近幾年新能源車發(fā)展迅猛，技術(shù)創(chuàng)新突飛猛進。如何設(shè)計更高效的牽引逆變器使整車獲得更長的續(xù)航里程一直是研發(fā)技術(shù)人員探討的最重要話題之一。高效的牽引逆變器需要在功率、效率和材料利用率之間取得適當?shù)钠胶?。當前新能源汽車牽引逆變器的功率半導體器件幾乎都是基于單一的硅基(Si) 或者碳化硅基（SiC）。Si IGBT 或?qū)拵?SiC MOSFET功率半導體具有不同的性能特點，可以適合不同的目標應(yīng)用。單一性質(zhì)的IGBT器件或SiC器件在逆變器應(yīng)用中很難同時滿足高效和成本的要求。
在探討新能源車的牽引逆變器功率器件首選是SiC還是Si 器件之前，我們先簡單對比SIC MOSFET 和 IGBT 基本特性：從導通特性看，由于不同的物理結(jié)構(gòu)，IGBT與SIC MSOFET具有不同的輸出特性曲線，如下圖所示。SiC MOSFET導通特性表現(xiàn)得更像一個電阻輸出特性，而IGBT 則表現(xiàn)出一個非常明顯的拐點(Knee Voltage)特性。這種技術(shù)上的差異即表現(xiàn)出兩種器件不同的導通損耗特點。在電流較小時，SiC mosfet 具有更小的導通損耗，當電流較大（超過曲線交點）時，IGBT 的導通損耗則更小。 從開關(guān)特性看，IGBT屬于雙極性器件，在關(guān)斷時由于少子的復合肯定會造成拖尾電流，使其開關(guān)損耗特性較差。而SiC MOSFET具有更快的開關(guān)速度，且沒有拖尾電流, 所以其開關(guān)損耗對比IGBT具明顯優(yōu)勢。
SiC MOSFET器件并不是在所有負載條件下，都具有壓倒性的性能優(yōu)勢。這也就很容易理解在選擇SiC mosfet 還是Si IGBT 時需要考慮一個盈虧平衡點。
