請教一下MOSFET規(guī)格參數(shù)Ear Eas的理解,和使用rating的問題.

各位前輩在使用MOSFET時,Vds上的電壓有嚴格小于 Vdss嗎??

MOSFET關斷時 Vds上的spike 略超過Vdss是否就是危險的?

如何理解Ear Eas的定義,有了這兩個規(guī)格,spike電壓是不是可以無限超Vdss呢?

因為我有嘗試著去計算Ear,發(fā)現(xiàn)spike超過很多的情況,Ear仍是安全的.

關鍵詞：MOSFET

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jerry_odm

LV.2

2009-10-28 17:17

自己頂頂,

希望盡快有人有空回答我的疑問啊:)

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命運寵愛

LV.3

2009-12-01 10:54

VDS是規(guī)格書上給你的最大額定工作電壓,在使用的時候最好不要超過這個電壓,當然了,你超過一點點也有可能會沒有問題,因為器件生產(chǎn)商會留有大約10%的余量的.

關斷的時候浪涌電壓不超過額定電壓就基本沒有危險,超過額定電壓而不達到擊穿電壓這時候有可能有危險,但是超過擊穿電壓就一定會雪崩擊穿.

使用的時候可以參照器件datasheet給出的SOA,使用的范圍盡量限制在SOA之內(nèi).

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命運寵愛

LV.3

2009-12-01 10:58

EAR和EAS是MOSFET的雪崩耐量的兩個值:EAS指的是單脈沖雪崩能量,EAR指的是重復脈沖雪崩能量.

在雪崩的時候,flyback產(chǎn)生的電壓會超過額定電壓值,因為這個時候的break voltage大于額定電壓.

關鍵詞：MOSFET

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jerry_odm

LV.2

2009-12-01 11:24

@命運寵愛

VDS是規(guī)格書上給你的最大額定工作電壓,在使用的時候最好不要超過這個電壓,當然了,你超過一點點也有可能會沒有問題,因為器件生產(chǎn)商會留有大約10%的余量的.關斷的時候浪涌電壓不超過額定電壓就基本沒有危險,超過額定電壓而不達到擊穿電壓這時候有可能有危險,但是超過擊穿電壓就一定會雪崩擊穿.使用的時候可以參照器件datasheet給出的SOA,使用的范圍盡量限制在SOA之內(nèi).

謝謝命運寵愛

所謂的擊穿電壓是指哪個spec 參數(shù)啊?

"超過額定電壓而不達到擊穿電壓這時候有可能有危險,但是超過擊穿電壓就一定會雪崩擊穿"

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