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mos管GS極被擊穿了，求助

QQ截圖20160623210313

如圖，KEY和V+同時(shí)上電大約50-70V，mos管后面的負(fù)載為開關(guān)電源。一上電mos管GS極就被擊穿了，穩(wěn)壓管也被擊穿了，誰能幫我分析下是什么原因呢？圖中的GND1會(huì)晚于KEY和V+介入GND，GND1和GND之間有mos管，key上電后靠軟件打開GND1和GND之間的mos管。求大神幫我分析下?lián)舸┑脑颉?/span>

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2016-06-23 21:55

1 可能是C23的問題

2 可能是上電后，沖擊電流太大把MOSFET沖壞了，過了安全工作區(qū)。

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js1008611
LV.2
3
2016-06-23 22:11
@417zhouge
1可能是C23的問題2可能是上電后，沖擊電流太大把MOSFET沖壞了，過了安全工作區(qū)。
是gs擊穿了
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2016-06-24 08:23
@js1008611
是gs擊穿了

GS擊穿就是GS電壓?jiǎn)栴}，可以拿示波器掛下GS電壓波形，不裝MOSFET，用3個(gè)小電容代替MOSFET就可以看到了。

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2016-06-24 11:10
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://m.zjkrx.cn/bbs/classic/
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houran77
LV.6
6
2016-06-27 23:44

mos管放大區(qū)過度的時(shí)間太長了，過功率損壞了。

R39  5.1M對(duì)0.1uF充電，時(shí)間應(yīng)該蠻長的。如果mos動(dòng)作時(shí)間達(dá)到mS級(jí)，mos管很容易掛掉

如果動(dòng)作時(shí)間控制在us級(jí)或者nS級(jí)，應(yīng)該就沒問題了

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js1008611
LV.2
7
2016-07-15 18:28
@houran77
mos管放大區(qū)過度的時(shí)間太長了，過功率損壞了。R39 5.1M對(duì)0.1uF充電，時(shí)間應(yīng)該蠻長的。如果mos動(dòng)作時(shí)間達(dá)到mS級(jí)，mos管很容易掛掉如果動(dòng)作時(shí)間控制在us級(jí)或者nS級(jí)，應(yīng)該就沒問題了
你可能沒理解我的問題，我也沒說清楚，這里在補(bǔ)充下，這個(gè)V+和key都依靠大概60多V的電壓供電，key和V+同時(shí)上電，key上電后GND1和電池負(fù)GND之間的mos管才打開，也就是說，gnd1可能會(huì)有短暫的懸空時(shí)間，那么在這種情況下，為啥圖中的mos管會(huì)被擊穿
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