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反激5V10A電源，溫度怎么那么高？

初級(jí)44×0.5mm，次級(jí)3×0.6×8mm，反饋8×0.35mm，PQ3220磁芯，電感量，75uH。主芯片CR6842T，AC220V效率81%，AC100V效率77%
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2010-10-26 16:35
大家好，有什么好的方法能再提高效率嗎？
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hk2007
LV.8
3
2010-10-26 16:40
@寂寞的鷹
大家好，有什么好的方法能再提高效率嗎？

這么大的輸出電流，得用上同步整流吧……

盡可能縮短輸出端的回路長度，也就是減少輸出端PCB的阻抗

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2010-10-26 16:44

這個(gè)電流貌似有點(diǎn)大。

減小漏感

換COOLMOS

用有源箝位試試

 

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2010-10-26 16:47
@寂寞的鷹
大家好，有什么好的方法能再提高效率嗎？
MOS換用電流再大點(diǎn)的，耐壓再高點(diǎn)，肖特基換個(gè)耐壓小點(diǎn)的LOW VF的，估計(jì)還能上個(gè)2，3個(gè)點(diǎn)吧，哈哈
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hk2007
LV.8
6
2010-10-26 16:50
@konglingzhi
MOS換用電流再大點(diǎn)的，耐壓再高點(diǎn)，肖特基換個(gè)耐壓小點(diǎn)的LOWVF的，估計(jì)還能上個(gè)2，3個(gè)點(diǎn)吧，哈哈

是的，二次側(cè)的壓降（主要是二極管VF、走線壓降）降低一些，效率就能提高不少了

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2010-10-26 17:11
@powercheng
這個(gè)電流貌似有點(diǎn)大。減小漏感換COOLMOS用有源箝位試試 

MOS用FQPF1060C，肖特基用2045三個(gè)并聯(lián)

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2010-10-26 17:12
@hk2007
是的，二次側(cè)的壓降（主要是二極管VF、走線壓降）降低一些，效率就能提高不少了
回路有點(diǎn)長，因?yàn)榘遄拥脑煨褪菆A形，而且要求能過UL認(rèn)證，我做了3K感覺，效果不太理想
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2010-10-26 17:14
@寂寞的鷹
回路有點(diǎn)長，因?yàn)榘遄拥脑煨褪菆A形，而且要求能過UL認(rèn)證，我做了3K感覺，效果不太理想
長期工作7A非常穩(wěn)定，10A情況下，工作了一個(gè)月，電源損壞，分析知是溫度過高造成
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liuhou
LV.9
10
2010-10-26 17:35
@寂寞的鷹
MOS用FQPF1060C，肖特基用2045三個(gè)并聯(lián)
5V10A用反激真不是什么好方法，干嗎不用正激啊，你那樣輸出電容得用多少個(gè)才夠啊。
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2010-10-26 17:38
@liuhou
5V10A用反激真不是什么好方法，干嗎不用正激啊，你那樣輸出電容得用多少個(gè)才夠啊。

2200uF/16V三個(gè)并聯(lián)

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2010-10-26 18:08
@寂寞的鷹
2200uF/16V三個(gè)并聯(lián)
不夠。
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2010-10-26 20:50
可以的話，次級(jí)用SiC二極管應(yīng)該可以提高不少效率了。
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hlp330
LV.9
14
2010-10-26 21:15
@高等數(shù)學(xué)
可以的話，次級(jí)用SiC二極管應(yīng)該可以提高不少效率了。

這么大的電流，用肖特基并聯(lián)不好，容易出現(xiàn)個(gè)別肖特基過熱損壞的現(xiàn)象。

為什么不用同步整流呢？

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ppfc_ctr
LV.6
15
2010-10-26 21:22
@寂寞的鷹
回路有點(diǎn)長，因?yàn)榘遄拥脑煨褪菆A形，而且要求能過UL認(rèn)證，我做了3K感覺，效果不太理想

需要提高效率的話，建議樓主可以在PCB布局上面下點(diǎn)功夫，多考慮一下大電流走線，減少電流環(huán)路包圍面積。并且把器件進(jìn)行優(yōu)化，選擇參數(shù)更好的二極管和MOS管等。

