一直有想法寫寫這些年的技術(shù)中遇到的問題與解決方法以做積累，沒有找到好的理由，這次電源網(wǎng)的活動是個好理由。
這些年都用到了很多的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)（BUCK,BOOST,FLYBACK,LLC），設(shè)計產(chǎn)品，做認(rèn)證，到量產(chǎn)，設(shè)計中和調(diào)試時種種意想不到的情況時有發(fā)生，算算還是挺有意思的。
按照流水賬方式做個記錄，順便自己也可以復(fù)習(xí)一下之前的知識點,有不對的地方還望大家批評指正。
BUCK電路降壓電路輸出電壓小于輸入電壓。
調(diào)試中碰到的問題，PWM占空比不穩(wěn)定，大小波，負(fù)載切載時輸出有抖動，起機過沖，滿載起機抖動，批量生產(chǎn)有少量IC損壞。EMC的問題，輻射超標(biāo)。
1、PWM占空比不穩(wěn)定，大小波。可以通過調(diào)節(jié)環(huán)路參數(shù)來處理，如圖上的C2，R2，C1,R1。設(shè)計可以參考《開關(guān)電源設(shè)計第三版》第12章圖12.12。對于改這2個參數(shù)無效果的那就要反推設(shè)計中的電感和電容是否合適，直接點就是看電感的電流波形，采用電感的串并聯(lián)觀察PWM波形變化。另外，IC的占空比如果在極限附近，如占空比90%，工作時達(dá)到88%同樣也會影響PWM的大小波，這個時候要考慮是否更換占空比更大的IC。
2、切載（滿載切空載，空載切滿載）時輸出有抖動，如振蕩2個周期以上，需要調(diào)節(jié)環(huán)路響應(yīng)。
3、起機過沖，更改軟啟動電容，IC沒有軟啟動電容的情況可以在圖紙中RS1上并聯(lián)電容，或者參考參考書里面軟啟動方案。
4、滿載起機抖動，需調(diào)節(jié)軟啟動和反饋電阻電容。也有啟動時電感嘯叫的，要過電感波形看看是否飽和，需要限制電感電流，更改峰值電流電阻或者改電感。
5、批量生產(chǎn)時，有少量的IC損壞，之前碰到過案例，將IC的BOOT電容端增加一個穩(wěn)壓管解決了。
6、輻射問題也跟整改一般的輻射問題一樣，MOSFET驅(qū)動電阻增大，MOSFET的DS并聯(lián)瓷片電容，D極串磁珠，二極管增加RC吸收，串磁珠，輸入輸出的濾波電感電容。在第三方實驗室整改輻射時可以采用套磁扣的方法找出是輸入影響還是輸出影響，或者找弄個探頭測試是哪個元器件出來的干擾，再整改，提高效率。
7、選型需要注意的部分，開關(guān)器件都有最大電壓和電流的范圍，要掛波形看管子的應(yīng)力是否有余量，如果有-40℃的設(shè)計要降額，MOSFET的DS電壓會下降，電容的容量下降，ESR增大，高溫情況需看電感的參數(shù)，外購的電感溫度范圍一般在85℃，如果電感溫度過高，環(huán)境溫度過高會有匝間短路的風(fēng)險。
借鑒下NXP的這個TEA1832圖紙做個說明。分析里面的電路參數(shù)設(shè)計與優(yōu)化并做到認(rèn)證至量產(chǎn)。
在所有的元器件中盡量選擇公司倉庫里面的元件，和量大的元件，方便后續(xù)降成本拿價格。
貼片電阻采用0603的5%，0805的5%，1%，貼片電容容值越大價格越高，設(shè)計時需考慮。
1、輸入端，F(xiàn)USE選擇需要考慮到I2T參數(shù)。保險絲的分類，快斷，慢斷，電流，電壓值，保險絲的認(rèn)證是否齊全。保險絲前的安規(guī)距離2.5mm以上。設(shè)計時盡量放到3mm以上。需考慮打雷擊時，保險絲I2T是否有余量，會不會打掛掉。
