很歷害，你的全橋諧振柘樸，做到40KW技術(shù)含量非常高，也非常難。

我在測(cè)試的時(shí)候發(fā)現(xiàn)全橋諧振結(jié)構(gòu)做20KW以上的大功率時(shí)有個(gè)缺點(diǎn)是，在接近諧振點(diǎn)附近時(shí)，功率抖動(dòng)非常大，很容易進(jìn)入容性區(qū)間，我是用MCU控制的，可能算法缺陷，來(lái)不及響應(yīng)，不知道專(zhuān)用芯片會(huì)不會(huì)好些。

有種雙向DC-DC類(lèi)半橋柘樸，我做了好多年實(shí)驗(yàn)測(cè)試，它做雙向隔離轉(zhuǎn)換特別好，準(zhǔn)備申請(qǐng)專(zhuān)利時(shí)，發(fā)現(xiàn)它在2020年被美國(guó)通用申請(qǐng)專(zhuān)利了。

明天我貼一下通用的雙向DC-DC隔離轉(zhuǎn)換柘樸的專(zhuān)利

我另外也做了兩種雙向隔離轉(zhuǎn)換，一種是DC-DC隔離轉(zhuǎn)換，沒(méi)有大功率測(cè)試負(fù)載，只簡(jiǎn)單測(cè)試了一下原理，現(xiàn)在正在設(shè)計(jì)DC-AC雙向隔離逆變轉(zhuǎn)換

樓主做大功率的電源，可以了解下碳化硅MOSFET,謝謝

非常好的帖子

你好這個(gè)可以賣(mài)產(chǎn)品了嗎？

3KW雙向逆變電源有能批量生產(chǎn)的嗎？QQ:1455014144

太貴，什么時(shí)候降價(jià)到和igbt差不多就市場(chǎng)大了

這個(gè)使用什么MCU做的？算法，浮點(diǎn)，環(huán)路，響應(yīng)等非常重要，兩相做這么大功率控制不好穩(wěn)定性堪憂(yōu)

這個(gè)管子用的是什么型號(hào)

大功率肯定是用IGBT，抗沖擊這一塊，IGBT比MOS管好。