為什么InnoSwitch-CH在SR FET上并聯(lián)肖特基二極管會(huì)提升效率?以INN2023K設(shè)計(jì)的10 W恒壓/恒流USB充電器為例子,實(shí)驗(yàn)采用了沒有并聯(lián)肖特基二極管和并聯(lián)肖特基二極管兩種測試,可以看到效率在并聯(lián)肖特基二極管時(shí)候明顯提升了,這是什么原因?是不是設(shè)計(jì)時(shí)候在SR FET上都最好并聯(lián)上肖特基二極管,但是我看參考設(shè)計(jì)上都沒有這個(gè)二極管啊,怎么回事?可加可不加么?