2、這個圖中可以增加個壓敏電阻，一般采用14D471,也有采用561的，直徑越大抗浪涌電流越大，也有增強版的10S471,14S471等，一般14D471打1KV,2KV雷擊夠用了，增加雷擊電壓就要換成MOV+GDT了。有必要時，壓敏電阻外面包個熱縮套管。
3、NTC，這個圖中可以增加個NTC,有的客戶有限制冷啟動浪涌電流不超過60A,30A，NTC的另一個目的還可以在雷擊時扛部分電壓，減下MOSFET的壓力。選型時注意NTC的電壓，電流，溫度等參數(shù)。
4、共模電感，傳導(dǎo)與輻射很重要的一個濾波元件，共模電感有環(huán)形的高導(dǎo)材料5K,7K,0K,12K,15K，常用繞法有分槽繞，并繞，蝶形繞法等，還有UU型，分4個槽的ET型。這個如果能共用老機種的最好，成本考慮，傳導(dǎo)輻射測試完成后才能定型。
5、X電容的選擇，這個需要與共模電感配合測試傳導(dǎo)與輻射才能定容值，一般情況為功率越大X電容越大。
6、如果做認(rèn)證時有輸入L,N的放電時間要求，需要在X電容下放2并2串的電阻給電容放電。
7、橋堆的選擇一般需要考慮橋堆能過得浪涌電流，耐壓和散熱，防止雷擊時掛掉。
8、VCC的啟動電阻，注意啟動電阻的功耗，主要是耐壓值，1206的一般耐壓200V,0805一般耐壓150V，能多留余量比較好。
9、輸入濾波電解電容，一般看成本的考慮，輸出保持時間的10mS，按照電解電容容值的最小情況80%容值設(shè)計，不同廠家和不同的設(shè)計經(jīng)驗有點出入，有一點要注意普通的電解電容和扛雷擊的電解電容，電解電容的紋波電流關(guān)系到電容壽命，這個看品牌和具體的系列了。
10、輸入電解電容上有并聯(lián)一個小瓷片電容，這個平時體現(xiàn)不出來用處，在做傳導(dǎo)抗擾度時有效果。
11、RCD吸收部分，R的取值對應(yīng)MOSFET上的尖峰電壓值，如果采用貼片電阻需注意電壓降額與功耗。C一般取102/103 1KV的高壓瓷片，整改輻射時也有可能會改為薄膜電容效果好。D一般用FR107,FR207，整改輻射時也有改為1N4007的情況或者其他的慢管，或者在D上套磁珠（K5A,K5C等材質(zhì)）。小功率電源，RC可以采用TVS管替代，如P6KE160等。
12、MOSFET的選擇，起機和短路情況需要注意SOA。高溫時的電流降額，低溫時的電壓降額。一般600V 2-12A足夠用與100W以內(nèi)的反激，根據(jù)成本來權(quán)衡選型。整改輻射時很多方法沒有效果的時候，換個MOSFET就過了的情況經(jīng)常有。
13、MOSFET的驅(qū)動電阻一般采用10R+20R，阻值大小對應(yīng)開關(guān)速度，效率，溫升。這個參數(shù)需要整改輻射時調(diào)整。
14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一個10K-100K的電阻放電。
15、MOSFET的SOURCE到GND之間有個Isense電阻，功率盡量選大，盡量采用繞線無感電阻。功率小，或者有感電阻短路時有遇到過炸機現(xiàn)象。
16、Isense電阻到IC的Isense增加1個RC，取值1K,331，調(diào)試時可能有作用，如果采用這個TEA1832電路為參考，增加一個C并聯(lián)到GND。
17、不同的IC外圍引腳參考設(shè)計手冊即可，根據(jù)自己的經(jīng)驗在IC引腳處放濾波電容。
18、更改前：變壓器的設(shè)計，反激變壓器設(shè)計論壇里面討論很多，不多說。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數(shù)（T）,Ae（mm2）有興趣驗證這個公式可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右。變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。
