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各開關(guān)周期在初級(jí)功率MOSFET的漏極電流達(dá)到器件的電流限流值時(shí)終止

在功率MOSFET導(dǎo)通后，前沿消隱電路會(huì)將電流限流比較器抑制片刻

電流限流狀態(tài)調(diào)節(jié)器在中輕度負(fù)載條件下以非連續(xù)方式降低電流限流閾值

鎖存復(fù)位的方式是將初級(jí)旁路電壓降到復(fù)位閾值電壓以下

與電阻并聯(lián)的齊納二極管通常用于檢測(cè)初級(jí)偏置繞組是否存在過(guò)壓

負(fù)載閾值提高輸入電壓閾值和并降低脈沖串模式下的輸出紋波

鋸齒波的上坡取決于功率轉(zhuǎn)換電路所提供的電流與負(fù)載吸收的電流之間的差異

脈沖串模式控制類似于一個(gè)遲滯控制器，其鋸齒波頂端和底端由反饋環(huán)路增益進(jìn)行固定

忽略突發(fā)脈沖串開始時(shí)的初始輸出紋波尖峰，輸出紋波有點(diǎn)像一個(gè)鋸齒波

時(shí)間常數(shù)不得在正常工作頻率下造成電流檢測(cè)信號(hào)的明顯衰減