別聽人瞎說。出問題不要一味怪罪IC。要找到自己的問題。

抓下VS波形，如果板沒步好的話，振蕩波形超過5V，就容易把2118內(nèi)部DIODE擊穿。

這個驅(qū)動器我們已經(jīng)生產(chǎn)了一年多了，之前一直沒有問題，就是因?yàn)榻党杀?，換成散新的IR2118S ,才出現(xiàn)這個問題，我說芯片是針對市場上的散新貨而言的，并沒有說正品的IR2118此芯片有問題。

所以我說的是樓主，考慮是否買到了質(zhì)量不好的IR2118S

呵呵，解決問題出發(fā)點(diǎn)不同而已。

樓主明顯是板沒步好，或是吸收設(shè)計不好，VS端振蕩大，導(dǎo)致2118壞，因?yàn)?118VS到GND之間有個反向的DIODE，不能承受負(fù)5V的反壓。

解決問題不是全新和散新的問題，是要找到導(dǎo)致2118壞的根本原因，這才是鉆研技術(shù)的精神。

言語不當(dāng)之處請諒^-^

技術(shù)討論，言語不是問題，我說話也比較直。

我剛又看了下IR2118的datasheet,內(nèi)部電路沒有顯示VS與COM之間有個反向二極管。而且，我覺得此處應(yīng)該不會有反向耐壓只有5V的反向二極管存在吧？  上管導(dǎo)通的時候，VS腳對地電壓即為電源電壓，在此處加一反向耐壓只有5V的二極管似乎不可能。

而且，此板生產(chǎn)了不下3K的量了，PCB布線沒有動過，之前用全新原裝沒有問題，換散新后出現(xiàn)批量問題，再次更換原裝全新，再沒出現(xiàn)此問題。

datasheet并不能說明問題，只是一個簡單框圖而已。

如果你連高壓柵極驅(qū)動IC關(guān)于VS瞬間負(fù)壓都不了解的話，可見你的設(shè)計并沒有考慮這些因素在里面，所以你的設(shè)計是有缺陷的。

你只把問題簡單歸納成散新器件造成的，太籠統(tǒng)，你沒有再進(jìn)一步查明為什么會導(dǎo)致器件損壞。呵呵

IR有專門的文件詳細(xì)講解了如何處理這些細(xì)節(jié)，以及IC內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，以及造成IC鎖定或是損壞的原理。

對橋式驅(qū)動電路還是有一點(diǎn)點(diǎn)學(xué)習(xí)的。

你這么一說，我明白你說的是哪個二極管了。但是你表達(dá)有問題吧。你說的那個二極管應(yīng)該是場管柵極與漏極間的穩(wěn)壓二極管（或雙向）吧？那個二極管也不可能是5V的吧？這個得根據(jù)場管的驅(qū)動電壓在外面加的。

另外一個管就是自舉電容的隔離二極管了，但是那個管應(yīng)該是個快恢復(fù)二極管啊。也不存在電壓一說。

除了以上兩個二極管，我暫時想不出還是哪個地方有了。請指教。

這個電路應(yīng)該和IR2118類似

這是我做的電機(jī)驅(qū)動器。上面三個SO8的芯片便是IR2118.

散新件確實(shí)不行，全新件裝好，很好用。明天有空我測試一下VGS，具體波形可能忘了，但是當(dāng)時測試應(yīng)該是沒有問題的。

6顆大功率場效應(yīng)管在背面，VGS電壓為12V

呵呵，沒必要再討論了，我們根本沒說到一塊去。你對高壓柵極驅(qū)動IC的理解只停留在表面，如果你玩過大功率的話，你就能深刻體會。

簡單的說就是2118的VS與COM之間電壓無論如何不能超過-5V。玩轉(zhuǎn)HV MOSFET DRIVER關(guān)鍵就在于如何處理VS的瞬態(tài)負(fù)壓。IR官方網(wǎng)站有專門文件詳細(xì)講解這些技巧。

用全新原裝器件并不能掩蓋設(shè)計上的缺陷，只是說這個缺陷在散新器件上表現(xiàn)突出一些。

更多MOSFET信息

這個電路不是我的電路。此電路是某商業(yè)電調(diào)上面使用的。

理論上柵極電容越小越好，越能工作在更高頻率，此處確實(shí)不應(yīng)該加電容。

但是，在這個電路中，開關(guān)頻率在10K左右，作者加并聯(lián)電容，意在增加開通時間，降低場效應(yīng)管的開關(guān)應(yīng)力，這樣做的好處是能大幅提高抗干擾和抗過流能力，因?yàn)榇朔桨钢袑p耗及溫度不敏感，所以做出的折衷。

電路設(shè)計其實(shí)就某種折衷的過程，要根據(jù)實(shí)際情況。就像這個電容，理論上是萬萬不能加，但是實(shí)際呢，加上此電容在本電路中，得到的好處遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于壞處。