18、更改后：變壓器的設(shè)計，反激變壓器設(shè)計論壇里面討論很多，不多說。還是考慮成本，盡量不在變壓器里面加屏蔽層，頂多在變壓器外面加個十字屏蔽。變壓器一定要驗算delta B值，防止高溫時磁芯飽和。delta B=L*Ipk/（N*Ae），L(uH),Ipk（A),N為初級砸數(shù)（T）,Ae（mm2）。（參考TDG公司的磁芯特性（100℃）飽和磁通密度390mT，剩磁55mT，所以ΔB值一般取330mT以內(nèi)，出現(xiàn)異常情況不飽和，一般取值小于300mT以內(nèi)。我之前做反激變壓器取值都是小于0.3的）附，學(xué)習(xí)zhangyiping的經(jīng)驗（所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。）
變壓器的VCC輔助繞組盡量用2根以上的線并繞，之前很大批量時有碰到過有幾個輔助繞組輕載電壓不夠或者重載時VCC過壓的情況，2跟以上的VCC輔助繞線能盡量耦合更好解決電壓差異大這個問題。
附注：有興趣驗證這個公式的話，可以在最低電壓輸入，輸出負(fù)載不斷增加，看到變壓器飽和波形，飽和時計算結(jié)果應(yīng)該是500mT左右（25℃時，飽和磁通密度510mT）。
借鑒TDG的磁芯基本特征圖。
喜歡這種經(jīng)驗，贊一個
19、輸出二極管效率要求高時，可以采用超低壓降的肖特基二極管，成本要求高時可以用超快恢復(fù)二極管。
20、輸出二極管并聯(lián)的RC用于抑制電壓尖峰，同時也對輻射有抑制。
21、光耦與431的配合，光耦的二極管兩端可以增加一個1K-3K左右的電阻，Vout串聯(lián)到光耦的電阻取值一般在100歐姆-1K之間。431上的C與RC用于調(diào)整環(huán)路穩(wěn)定，動態(tài)響應(yīng)等。
22、Vout的檢測電阻需要有1mA左右的電流，電流太小輸出誤差大，電流太大，影響待機功耗。
23、輸出電容選擇，輸出電容的紋波電流大約等于輸出電流，在選擇電容時紋波電流放大1.2倍以上考慮。
24、2個輸出電容之間可以增加一個小電感，有助于抑制輻射干擾，有了小電感后，第一個輸出電容的紋波電流就會比第二個輸出電容的紋波電流大很多，所以很多電路里面第一個電容容量大，第二個電容容量較小。
25、輸出Vout端可以增加一個共模電感與104電容并聯(lián)，有助于傳導(dǎo)與輻射，還能降低紋波峰峰值。
26、需要做恒流的情況可以采用專業(yè)芯片，AP4310或者TSM103等類似芯片做，用431+358都行，注意VCC的電壓范圍，環(huán)路調(diào)節(jié)也差不多。
27、有多路輸出負(fù)載情況的話，電源的主反饋電路一定要有固定輸出，或者假負(fù)載，否則會因為耦合，burst模式等問題導(dǎo)致其他路輸出電壓不穩(wěn)定。28、初級次級的大地之間有接個Y電容，一般容量小于或等于222，則漏電流小于0.25mA，不同的產(chǎn)品認(rèn)證對漏電流是有要求的，需注意。
算下來這么多，電子元器件基本能定型了，整個初略的BOM可以評審并參考報價了。BOM中元器件可以多放幾個品牌方便核成本。如客戶有特殊要求，可以在電路里面增加功能電路實現(xiàn)。如不能實現(xiàn)，尋找新的IC來完成，相等功率和頻率下，IC的更改對外圍器件影響不大。如客戶溫度范圍的要求比較高，對應(yīng)元器件的選項需要參考元器件使用溫度和降額使用。
原理圖定型后就可以開始畫PCB了。
1、PCB對應(yīng)的SCH網(wǎng)絡(luò)要對應(yīng)，方便后續(xù)更新，花不了多少時間的。
