目前在做一款60W反激式電源 :12V/4.25A,5V/2A. 在測(cè)試輻射無(wú)法通過(guò),請(qǐng)各位
高手們看看: (附件:線路圖,Layout,EMI輻射測(cè)試圖)
變壓器是三明治繞法: 初級(jí)-屏蔽-次級(jí)并繞(12V疊繞)-屏蔽-初級(jí)-輔助.
圈比: 50:4:9, L:650uH.
在測(cè)試時(shí)試過(guò)在Y電容,高壓二極體,開(kāi)關(guān)MOS加CORE,二極體換慢管,驅(qū)動(dòng)電阻加大到75歐姆,最好的結(jié)果如文件測(cè)試圖.
客戶(hù)要求最好有6db余量,目前有4個(gè)點(diǎn)較高,各位看看有什么建議.... 1593811228446584.doc
EMI 問(wèn)題求助 (附圖) !!!
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@zsm000
CE的過(guò)了,現(xiàn)在RE的沒(méi)過(guò).搭配LCDTV測(cè)的,不管是不是系統(tǒng)的都得壓下去啊.
從你這個(gè)輻射波形上可以看出應(yīng)該在輸出端引起.
我的經(jīng)驗(yàn)判斷一般:
30---50MHZ
普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,
可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.
100---200MHZ
普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠
建議你可以試試我的方法,或者在你的負(fù)載DC線卡一個(gè)大磁環(huán),哪個(gè)很方便的.
你可以試試,有具體問(wèn)題在討論!
我的經(jīng)驗(yàn)判斷一般:
30---50MHZ
普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,
可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.
100---200MHZ
普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠
建議你可以試試我的方法,或者在你的負(fù)載DC線卡一個(gè)大磁環(huán),哪個(gè)很方便的.
你可以試試,有具體問(wèn)題在討論!
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@太陽(yáng)の光
從你這個(gè)輻射波形上可以看出應(yīng)該在輸出端引起.我的經(jīng)驗(yàn)判斷一般:30---50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.100---200MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠建議你可以試試我的方法,或者在你的負(fù)載DC線卡一個(gè)大磁環(huán),哪個(gè)很方便的.你可以試試,有具體問(wèn)題在討論!
謝謝,我這兩天就去測(cè)試,有結(jié)果再回復(fù)上來(lái).
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@abing
在我的測(cè)試中,開(kāi)始時(shí)我也是加磁珠,輸入與輸出都加,效果很好,但我的產(chǎn)品很小不允許這樣加,后來(lái)只改變了電容位置就可以了,從理論上應(yīng)可以這樣分析電源本身有較大電壓電流變化率,產(chǎn)生了向空間輻射的電磁波,在輸入與輸出加磁珠相當(dāng)于破壞了它的發(fā)射天線,而改PCB可以直接降低干擾的產(chǎn)生.兩種方法都可以達(dá)到減小干擾的目的.
問(wèn)下,你是怎么測(cè)試出是哪部分或哪個(gè)零件的LAYOUT出問(wèn)題的?我現(xiàn)在改輻射一般都是加CORE.我也想改改LAYOUT,但是沒(méi)什么概念.
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@michael1
OB2269,最好頻率不要用在65K 55K就是好了,1.可以在D002處并一個(gè)681的電容,不需要用IN40072.驅(qū)動(dòng)電阻改到100歐左右3.還有你的接地二個(gè)Y電容為什么一個(gè)接共模前面,一個(gè)接共模后面呀,需要統(tǒng)一嘛.
我有個(gè)電源是12V1A的(TH201方案)帶假負(fù)載還有6個(gè)以上的余量.但是一和貓接起來(lái)就好的只有2個(gè),差的就超了.是在700K那有一個(gè),在3M那還有一個(gè),同時(shí)還發(fā)現(xiàn)和電源AC端的線有相當(dāng)大的關(guān)系(國(guó)標(biāo)臥式的殼子)打開(kāi)殼子不讓板架在AC線上就好了,加銅皮在AC插腳和PCB之間也好了,這是怎么回事?
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@michael1
OB2269,最好頻率不要用在65K 55K就是好了,1.可以在D002處并一個(gè)681的電容,不需要用IN40072.驅(qū)動(dòng)電阻改到100歐左右3.還有你的接地二個(gè)Y電容為什么一個(gè)接共模前面,一個(gè)接共模后面呀,需要統(tǒng)一嘛.
OB2269剛開(kāi)始用,65k是FAE建議的,改成55K有什么說(shuō)法嗎?
我的開(kāi)關(guān)MOS溫度有些高了,驅(qū)動(dòng)電阻不敢再改大.
Y電容這樣放是為了省出空間出來(lái),是參考別家樣品.
我在電子負(fù)載測(cè)試這樣會(huì)影響輸出紋波,對(duì)EMC影響還沒(méi)試,不過(guò)開(kāi)始測(cè)傳導(dǎo)是過(guò)了.
我的開(kāi)關(guān)MOS溫度有些高了,驅(qū)動(dòng)電阻不敢再改大.
Y電容這樣放是為了省出空間出來(lái),是參考別家樣品.
我在電子負(fù)載測(cè)試這樣會(huì)影響輸出紋波,對(duì)EMC影響還沒(méi)試,不過(guò)開(kāi)始測(cè)傳導(dǎo)是過(guò)了.
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