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請教一個(gè)電流取樣問題

如圖，請問能不能利用場管導(dǎo)通內(nèi)阻作為電流取樣電阻呢？就是從圖中A、B兩點(diǎn)取樣。謝謝！

907691219786855

 

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2014-03-19 20:08
可以，但不是很準(zhǔn)，因?yàn)闇囟炔煌?，MOS內(nèi)阻會(huì)變。
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2014-03-19 20:25
@luoyan1980
可以，但不是很準(zhǔn)，因?yàn)闇囟炔煌?，MOS內(nèi)阻會(huì)變。
樓上正解，MOSFET的Ron一般幾個(gè)毫歐姆，如果是0.01歐，那么100A的電流才一伏而已。100A的電流嚇人啊
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2014-03-19 20:32
@SKY丶輝煌
樓上正解，MOSFET的Ron一般幾個(gè)毫歐姆，如果是0.01歐，那么100A的電流才一伏而已。100A的電流嚇人啊
可以，但要防止電流過大
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hao2985
LV.9
5
2014-03-19 20:35
因?yàn)闇囟炔煌?，MOS內(nèi)阻會(huì)變
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2014-03-20 11:01
MOS內(nèi)阻隨溫度變化比較大的，關(guān)鍵是廠家標(biāo)的內(nèi)阻典型值也是有誤差的，因?yàn)閺S家測試的是標(biāo)準(zhǔn)品，不可能每個(gè)管子都測內(nèi)阻的！為什么不直接用毫歐電阻取樣呢？價(jià)格也不高??！
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jianyedin
LV.9
7
2014-03-20 11:17
@zhang_min9861
MOS內(nèi)阻隨溫度變化比較大的，關(guān)鍵是廠家標(biāo)的內(nèi)阻典型值也是有誤差的，因?yàn)閺S家測試的是標(biāo)準(zhǔn)品，不可能每個(gè)管子都測內(nèi)阻的！為什么不直接用毫歐電阻取樣呢？價(jià)格也不高??！
你講的很對！
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2014-03-20 11:30
@hao2985
因?yàn)闇囟炔煌?，MOS內(nèi)阻會(huì)變

是的，內(nèi)阻會(huì)隨溫度變化而變化。

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2014-03-20 11:31
@山東大漢
可以，但要防止電流過大
所以O(shè)CP范圍漂移比較大。
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luoyan1980
LV.8
10
2014-03-20 11:32
@zhang_min9861
MOS內(nèi)阻隨溫度變化比較大的，關(guān)鍵是廠家標(biāo)的內(nèi)阻典型值也是有誤差的，因?yàn)閺S家測試的是標(biāo)準(zhǔn)品，不可能每個(gè)管子都測內(nèi)阻的！為什么不直接用毫歐電阻取樣呢？價(jià)格也不高??！
如是要精準(zhǔn)的OCP就要用錳銅來做sense檢測。
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SKY丶輝煌
LV.10
11
2014-03-20 12:43
@zhang_min9861
MOS內(nèi)阻隨溫度變化比較大的，關(guān)鍵是廠家標(biāo)的內(nèi)阻典型值也是有誤差的，因?yàn)閺S家測試的是標(biāo)準(zhǔn)品，不可能每個(gè)管子都測內(nèi)阻的！為什么不直接用毫歐電阻取樣呢？價(jià)格也不高??！
行家
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hao2985
LV.9
12
2014-03-20 13:45
防止電流過大
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Constance
LV.11
13
2014-03-22 16:40
內(nèi)阻會(huì)變，無法保證精度！
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2014-03-22 22:18

完全可以，看看IR剛出的這款I(lǐng)C，不要被傳統(tǒng)思維限制

ir25750lpbf.pdf

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45280
LV.4
15
2014-03-23 16:31
@方舟134340
完全可以，看看IR剛出的這款I(lǐng)C，不要被傳統(tǒng)思維限制ir25750lpbf.pdf

我就用這種方法采樣的，除非你要求精度很高，不然的話這樣絕對沒什么問題；

至于溫漂，反接場管是常通的，沒有開關(guān)損耗一般不會(huì)發(fā)熱，或者不是很熱；

再就是內(nèi)阻小的問題，比如4毫歐的場管，過50安的電流才0.2伏；

解決方法很簡單，用運(yùn)放放大就可以了；

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2014-03-26 11:03
@45280
我就用這種方法采樣的，除非你要求精度很高，不然的話這樣絕對沒什么問題；至于溫漂，反接場管是常通的，沒有開關(guān)損耗一般不會(huì)發(fā)熱，或者不是很熱；再就是內(nèi)阻小的問題，比如4毫歐的場管，過50安的電流才0.2伏；解決方法很簡單，用運(yùn)放放大就可以了；

你過50A的電流，4毫歐的內(nèi)阻，單管發(fā)熱10W，你不加散熱措施？10W管子已經(jīng)很熱了，沒有溫漂組織變化？

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