2、PCB的元器件封裝，標(biāo)準(zhǔn)庫里面的按實際情況需要更改，貼片元件焊盤加大；插件元件的孔徑比元件管腳大0.3mm，焊盤直徑大于孔0.8mm以上，焊盤大些方便焊接，元器件過波峰焊也容易上錫，PCB廠家做出來也不容易破孔。還有很多細(xì)節(jié)的東西多了解些對生產(chǎn)是很大的功勞啊。
3、安規(guī)的要求在PCB上的體現(xiàn)，保險絲的安規(guī)輸入到輸出距離3mm以上，保險絲帶型號需要印在PCB上。PCB的板材也有不同的安規(guī)要求，對應(yīng)需要做的認(rèn)證與供應(yīng)商溝通能否滿足要求。相應(yīng)的認(rèn)證編號需印到PCB上。初級到次級的距離8mm以上，Y電容注意選擇Y1還是Y2的，跨距也要求8mm以上，變壓器的初級與次級，用擋墻或者次級用三層絕緣線飛線等方法做爬電距離。
4、橋堆前L,N走線距離2.5mm以上，橋堆后高壓+，-距離2.5mm以上。走線為大電流回路先走，面積越小越好。信號線遠(yuǎn)離大電流走線，避免干擾，IC信號檢測部分的濾波電容靠近IC，信號地與功率地分開走，星形接地，或者單點接地，最后匯總到大電容的“-”引腳，避免調(diào)試時信號受干擾，或者抗擾度出狀況。
5、IC方向，貼片元器件的方向，盡量放到整排整列，方便過波峰焊上錫，提高產(chǎn)線效率，避免陰影效應(yīng)，連錫，虛焊等問題出現(xiàn)。
6、打AI的元器件需要根據(jù)相應(yīng)的規(guī)則放置元器件，之前看過一個日本的PCB，焊盤做成水滴狀，AI元件的引腳剛好在水滴狀的焊盤上，很漂亮。
7、PCB上的走線對輻射影響比較大，可以參考相關(guān)書籍。還有1種情況，PCB當(dāng)單面板布線，弄完后，在頂層敷整塊銅皮接大電容地，抑制傳導(dǎo)和輻射很有效果。
8、布線時，還需要考慮雷擊，ESD時或其他干擾的電流路徑，會不會影響IC。
繼續(xù)
PCB與元器件回來就可以開始制樣做功能調(diào)試了。
1、萬用表先測試主電流回路上的二極管，MOSFET，有沒有短路，有沒有裝反，變壓器的感量與漏感是否都有測試，變壓器同名端有沒有繞錯。
2、開始上電，我的習(xí)慣是先上100V的低壓，PWM沒有輸出。用示波器看VCC，PWM腳，VCC上升到啟動電壓，PWM沒有輸出。檢查各引腳的保護(hù)功能是否被觸發(fā)，或者參數(shù)不對。找不到問題，查看IC的上電時序圖，或者IC的datasheet里面IC啟動的條件。示波器使用時需注意，3芯插頭的地線要拔掉，不拔掉的話最好采用隔離探頭掛波形，要不怎么炸機的都不知道。用2個以上的探頭時，2根探頭的COM端接同1個點，避免影響電路，或者夾錯位置燒東西。
3、IC啟動問題解決了，PWM有輸出，發(fā)現(xiàn)啟動時變壓器嘯叫。掛MOSFET的電流波形，或者看Isense腳底波形是否是三角波，有可能是飽和波形，有可能是方波。需重新核算ΔB，還有種情況，VCC繞組與主繞組繞錯位置。也有輸出短路的情況，還有RCD吸收部分的問題，甚至還碰到過TVS壞了短路的情況。
4、輸出有了，但是輸出電壓不對，或者高了，或者低了。這個需要判斷是初級到問題，還是次級的問題。掛輸出二極管電壓電流波形，是否是正常的反激波形，波形不對，估計就是同名端反了。檢查光耦是否損壞，光耦正常，采用穩(wěn)壓管+1K電阻替換431的位置，即可判斷輸出反饋431部分，或者恒流，或者過載保護(hù)等保護(hù)的動作。常見問題，光耦腳位畫錯，導(dǎo)致反饋到不了前級。431封裝弄錯，一般431的封裝有2種，腳位有鏡像了的。同名端的問題會導(dǎo)致輸出電壓不對。
