(jié)構(gòu)與模塊有差異一但電流過大,他很快反應(yīng)到G腳上因此你很難依據(jù) I 與 VCE 關(guān)析來做保護另外單管還有一致命傷; 你一但超過使用電流他容易受傷一但受傷,他的 安全電流 將會下降,單管要做短路保護必須用另外思路完成

下列式頻是我們試驗 http://v.youku.com/v_show/id_XMjY2MDcxMjA0.html 注意影片最後波形

當(dāng)瞬間短路後 IGBT 承受電流相當(dāng)大,其儲能必須釋放,因為單管不像模塊有很大耗能承受力,這時如何輸通是一各重要課題,這就是我們研究方向

經(jīng)研究我們使用變頻耗能

下列有三]張照片給大家參考

這張是為了很好解釋我們多延遲幾週

這是把延遲取掉實際上應(yīng)用

從 上波形式把中點電壓與諧振電壓做比對,一但發(fā)生短路MCU通過中點波形(半橋或全橋)異常馬上把正常頻率輸出變成比較高頻率輸出,而不是馬上關(guān)閉IGBT,讓整體短路能可以釋放,短路儲能對整體諧振並沒增加多大變化

下列圖片就不採用釋能波形

大家可以看出瞬間短路後,既使你關(guān)閉IGBT其能量是原本的四倍以上

我們這是使用60N100 IGBT, 是使用數(shù)位方式(MCU演算方式)來進行運算

最後結(jié)論,你期望單管IGBT能像模塊方式,會有點困難

ps: 目前這技術(shù)只能適用在12KW下,超過此功率還有一些難度.

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