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MOS管的導(dǎo)通電阻真的很重要嗎?

我有一款小電源 (3843 反激),效率不高,有人說換成低內(nèi)阻的MOS開關(guān)管會提高效率!

我在想,限流采樣電阻的阻值比MOS管的導(dǎo)通電阻大多了,單單采用低內(nèi)阻管子,能提高效率嗎?
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fei90
LV.7
2
2005-09-29 14:57
我也有樓主同樣的困惑!哪位前輩能給我們指點(diǎn)指點(diǎn)
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LV.1
3
2005-09-29 15:29
感覺有關(guān).
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hxzlz
LV.3
4
2005-09-29 15:36
導(dǎo)通電阻影響效率是肯定的.但往往ZVS、ZCS及同步整流技術(shù)在提高效率上更加重要.這些技術(shù)往往會增加電路的復(fù)雜程度.
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2005-09-29 15:48
效率不高有很多原因的!mosfet的導(dǎo)通電阻只是一個原因,還有很多開關(guān)損失之類的!
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fei90
LV.7
6
2005-09-29 15:49
@hxzlz
導(dǎo)通電阻影響效率是肯定的.但往往ZVS、ZCS及同步整流技術(shù)在提高效率上更加重要.這些技術(shù)往往會增加電路的復(fù)雜程度.
我的限流采樣電阻用0.22R的怎麼都不行,用0.68R的反倒可以正常工作,加MOSR內(nèi)阻1.2R ,總共是1.42R,那電阻不是更大了嗎?怎麼還能正常工作呢?那豈不是與內(nèi)阻沒多大的關(guān)系了嗎?????怎麼也想不明白?????????????????
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jacki_wang
LV.11
7
2005-09-29 16:42
其實(shí)你要是子細(xì)看規(guī)格你就不會有這樣的想法了,還有就是降低內(nèi)阻至少會有幫助的.
最好的辦法就是換一個來做對比就什麼都明白了,呵呵.
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tase
LV.5
8
2005-09-30 10:25
@jacki_wang
其實(shí)你要是子細(xì)看規(guī)格你就不會有這樣的想法了,還有就是降低內(nèi)阻至少會有幫助的.最好的辦法就是換一個來做對比就什麼都明白了,呵呵.
真不好意思,連王兄都驚動了!
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jacki_wang
LV.11
9
2005-09-30 11:08
@tase
真不好意思,連王兄都驚動了!
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/33/1128049665.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">咋能這樣說呢
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莫等閑
LV.5
10
2005-09-30 13:45
@jacki_wang
[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/33/1128049665.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">咋能這樣說呢
呵呵,看來敬重jacki的人真不少!
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劍心
LV.8
11
2005-09-30 18:21
@jacki_wang
其實(shí)你要是子細(xì)看規(guī)格你就不會有這樣的想法了,還有就是降低內(nèi)阻至少會有幫助的.最好的辦法就是換一個來做對比就什麼都明白了,呵呵.
降低內(nèi)阻的代價是加大柵電容,速度更慢、開關(guān)損耗更大
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1314168
LV.8
12
2005-09-30 21:19
@劍心
降低內(nèi)阻的代價是加大柵電容,速度更慢、開關(guān)損耗更大
看通過電流的大小,小電流無所謂.
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jacki_wang
LV.11
13
2005-09-30 21:33
@劍心
降低內(nèi)阻的代價是加大柵電容,速度更慢、開關(guān)損耗更大
那是驅(qū)動的問題,不要把問題混在一起談啊.
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qaz33510
LV.9
14
2005-10-01 12:21
@jacki_wang
那是驅(qū)動的問題,不要把問題混在一起談啊.
我想劍心兄弟的意思是不要只看Rds(on),還要考慮Qgd, 這是MOS的結(jié)構(gòu)問題,一般來說,Qgd和Rds(on)是一個矛盾.
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xiaoya
LV.2
15
2005-10-02 10:23
@qaz33510
我想劍心兄弟的意思是不要只看Rds(on),還要考慮Qgd,這是MOS的結(jié)構(gòu)問題,一般來說,Qgd和Rds(on)是一個矛盾.
同意
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luosijun
LV.2
16
2005-10-03 18:26
好看你的輸出功率,太大就不行了,MOS發(fā)熱很重,效率也就很低,如果限流電阻真的比導(dǎo)通電阻大很多,那就沒有什么作用了,但實(shí)際限流電阻是不會很大才對
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2005-10-03 20:37
@劍心
降低內(nèi)阻的代價是加大柵電容,速度更慢、開關(guān)損耗更大
開關(guān)電源,損耗多集中在"開"和"關(guān)"上.
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jundz
LV.8
18
2005-10-04 10:51
關(guān)注中......
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frank
LV.8
19
2005-10-04 17:35
@jundz
關(guān)注中......
拿開關(guān)管Rds(on)和限流電阻這樣去比較
有創(chuàng)意

效率差就是損耗大了
而開關(guān)管的損耗又是其中重要的一環(huán)
如果你去解開關(guān)管的損耗的關(guān)系
就知道小Rds(on)會有好的效率表現(xiàn)的原因了
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