5、輸出電壓正常了，但是不是精確的12V或者24V，這個時候一般采用2個電阻并聯(lián)的方式來調(diào)節(jié)到精確電壓。采樣電阻必須是1%或者0.5%。
6、輸出能帶載了，帶滿載變壓器有響聲，輸出電壓紋波大。掛PWM波形，是否有大小波或者開幾十個周期，停幾十個周期，這樣的情況調(diào)節(jié)環(huán)路。431上的C與RC，現(xiàn)在的很多IC內(nèi)部都已經(jīng)集成了補償，環(huán)路都比較好調(diào)整。環(huán)路調(diào)節(jié)沒有效果，可以計算下電感感量太大或者太小，也可以重新核算Isense電阻，是否IC已經(jīng)認(rèn)為Isense電阻電壓較小，IC工作在brust mode?？梢愿腎sense電阻阻值測試。
7、高低壓都能帶滿載了，波形也正常了。測試電源效率，輸入90V與264V時效率盡量做到一致(改占空比，匝比)，方便后續(xù)安規(guī)測試溫升。電源效率一般參考老機種效率，或者查能效等級里面的標(biāo)準(zhǔn)參考。
8、輸出紋波測試，一般都有要求用47uF+104,或者10uF+104電容測試。這個電解電容的容值影響紋波電壓，電容的高頻低阻特性（不同品牌和系列）也會影響紋波電壓。示波器測試紋波時探頭上用彈簧測試探頭測試可以避免干擾尖峰。輸出紋波搞不定的情況下，可以改容量，改電容的系列，甚至考慮采用固態(tài)電容。
9、輸出過流保護(hù)，客戶要求精度高的，要在次級放電流保護(hù)電路，要求精度不高的，一般初級做過流保護(hù)，大部分IC都有集成過流或者過功率保護(hù)。過流保護(hù)一般放大1.1-1.5倍輸出電流。最大輸出電流時，元器件的應(yīng)力都需要測試，并留有余量。電流保護(hù)如增加反饋環(huán)路可以做成恒流模式，無反饋環(huán)路一般為打嗝保護(hù)模式。做好過流保護(hù)還需要測試滿載+電解電容的測試，客戶端有時提出的要求并未給出是否是容性負(fù)載，能帶多大的電容起機測試了后心里比較有底。
10、輸出過壓保護(hù)，穩(wěn)定性要求高的客戶會要求放2個光耦，1個正常工作的，一個是做過壓保護(hù)的。無要求的，在VCC的輔助繞組處增加過壓保護(hù)電路，或者IC里面已經(jīng)有集成的過壓保護(hù)，外圍器件很少。
11、過溫保護(hù)一般要看具體情況添加的，安規(guī)做高溫測試時對溫度都有要求，能滿足安規(guī)要求溫度都還可以，除非環(huán)境復(fù)雜或者異常情況，需要增加過溫保護(hù)電路。
12、啟動時間，一般要求為2S,或者3S內(nèi)起機，都比較好做，待機功耗做到很低功率的方案，一般IC都考慮好了。沒有什么問題。
13、上升時間和過沖，這個通過調(diào)節(jié)軟啟動和環(huán)路響應(yīng)實現(xiàn)。
14、負(fù)載調(diào)整率和線性調(diào)整率都是通過調(diào)節(jié)環(huán)路響應(yīng)來實現(xiàn)。
15、保持時間，更改輸入大電容容量即可。
16、輸出短路保護(hù)，現(xiàn)在IC的短路保護(hù)越做越好，一般短路時，IC的VCC輔助繞組電壓低，IC靠啟動電阻供電，IC啟動后，Isense腳檢測過流會做短路保護(hù)，停止PWM輸出。一般在264V輸入時短路功率最大，短路功率控制住2W以內(nèi)比較安全。短路時需要測試MOSFET的電流與電壓，并通過查看MOSFET的SOA圖（安全工作區(qū)）對應(yīng)短路是否超出設(shè)計范圍。
其他異常情況和注意：
1、空載起機后，輸出電壓跳。有可能是輕載時VCC的輔助繞組感應(yīng)電壓低導(dǎo)致，增加VCC繞組匝數(shù)，還有可能是輸出反饋環(huán)路不穩(wěn)定，需要更新環(huán)路參數(shù)。