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ppfc_ctr
LV.6
16
2010-10-26 21:24
@ppfc_ctr
需要提高效率的話，建議樓主可以在PCB布局上面下點(diǎn)功夫，多考慮一下大電流走線，減少電流環(huán)路包圍面積。并且把器件進(jìn)行優(yōu)化，選擇參數(shù)更好的二極管和MOS管等。
輸出電流比較大，應(yīng)該盡可能的優(yōu)化次級(jí)各個(gè)器件的參數(shù)，減少器件上的壓降以及損耗等等
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konglingzhi
LV.6
17
2010-10-27 09:13
@寂寞的鷹
MOS用FQPF1060C，肖特基用2045三個(gè)并聯(lián)

肖特基用哪個(gè)牌子的？

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liuhou
LV.9
18
2010-10-27 11:09
@高等數(shù)學(xué)
可以的話，次級(jí)用SiC二極管應(yīng)該可以提高不少效率了。
用SiC？這個(gè)貴的很，一般在PFC級(jí)DIODE上用。還是加同步整流吧。
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jepsun
LV.9
19
2010-10-27 21:07
電流這么大，用了同步嗎？
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jepsun
LV.9
20
2010-10-27 21:08
@hlp330
這么大的電流，用肖特基并聯(lián)不好，容易出現(xiàn)個(gè)別肖特基過熱損壞的現(xiàn)象。為什么不用同步整流呢？
其實(shí)我認(rèn)為用肖特基并聯(lián)的效果不如單個(gè)的，當(dāng)然如果耐壓滿足的話。
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hlp330
LV.9
21
2010-10-27 21:31
@jepsun
電流這么大，用了同步嗎？

有時(shí)候?yàn)榱松?，也?huì)使用多個(gè)并聯(lián)，但是溫度要控制好，盡量保持一致，再就是LAYOUT要多加注意。

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jepsun
LV.9
22
2010-10-27 21:55
@hlp330
有時(shí)候?yàn)榱松?，也?huì)使用多個(gè)并聯(lián)，但是溫度要控制好，盡量保持一致，再就是LAYOUT要多加注意。

兩個(gè)肖特基并聯(lián)，他們兩個(gè)的溫度如何控制？輸出的電流都是一樣的。

 

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dolele
LV.4
23
2010-10-28 07:42
@jepsun
兩個(gè)肖特基并聯(lián)，他們兩個(gè)的溫度如何控制？輸出的電流都是一樣的。 
學(xué)習(xí)
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liuhou
LV.9
24
2010-10-28 08:52
@dolele
學(xué)習(xí)

就是要盡量要把兩個(gè)肖特其靠近一些。以使他們的溫度一致。

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hlp330
LV.9
25
2010-10-28 09:14
@liuhou
就是要盡量要把兩個(gè)肖特其靠近一些。以使他們的溫度一致。
在LAYOUT也要注意，保持線路的走向盡量一致。
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bpyanyu
LV.8
26
2010-10-28 10:54
總功率才50W采用反激應(yīng)該沒啥問題，可以考慮用準(zhǔn)諧振的芯片試試降低初級(jí)損耗，次級(jí)一定要用同步整流，要是嫌麻煩的話可以考慮一下飛兆的FSR510這個(gè)是集成MOS的同步整流芯片，我也沒用過只是看過資料。采用QR+SR的話應(yīng)該能到85%以上吧
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2010-10-28 15:52
@konglingzhi
肖特基用哪個(gè)牌子的？
ON
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2010-10-28 15:52
@jepsun
電流這么大，用了同步嗎？

沒有

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songxium
LV.7
29
2010-10-28 16:36

電流比較高，你的整流管用多大的。

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hlp330
LV.9
30
2010-10-28 17:39
@songxium
電流比較高，你的整流管用多大的。

這種低壓大電流的，反激不是很好做。

成本問題又必須用反激，可以考慮QR+同步整流。

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jepsun
LV.9
31
2010-10-28 17:50
@hlp330
在LAYOUT也要注意，保持線路的走向盡量一致。
那萬一兩個(gè)肖特基的VF不一致，那豈不是又不同了？
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