最近遇到一個(gè)問(wèn)題，mosfet的寄生電容對(duì)其有什么影響？望群里的老師們指點(diǎn)一二，比如Cgs，Cds，有詳細(xì)的資料更好
寄生電容對(duì)mosfet的影響
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給你簡(jiǎn)單介紹下，MOS三個(gè)電極間的寄生電容分別有Cgd,Cgs,Cds.這三個(gè)電容在開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用中影響著驅(qū)動(dòng)損耗，開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)速度。
Cgd，Cgs影響著驅(qū)動(dòng)損耗和開(kāi)關(guān)速度，他們的總和稱為Ciss，即MOS的輸入電容。
同時(shí)，Cgd,Cds的寄生電容在開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)充放電，也會(huì)影響到開(kāi)關(guān)速度和損耗。他們的總和稱為Coss,即MOS的輸出電容。一般AC-DC的應(yīng)用，MOS上的電壓較高，工作頻率也上到幾十到100K左右，小的Cds,Cgd也會(huì)造成較大的損耗，在高效率應(yīng)用時(shí)，選擇MOS時(shí)不僅要看Rdson，還要注意MOS的Coss帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗。超結(jié)MOS同一般的平面工藝MOS有著更低的輸入電容和輸出電容，同時(shí)Rdson也更低。無(wú)錫新潔能的超結(jié)MOS產(chǎn)品介紹截圖供你參考！
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@牽只螞蟻散步
給你簡(jiǎn)單介紹下，MOS三個(gè)電極間的寄生電容分別有Cgd,Cgs,Cds.這三個(gè)電容在開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用中影響著驅(qū)動(dòng)損耗，開(kāi)關(guān)損耗，開(kāi)關(guān)速度。Cgd，Cgs影響著驅(qū)動(dòng)損耗和開(kāi)關(guān)速度，他們的總和稱為Ciss，即MOS的輸入電容。同時(shí)，Cgd,Cds的寄生電容在開(kāi)關(guān)時(shí)會(huì)充放電，也會(huì)影響到開(kāi)關(guān)速度和損耗。他們的總和稱為Coss,即MOS的輸出電容。一般AC-DC的應(yīng)用，MOS上的電壓較高，工作頻率也上到幾十到100K左右，小的Cds,Cgd也會(huì)造成較大的損耗，在高效率應(yīng)用時(shí)，選擇MOS時(shí)不僅要看Rdson，還要注意MOS的Coss帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗。超結(jié)MOS同一般的平面工藝MOS有著更低的輸入電容和輸出電容，同時(shí)Rdson也更低。無(wú)錫新潔能的超結(jié)MOS產(chǎn)品介紹截圖供你參考！[圖片][圖片]
http://m.zjkrx.cn/bbs/1508625.html
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@牽只螞蟻散步
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多謝了
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@牽只螞蟻散步
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多謝老師的完美回答
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@牽只螞蟻散步
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