2、帶載起機或者空載切重載時電壓起不來。重載時，VCC輔助繞組電壓高，需查看是否過壓，或者是過流保護(hù)動作。
還有變壓器設(shè)計時按照正常輸出帶載設(shè)計，導(dǎo)致重載或者過流保護(hù)前變壓器飽和。
3、元器件的應(yīng)力都應(yīng)測試，滿載、過載、異常測試時元器件應(yīng)力都應(yīng)有余量，余量大小看公司規(guī)定和成本考慮。
性能測試與調(diào)試基本完成。調(diào)試時把自己想成是設(shè)計這顆IC的人，就能好好理解IC的工作情況并快速解決問題。
這些全都按記憶寫的，有點亂，有些沒有記錄到，后續(xù)想到了再補上。
投票正式開始，投出的每一票都至關(guān)重要，最終大獎花落誰家?我們拭目以待...掃描
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該參賽作品編號為NO.38
我順便提一下，7帖18的此飽和是500MT,即5000高斯，0,5特斯拉，普通鐵氧體到不了5000吧，頂多4000，好像才3500吧，所以一般的磁通密度選擇1500高斯，變壓器小的可以選大一些，變壓器大的要選小一些，頻彔高的減小頻彔低的可以大一些吧。
從我干開關(guān)電源近二十年，算是老手了，我非常深有體會的是，開關(guān)電源最難的是環(huán)路參數(shù)，非常不好確定，普遍不大穩(wěn)定就是環(huán)路沒有調(diào)好，這個是一個大問題了，太多搞不定的就是這個問題了，還有變壓器參數(shù)的選擇也是一個難點，有人說變壓器的分量非常大，確定多少匝比，規(guī)格，如果鐵損線損一樣最好，絞在一起了，無法確定哪個多哪個少了，還有，如何確定磁通密度多少為最合適，也是非常難了，這個多年的經(jīng)驗非常重要，許多人變壓器不懂設(shè)計，還有，風(fēng)鈴可以磁通大一些，自冷要小一些，都不是一件內(nèi)容的事情。
現(xiàn)在是很多人知識匱乏，沒有無線電技術(shù)的知識，那一些新手根本不懂，把PCB布成整齊的非常隨意的任意走線了，很像精細(xì)，那根本胡鬧，不能用的版了，新一代的知識多元化，誘惑太大了，什么人都可以上大學(xué)了，比如一些職高的普高沒畢業(yè)的人也上大學(xué)了，應(yīng)試教育也是大問題，人才質(zhì)量不行了，什么也不懂的人多了，他們照樣搞開發(fā)，能做成什么好產(chǎn)品，最重要的是知識和學(xué)問，卻又是最不在乎是又是學(xué)問，浮躁社會浮躁的人，滿腦子就是短平快，要知道欲速則不達(dá)，只會抄襲模仿拿來主義山寨之風(fēng)，模仿制造低劣產(chǎn)品，因為所謂的開發(fā)人員就是搬運工，而且所謂人才流動，半拉子一下就飛了，成了政治資本，干過了什么項目，還有不少其實是調(diào)試工，技術(shù)人員，冒充什么開發(fā)人員，老板急于求成，用的其實是偽人才，偽人才只能制造偽劣產(chǎn)品了，就是只會克隆產(chǎn)品復(fù)制了，還做不好，大功率的其實不少老外的產(chǎn)品哪個做成了，小功率的相對內(nèi)容簡單一些不少還是做成了，但做不好的多多了，
我談這個是非常普遍存在的社會現(xiàn)實，比如一位做12伏100安，抄襲模仿八九個月沒有做成，最終失敗打水漂了，其實可以做成的，我見過那個產(chǎn)品，同開發(fā)人員一交流，發(fā)現(xiàn)學(xué)問不行，我對那位陳老板說兇多吉少九成以上要失敗的，他不信，就是我完全模仿一個地方也不能漏下，難道做不成，結(jié)果呢，真的做不成了，相當(dāng)多人都以為一抄就成一步到位，總是這么說，結(jié)果豈不，哪個成功了，一敗涂地了。其實，那個12伏100安真的不能，就是要有一些學(xué)問，失敗的原因就在這里了。
