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在電源設(shè)計(jì)中，其實(shí)縮短開關(guān)mos的tr（開啟上升時(shí)間），tf（關(guān)閉下降時(shí)間）很簡單。復(fù)雜的事是怎么抑制mos開通上升斜率或關(guān)斷下降斜率加快后帶來的EMC問題。很多項(xiàng)目工程師在調(diào)試樣品的時(shí)候?yàn)榱颂岣咝拾裻r，tf縮短，但在EMC測試后又不得不把tr，tf加長。

主要是Qg-d，最直觀的就tr（開啟上升時(shí)間），tf（關(guān)閉下降時(shí)間）。

時(shí)代會(huì)有進(jìn)步的。

是的

SiC與Si性能對比SiC主要在以下3個(gè)方面具有明顯的優(yōu)勢為:1、擊穿電壓強(qiáng)度高（約10倍于Si）2、更寬的禁帶（約3倍于Si）3、熱導(dǎo)率高（約3倍于Si）。 高溫工作特性，SiCMOSFET比SiMOSFET更適合應(yīng)用于高溫工作環(huán)境，原因在于一方面SiCMOSFET自身損耗小，發(fā)熱量小，自身溫升相對較小，另一方面，熱導(dǎo)率高3倍于SiMOSFET。  

請問諧振電感怎么實(shí)現(xiàn)，怎么控制？

MLCC電容容量根部就做不大吧。

不懂就不要亂說。加了線就一定電感量加大嗎？氣隙加長點(diǎn)行不？

我實(shí)測是100K-165K之間變化的。負(fù)載不同，輸入電壓不同的變化。