我最近在調(diào)試一款用光耦反饋的全橋dcdc電源，做負(fù)載階躍時(shí)，發(fā)現(xiàn)常溫時(shí)，躍變幅值約280mV，而高溫85度時(shí)，躍變幅值增加到400mV。我想降低高溫時(shí)，負(fù)載躍變幅值到350mV。我用100度熱風(fēng)*吹正常工作的dcdc電源上的器件，發(fā)現(xiàn)當(dāng)吹到光耦時(shí)，負(fù)載躍變值增加到400mV，吹其他器件沒有多大變化。因此，推測(cè)是高溫時(shí)，光耦的CTR下降，從而導(dǎo)致系統(tǒng)的增益下降，進(jìn)而負(fù)載躍變幅值增大。我不知道我的推測(cè)對(duì)不對(duì)？如果是這個(gè)原因，那么我該調(diào)節(jié)哪里參數(shù)來提供光耦在高溫下的CTR呢？比如更換更高的CTR的光耦，提高IF值，還是增大影響以系統(tǒng)增益的其他電阻阻值？煩請(qǐng)高手點(diǎn)播。