你這個比較詭異的地方就是為什么橋后面的銅箔會炸呢？是線細了還是？

如果只是單純的橋損壞可以考慮橋的質(zhì)量問題。

輸入沒有串電阻比較容易炸橋堆

圖片里面有熱敏

你確定只有橋堆損壞，其他元器件都沒壞？

只有橋堆損壞，一是看橋堆的品質(zhì)，二是橋堆用小了，你這是多少W的也沒說

用于20W電源  用的2A 1000V的橋 60芯片的。國產(chǎn)的橋堆，壞料退回原廠測試是沒問題的芯片是60芯片。老化過程不良率有千分之四。

理論上這個芯片不會有問題 是不是產(chǎn)品質(zhì)量問題就不好說了

橋內(nèi)部芯片小了，I^2t過小，工作溫度過高。

換大點的，覆銅鐵板加強散熱

可以試一試68MIL芯片的ABS210 強茂的 公牛 松下 小米 華為 這些都在用Q1059240518

這么黑一片只壞了橋？

我認為這個是橋堆反向恢復時候電流過大，導致發(fā)熱炸的；親測某LED燈廠的產(chǎn)品，輸入端L線串了只保險電阻直接輸入到橋堆；在客戶的老化臺上測產(chǎn)品外殼都有54度，橋堆內(nèi)部結(jié)溫肯定不止；后來拿了一些產(chǎn)品回來10幾只一起老化溫度比單只老化溫度要高好幾度，外殼溫度也沒有他們工廠大批量老化時候溫度高（差20度左右吧），我們實驗室測的反向電流10幾只一起老化時是單只產(chǎn)品老化時的7-8倍有90mA左右，這么大的反向恢復電流產(chǎn)生的熱量一段時間后累積肯定受不了，這個應該和橋堆反向恢復時間有關(guān)，市面上普通整流橋反向恢復時間普遍在600-1400ns左右，可能就是由于設計的標準不一樣，所以不同品牌的可能A家炸了B家不炸，客戶也不讓我們到他們生產(chǎn)線做測試，以上是我實驗后推測的,說的不對請手下留情，后面附一張客戶的產(chǎn)品圖片，藍色的是500V的壓敏

使用的是MB10FU，50mil芯片，允許電流1A/峰值電流30A；客戶產(chǎn)品電流140mA；

這種情況單換橋是不行的,要找到根本原因.要了解是開關(guān)沖擊撲街的還是常開炸機的.開關(guān)沖擊撲街電解和橋的應力匹配相當重要.

嘗試整流橋后并電容，把高頻信號濾掉

可能是橋抗沖擊電流的能力太弱了，輸入端的保險電阻加大一點看有沒有效果？

樓主問題解決了嗎？

其實正向電流也不大0.7左右

IR反向漏電流過大（VRAM反向擊穿電壓過小）造成，可以用晶體管特性儀QT2測來料未貼片橋堆1000臺可發(fā)現(xiàn)此不良，良品反向擊穿電壓在1400V左右。