設(shè)計了個變壓器,緣邊電感7個毫亨,是不是太大了?
10W 的電感量要比 50W 的電感量要大
如果你設(shè)計的是50W,結(jié)果才達到 10W 的電感量,這樣輸出功率就會不足,而你需要做的是減小電感量,否則就容易飽和炸機(這是針對分立外置 MOS 結(jié)構(gòu),或者外置 current sensor R 的單片開關(guān)電源)
所謂的自適應(yīng),如果樓主用的是 VIPower 系列的話,7mH 可以只會輸出1~2W,而加大負載,不會出現(xiàn)飽和炸機,因為芯片內(nèi)部會有 OCP,自然的保護掉
"10W 的電感量要比 50W 的電感量要大":
這句話是有前提的,10W的功率相對較小,我們一般設(shè)計在斷續(xù)模式;而50W的功率相對較大,我們一般設(shè)計在連續(xù)模式,根據(jù)電感儲能公式,電感量自然就不用取那么大了(不是說取那么大就一定不行,只是需要付出不必要的代價,比如加大變壓器,增加繞組匝數(shù)。我們一般取小一點而已。輸出功率不足是因為飽和觸發(fā)過流保護,限制輸出功率了。如果加大變壓器、匝數(shù),使其不進入飽和,那么輸出功率的能力只會增加,而不會出現(xiàn)你所說的不足的現(xiàn)象。你根本就沒有解釋清楚原因,只是給了一個似是而非的結(jié)論)。從理論上分析,如果兩者都設(shè)計在斷續(xù)模式,你還認為"10W 的電感量要比 50W 的電感量要大"嗎?我在第14貼里面有描述,“反激電源里面,一般是電感量過小,才會導(dǎo)致輸出功率不足。尤其是工作在間歇模式”,就是說斷續(xù)(間歇)模式下,感量越大,輸出功率的能力越強。你認為有沒有問題?
“飽和炸機"問題:
你在第13貼里面描述”單片集成 MOS 的電源芯片,會自適應(yīng)相應(yīng)的電感,而不會出現(xiàn)變壓器飽和現(xiàn)象,電感量過大,最多是導(dǎo)致功率無法輸出,進入保護狀態(tài)”。
我的回復(fù)是”一般就是變壓器飽和,初級電流過大,觸發(fā)保護,限制輸出“,我表述的意思就是功率無法輸出是由于變壓器飽和觸發(fā)過流保護引起的。只不過是“芯片內(nèi)部會有 OCP,自然的保護掉”,不會引起炸機而已。但是,電感量過大,是完全會引起變壓器飽和的?!帮柡汀备罢C”是兩個不同概念,你不能因為沒炸機,就去否認變壓器飽和現(xiàn)象的存在,這種描述是不嚴(yán)謹?shù)?,這些基礎(chǔ)知識,書里面都是有介紹的。
附上公式 :峰值磁感應(yīng)強度=(電感量*電流峰值)\(Ae*Np)
呵呵~~ 有意思!
如果用 UC384X 來設(shè)計的電源
10W 會是 DCM
50W 會是 CCM
那要是設(shè)計 100W 的,不知采用 DCM 還是 CCM 了
除卻 RCC 和 QR 的電源,都不會有嚴(yán)格意義上的 DCM 和 CCM
我們討論問題要緊扣主題。我對你的22貼給出了我的理解,不同意的地方也給出了依據(jù)和表述,同時,我也提出了我的問題。
而你的回復(fù),一沒有回復(fù)我的疑問,二沒有抓住重點(電感量大小問題,飽和炸機問題),糾纏于細枝末節(jié),這樣的溝通效率太低了。我說東,你回復(fù)西。最基本的邏輯思維都有所欠缺,不知所云。
呵呵。我也真的只能呵呵了。
1. 反激電源里面,一般是電感量過小,才會導(dǎo)致輸出功率不足。尤其是工作在間歇模式”,就是說斷續(xù)(間歇)模式下,感量越大,輸出功率的能力越強。你認為有沒有問題?
--- 這個是錯誤的
同等條件下,感量越大,輸出的功率會越小,相應(yīng)的效率會越高;這個我上面已經(jīng)說了,設(shè)計10W 與 50W,在同等條件下,電感量的問題
2. 自適應(yīng)相應(yīng)的電感問題
上述條件下,你設(shè)計的 50W 電源,而用的是 10W 電感量,當(dāng)電源所加的負荷,超過 10W時,必然會容易出現(xiàn)變壓器飽和現(xiàn)象
相同架構(gòu)和參數(shù),變壓器電感量不同,排除開機第一周期的 Dmax 狀態(tài)下可能出現(xiàn)的飽和炸機之外,它都會對應(yīng)一個相應(yīng)的負載問題;僅僅區(qū)別在于效率上的差異而已