圖騰柱推不起來(lái)P溝道MOS,都快愁死了
各位神人，我做一塊PCB板，已經(jīng)調(diào)試了3天了，板子不復(fù)雜，但是達(dá)不到效果。STM8的PWM頻率為50K,占空比10%，單片機(jī)供電為5V，三極管和PMOS供電為30V, VOUT用示波器觀察永遠(yuǎn)都是30V,我測(cè)試了TP點(diǎn)，發(fā)現(xiàn)高電平只有4.2V,永遠(yuǎn)達(dá)不到使PMOS關(guān)閉的30V左右，求各位幫忙解決下，我一直在線，謝謝（板子和這個(gè)圖一模一樣的）
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@juntion
請(qǐng)你把圖騰柱這樣改[圖片]因?yàn)槟愕腗CU輸出耐壓只有5V,你直接連電晶體的B,則High信號(hào)直接由PNP_B灌入MCU,產(chǎn)生漏電被箝位....還有後端驅(qū)動(dòng)P-Mosfet_G_S最好箝位一下,因?yàn)長(zhǎng)owAvtive時(shí),VGS會(huì)達(dá)30V,對(duì)MOSFET有危險(xiǎn)換這電路後, 輸出被反向所以你MCU輸出也必須反向一次............
版主您好，利用午休時(shí)間我按照你的圖焊接成如圖所示，現(xiàn)在TP點(diǎn)可以達(dá)到30V左右電壓，但是VOUT用示波器看還是始終為30V的直流電，而不是幅值為30V的波形，另外那個(gè)150K的上拉去不去掉都是一個(gè)效果，
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@小雞燉蘑菇
版主您好，利用午休時(shí)間我按照你的圖焊接成如圖所示，現(xiàn)在TP點(diǎn)可以達(dá)到30V左右電壓，但是VOUT用示波器看還是始終為30V的直流電，而不是幅值為30V的波形，另外那個(gè)150K的上拉去不去掉都是一個(gè)效果，[圖片]請(qǐng)版主指點(diǎn)下，
1). R4用到330K太大, 你30V輸入用10K就好
2). Q1你先用一顆K級(jí)電阻由MOSFET_D直接下地, 當(dāng)負(fù)載電阻
3). R1, D3 , R2 就直接拿掉.....把P_MOSFET_G 直接連到TP 點(diǎn)
4). 圖騰柱PNP做箝位改成如下
測(cè)試很簡(jiǎn)單, 用聶子或?qū)Ь€, 對(duì)前端授MCU驅(qū)動(dòng)電晶體_C_E短路或放開(kāi), Q1 就會(huì)跟著動(dòng)作
若Q1 讓OUT 一直保持有輸出, 那你短路G-S, 若還有輸出, 那看是你極性反了(D-S)或那顆MOSFET掛掉
因?yàn)镚-S短路, 則D-S不可能會(huì)導(dǎo)通, 除非是反向二極體的緣故....
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@juntion
1).R4用到330K太大,你30V輸入用10K就好2).Q1你先用一顆K級(jí)電阻由MOSFET_D直接下地,當(dāng)負(fù)載電阻3).R1,D3,R2 就直接拿掉.....把P_MOSFET_G直接連到TP點(diǎn)4).圖騰柱PNP做箝位改成如下[圖片]這樣等於直接驅(qū)動(dòng),所以High電位趨於30V,Low電位趨於20V(由穩(wěn)壓管將電位了近10V).....測(cè)試很簡(jiǎn)單,用聶子或?qū)Ь€,對(duì)前端授MCU驅(qū)動(dòng)電晶體_C_E短路或放開(kāi),Q1就會(huì)跟著動(dòng)作若Q1讓OUT一直保持有輸出,那你短路G-S,若還有輸出,那看是你極性反了(D-S)或那顆MOSFET掛掉因?yàn)镚-S短路,則D-S不可能會(huì)導(dǎo)通,除非是反向二極體的緣故....
版主，您好，我現(xiàn)在改板子了，PCB現(xiàn)在出來(lái)了，但是頻率不能超過(guò)10K,如果超過(guò)10K，TP1，TP2用示波器測(cè)得波形凌亂，連矩形波的輪廓，都出不來(lái)降低頻率到10K以下就可以，請(qǐng)幫忙分析下，謝謝！
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