對驅(qū)動電路，不敢說玩轉(zhuǎn)，但至少能用我還是比較有把握的。

IR官網(wǎng)上是有關(guān)布線技巧文章的，但并沒有那么神秘，其實(shí)學(xué)過開關(guān)電源布線的人，應(yīng)該都有所了解。

我也覺得我們沒說到一塊去，我已經(jīng)很明確地指出我說的地方，是你沒有很明確的說出你所指的地方?；蛘吣惆严嚓P(guān)文檔貼出來我參考一下。

你說VS與COM間由于布線不對引起負(fù)壓大于5V，導(dǎo)致關(guān)聯(lián)的二極管損壞，我剛才量了幾個損壞的IR2118，VS與COM間并沒有像你說的擊穿或短路。

我又量了幾個好的IR2118，VS與COM之間也沒有所謂的所謂并聯(lián)的二極管，（不信你可以自己測量，還有datasheet,這么重要的地方，我相信IR不會不提）而且就算VS與COm間電壓加到電源電壓-12V，也沒有出現(xiàn)損壞情況，請作解釋，或貼出你所參考的資料出處。

我只是提出我的疑問，想搞明白，不想把問題放在這里，丟下結(jié)論誤導(dǎo)他人，請理解并指教

我有搭洞洞板實(shí)際測試過，頻率大于15K上升沿開始明顯變緩，開關(guān)損耗開始明顯增大，這種做法只適應(yīng)在某些特定的場合。

把四個并在柵極的電容取掉，就是一般的驅(qū)動電路了。

呵呵！

實(shí)際上并這個電容，跟調(diào)節(jié)柵極的串聯(lián)電阻是一個道理。

串聯(lián)電阻可以調(diào)節(jié)充放電電流，防止振蕩；并聯(lián)電容調(diào)節(jié)開通時間，減小開關(guān)管開通時承受的應(yīng)力，ΔIΔV會減小，這對EMI很有好處的。

哥們，不是說你功夫不行，是說你理念不行。

你現(xiàn)在不知道HV MOS DRIVER的最需要注重的技巧，不代表你以后不知道，我也不必再過多討論。

做技術(shù)的不能有半點(diǎn)敷衍，你能解釋為什么2118壞嗎？你的現(xiàn)象是散新2118壞，你沒給出最有力最有說服里的解釋出來，很籠統(tǒng)歸結(jié)為IC原因。一棒子跳過很多問題。

有IC原因，但是絕不能歸結(jié)成100%的IC原因。哪怕其它原因只占0.1%，你也得找出來，呵呵

我已經(jīng)指出VS腳的瞬態(tài)負(fù)壓是極其需要考慮的地方，你的問題是根本就不知道這點(diǎn)。還需要我說什么？

你認(rèn)為我誤導(dǎo)了你，我道歉哈。但愿你以后不要用金錢去為錯誤買單，呵呵

這論題就此打住，我閉嘴好啦，呵呵

您嚴(yán)重了?？赡芪冶硎鲇袉栴}。

既然你不肯仔細(xì)解釋VS腳負(fù)壓的問題，我再自己查查資料吧。

我理解你說的VS負(fù)壓是關(guān)斷的時候，布線電感與柵極電容放電，引起的電壓尖峰。

但是你說的二極管，我真找不到哪個地方。

還有，就我個人的案例，已經(jīng)確定了是散新的IR2118不行，不上電路，直接通電就是壞的，有的甚至VCC與GND都是短路的。

你好，我現(xiàn)在在做MOS管的驅(qū)動，選的是IRFP264（250V，38A）做開關(guān)管，不知這種管子用IR2118做驅(qū)動好么，因?yàn)槲乙郧皼]做個驅(qū)動，初學(xué)不太了解請指教，另外我前面是想用UC3724和UC3725做驅(qū)動，你看哪種好呢。

暈，談?wù)摰募壬羁逃帜：?，有些芯片本身質(zhì)量不合格，用在電路里面確實(shí)故障不斷，根據(jù)大多數(shù)規(guī)律而言，一個芯片的好壞與周圍電路關(guān)系實(shí)在是太密切了。尤其對于低壓場效應(yīng)管來說，反壓是致命的，即使是一個耐壓500V的IRF840場效應(yīng)管，只要g-s之間反壓超過20V 很容易擊穿報廢。

另外外部感應(yīng)過來的稍微高電壓，也可以使芯片內(nèi)部的場小效應(yīng)管擊穿。

大蝦你好，我是mos管驅(qū)動的菜鳥，剛剛開始玩這個，現(xiàn)在碰到的問題是驅(qū)動管IR2118只有VS端和COM端連接在一起時HO才有輸出，否則HO和VS間無電壓，請問是什么原因，手冊上VS和COM不需要連接呀，望請指點(diǎn)，謝謝