請教各位老師，有兩款Power MOSFET，它們的‘單脈沖雪崩能量’參數(shù)值標(biāo)示為A管= 90 mJ；B管= 390 mJ。

但A、B兩管的測試條件不同，該如何判斷哪一款的‘單脈沖雪崩能量’參數(shù)好一點？請指點一二為盼！

參數(shù)標(biāo)示值如下：

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MOSFET A:

Test Condition : Starting TJ = 25°C, L = 0.2mH, IAS = 30A.

Symbol   Parameter                                   Value   Unit

EAS         Single Pulse Avalanche Energy   90        mJ

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MOSFET B:

Test Condition : Starting TJ = 25°C, L = 7.8mH, IAS = 10A.

Symbol   Parameter                                   Value   Unit

EAS         Single Pulse Avalanche Energy   390      mJ