不錯，樓主有測試板原理圖嗎？

帶載測試   CH1測試C1兩端電壓，CH2輸入電流波形    由圖可見母線電壓的波動頻率為100Hz 波動值為18V

為了方便測試MOSFET的驅(qū)動波形和Vds波形，在PCB反面引腳上焊接測試針。如下圖所示：

空載輸出時測試驅(qū)動波形Vgs波形和輸出電壓交流分量，可見間歇驅(qū)動模式：

展開輕載狀態(tài)的驅(qū)動波形：

上述波形可知測試驅(qū)動頻率52kHZ

空載時脈沖簇

空載時驅(qū)動波形和Vds波形：

右上圖可見VDS電壓CH4在谷底時驅(qū)動信號開始上升，滿足準(zhǔn)諧振的過程。降低開關(guān)管道同時刻的VDS電壓，來減小開通損耗。

下面是帶載時驅(qū)動波形和Vds波形：

Vds電壓從432V跌落到176V后開關(guān)管導(dǎo)通。從驅(qū)動信號上升到開關(guān)管完全導(dǎo)通時間約100ns。

今天測試了負(fù)載變化時驅(qū)動波形的變化情況：

上圖為負(fù)載1.89A時 MOSFET的DS電壓波形

上圖為負(fù)載1.53A時 MOSFET的DS電壓波形

上圖為負(fù)載1.29A時 MOSFET的DS電壓波形

上圖為負(fù)載1.1A時 MOSFET的DS電壓波形

上圖為負(fù)載0.94A時 MOSFET的DS電壓波形

上圖為負(fù)載0.83A時 MOSFET的DS電壓波形

上圖為負(fù)載0.1A時 MOSFET的DS電壓波形

負(fù)載電流小于0.83A以下波形相近,驅(qū)動信號的上升沿之前有6個波峰。

之前測試都是在上一位工程師的基礎(chǔ)上，使用MOS我用的nce80t420f的OSFET見

http://m.zjkrx.cn/bbs/2453833.html?tdsourcetag=s_pcqq_aiomsg

下面更換為原裝英飛凌的IPA95R450P7測試正常，驅(qū)動波形如下。

為了測試方便，新焊接MOSFET引腳未剪短，可用示波器探頭測試用。

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.2A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.31A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.41A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.5A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.62A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.72A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載0.83A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載1.01A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載1.31A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載1.41A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載1.59A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載1.9A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

上圖輸出電壓測試18.9V  負(fù)載2.13A時 MOSFET 的Vds（CH3）和Vgs（CH4）波形

MOS的吸收二極管換成1n4007（或M7）試一下，開關(guān)波形會好很多

1N4007（M7）普通整流二極管。。能夠做吸收二級管嗎？

RCD吸收二級管需要高速的，你別誤導(dǎo)人家！??！

RCD吸收二極管用M7會改善米勒平臺的震蕩；同時對EMI有好處。關(guān)于二極管的溫度，調(diào)整RC阻值容量就可以了（在合理的尖峰電壓范圍內(nèi)調(diào)整）

把功率管換成1500V的，再把變壓器的匝數(shù)增加，是不是就能用于500V直流輸入電壓的？三項交流整流后的電壓。