謝工：
你好！請問做一個低溫可控硅調(diào)光LED電源 （1*3W 3*1W） 用PI的哪個芯片最好。有什么要注意的地方，請指教。急用！！
做一個低溫可控硅調(diào)光電源 用PI的哪個芯片最好
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可以用LNKPL來做。
產(chǎn)品特性：
大幅簡化離線式LED驅(qū)動器
- 單級功率因數(shù)校正(PFC)及精確恒流(CC)輸出
- 無閃爍的相位控制可控硅調(diào)光
- 使用小容量的非寄生大容量電容，元件數(shù)量極少
- 完全省去控制環(huán)路補償
先進的性能特性
- 適合設計非隔離型反激式、降壓式及抽頭降壓式拓撲結(jié)構
- 快速啟動時間
- 頻率調(diào)制技術可極大縮減EMI濾波器的尺寸和成本
- 以低耗散直接檢測LED電流
先進的保護及安全特性
- 集成的725 V MOSFET允許使用小尺寸的大容量電容并提高功率水平
- 提供短路/反饋開環(huán)的鎖存關斷及輸出過壓保護
- 過載時自動重啟動保護
- 遲滯熱關斷保護
- 無論在PCB板上還是在封裝上，都保證高壓漏極引腳與其他所有引腳之間滿足高壓爬電要求
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@謝厚林
可以用LNKPL來做。產(chǎn)品特性：大幅簡化離線式LED驅(qū)動器單級功率因數(shù)校正(PFC)及精確恒流(CC)輸出無閃爍的相位控制可控硅調(diào)光使用小容量的非寄生大容量電容，元件數(shù)量極少完全省去控制環(huán)路補償先進的性能特性適合設計非隔離型反激式、降壓式及抽頭降壓式拓撲結(jié)構快速啟動時間頻率調(diào)制技術可極大縮減EMI濾波器的尺寸和成本以低耗散直接檢測LED電流先進的保護及安全特性集成的725VMOSFET允許使用小尺寸的大容量電容并提高功率水平提供短路/反饋開環(huán)的鎖存關斷及輸出過壓保護過載時自動重啟動保護遲滯熱關斷保護無論在PCB板上還是在封裝上，都保證高壓漏極引腳與其他所有引腳之間滿足高壓爬電要求
請問謝工，整個電源電路做成工作環(huán)境溫度低于零下-30度時，電源在設計中都要注意哪幾個關鍵元件的溫度特性。會影響調(diào)光性能嗎？電路調(diào)試中都要注意些什么問題？
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@謝厚林
可以用LNKPL來做。產(chǎn)品特性：大幅簡化離線式LED驅(qū)動器單級功率因數(shù)校正(PFC)及精確恒流(CC)輸出無閃爍的相位控制可控硅調(diào)光使用小容量的非寄生大容量電容，元件數(shù)量極少完全省去控制環(huán)路補償先進的性能特性適合設計非隔離型反激式、降壓式及抽頭降壓式拓撲結(jié)構快速啟動時間頻率調(diào)制技術可極大縮減EMI濾波器的尺寸和成本以低耗散直接檢測LED電流先進的保護及安全特性集成的725VMOSFET允許使用小尺寸的大容量電容并提高功率水平提供短路/反饋開環(huán)的鎖存關斷及輸出過壓保護過載時自動重啟動保護遲滯熱關斷保護無論在PCB板上還是在封裝上，都保證高壓漏極引腳與其他所有引腳之間滿足高壓爬電要求
最好給推薦個芯片，要做成3W的
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@謝厚林
可以用LNKPL來做。產(chǎn)品特性：大幅簡化離線式LED驅(qū)動器單級功率因數(shù)校正(PFC)及精確恒流(CC)輸出無閃爍的相位控制可控硅調(diào)光使用小容量的非寄生大容量電容，元件數(shù)量極少完全省去控制環(huán)路補償先進的性能特性適合設計非隔離型反激式、降壓式及抽頭降壓式拓撲結(jié)構快速啟動時間頻率調(diào)制技術可極大縮減EMI濾波器的尺寸和成本以低耗散直接檢測LED電流先進的保護及安全特性集成的725VMOSFET允許使用小尺寸的大容量電容并提高功率水平提供短路/反饋開環(huán)的鎖存關斷及輸出過壓保護過載時自動重啟動保護遲滯熱關斷保護無論在PCB板上還是在封裝上，都保證高壓漏極引腳與其他所有引腳之間滿足高壓爬電要求
謝工你好，有沒有403的樣板？403是不是和406一樣的電路？我要做7W的調(diào)光驅(qū)動。謝謝
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