原諒我談了別的方面的了，不過，確實千真萬確，非常普遍而且常態(tài)化的我們這個社會的現(xiàn)實了，普遍的從業(yè)人員就是知識匱乏，技術(shù)和能力不行，就是生搬硬套，克隆主義至上，，好像我們這個社會就是假大空的社會，多數(shù)的產(chǎn)品都是這么去干的。成了不少其實有不少老外非常不錯的產(chǎn)品，我都見過不少了，怎么都沒有見到我們做的實際產(chǎn)品了，其實大幫小幫都在抄襲，怎么見不到東西呀，因為都失敗了打水漂了，我在這里說了大實話的，非常真實的不要誤解了。如果有何不妥，多多見諒吧。
感謝zhangyiping兄弟提供的意見與想法，7貼18的位置已更新。
做電源確實是要花很多時間的，對每個元器件，每種設(shè)計方法，每個參數(shù)，等等很多方面都要懂，都要會算，會驗證才能做出好東西來（當(dāng)然好東西也是有種種定義的），這些都是時間和經(jīng)驗的積累，一下子是急不來的。
印象中之前有過聽過幾個級別，know what，know how，know why 。。。
雞湯書看多了，有點亂啊。
基本性能測試后就要做安規(guī)EMC方面的準(zhǔn)備了。
1、溫升測試，45℃烤箱環(huán)境，輸入90，264時變壓器磁芯，線包不超過110℃，PCB在130℃以內(nèi)。其他的元器件具體值參考下安規(guī)要求，溫度最難整的一般都是變壓器。
2、絕緣耐壓測試DC500V，阻值大于100MΩ，初次級打AC3000V時間60S,小于10mA，產(chǎn)線量產(chǎn)可以打AC3600V,6S。建議采用直流電壓DC4242打耐壓。耐壓電流設(shè)置10mA，測試過程中測試儀器報警，要檢查初次級距離，初級到外殼，次級到外殼距離，能把測試室拉上窗簾更好，能快速找到放電的位置的電火花。
3、對地阻抗，一般要小于0.1Ω，測試條件電流40A。
4、ESD一般要求接觸4K,空氣8K，有個電阻電容模型問題。一般會把等級提高了打，打到最高的接觸8K,空氣15K。打ESD時，共模電感底下有放電針的話，放電針會放電。電源的ESD還會在散熱器與不同元器件之間打火，一般是距離問題和PCB的layout問題。打ESD打到15K把電源打壞就知道自己做的電源能抗多大的電壓，做安規(guī)認(rèn)證時，心里有底。如果客戶有要求更高的電壓也知道怎么處理。參考EN61000-4-2。
5、EFT這個沒有出現(xiàn)過問題2KV。參考EN61000-4-4。
6、雷擊，差模1K，共模2K，采用壓敏14D471，有輸入大電解，走線沒有大問題基本PASS。碰到過雷擊不過的情況，小功率5W,10W的打掛了，采用能抗雷擊的電解電容。單極PFC做反激打掛了MOSFET,在輸入橋堆后加入二極管與電解電容串聯(lián)，電容吸收能量。LED電源打2K與4K的情況，4KV就要采用壓敏電阻+GDT的形式。參考EN61000-4-5。
EFT,ESD,SURGE有A,B,C等級。一般要A等級：干擾對電源無影響。
7、低溫起機。一般便宜的電源，溫度范圍是0-45℃，貴的，工業(yè)類，或者LED什么的有要求-40℃-60℃，甚至到85℃。-40℃的時候輸入NTC增大了N倍，輸入電解電容明顯不夠用了，ESR很大，還有PFC如果用500V的MOSFET也是有點危險的（低溫時MOSFET的耐壓值變低）。之前碰到過90V輸入的時候輸出電壓跳，或者是LED閃幾次才正常起來。增加輸入電容容量，改小NTC,增加VCC電容，軟啟動時間加長，初級限流（輸入容量不夠，導(dǎo)致電壓很低，電流很大，觸發(fā)保護(hù)）從1.2倍放大到1.5倍，IC的VCC繞組增加2T輔助電壓抬高；查找保護(hù)線路是否太極限，低溫被觸發(fā)（如PFC過壓易被觸發(fā)）。
