用的是NCP5181驅(qū)動芯片，BOOT TRAP二極管串聯(lián)了一個10歐0805封裝1/8W的電阻，可是當全橋輸入DC電壓升高到100伏左右的時候這個10歐電阻就會被燒掉。
如果換50歐電阻的話，上端MOSFT關的VGS隨著輸入DC電壓升高會衰減。
請問大家是因為這個串聯(lián)電阻的功率不夠大嗎？我選用1/8W是因為看了這款芯片的Application Note，上面就是用的0805封裝。
如果我直接把這個電阻短路，會有什么不良后果嗎？
謝謝！
半橋驅(qū)動boot trap的二極管串聯(lián)電阻燒毀
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可以試試適當加大電阻功率，或者換個反向特性比較軟些的二極管
加電阻實際上是未來照顧一些反向特性比較“硬”的二極管來設計的，范圍一般5-30R都是可以的，如果選用合適的二極管也可以不用加電阻，直接把電阻短路起來也是可以的
另外我不知道你半橋母線電壓是多少，你用這個400V的二極管有沒有足夠的余量，也許這也是造成電阻燒壞的原因，二極管上的反向電壓近視等于母線電壓
還有你說加大電阻，上管的驅(qū)動電壓會隨著DC升高而減小，這應該是一個不正常的現(xiàn)象，不知道你說的DC是母線電壓還是IC的電源，上管VGS電壓只與IC的VCC和IC輸入端的的驅(qū)動信號占空比有關，是不是你的半橋輸入在母線電壓升高的時候，環(huán)路控制驅(qū)動信號PWM脈寬非常小，所以導致VGS下降，這時候把電阻加大確實是一個不安全的設計
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@米老鼠
可以試試適當加大電阻功率，或者換個反向特性比較軟些的二極管加電阻實際上是未來照顧一些反向特性比較“硬”的二極管來設計的，范圍一般5-30R都是可以的，如果選用合適的二極管也可以不用加電阻，直接把電阻短路起來也是可以的另外我不知道你半橋母線電壓是多少，你用這個400V的二極管有沒有足夠的余量，也許這也是造成電阻燒壞的原因，二極管上的反向電壓近視等于母線電壓還有你說加大電阻，上管的驅(qū)動電壓會隨著DC升高而減小，這應該是一個不正常的現(xiàn)象，不知道你說的DC是母線電壓還是IC的電源，上管VGS電壓只與IC的VCC和IC輸入端的的驅(qū)動信號占空比有關，是不是你的半橋輸入在母線電壓升高的時候，環(huán)路控制驅(qū)動信號PWM脈寬非常小，所以導致VGS下降，這時候把電阻加大確實是一個不安全的設計
謝謝米老鼠的解答！
我實際用的是S1J-E3/5AT這款二極管，他的擊穿電壓是600伏，我的母線電壓最高是400V。我不知道他的反向特性是否足夠軟。
我說的上管的驅(qū)動電壓隨著DC升高而減小，是母線的電壓。我測試的是全橋LLC電路，占空比在弱50%。我測試的時候是120kHz的頻率，對應的下管開通時間是4.16微秒，應該足以把boot trap 電容充滿。
如果我用50歐的電阻，如果母線電壓為0的時候，上官驅(qū)動電壓正常，但是母線電壓增高的話，這個驅(qū)動電壓就退化。
如果我用10歐的電阻，母線電壓增高的話，上管驅(qū)動電壓不存在這個問題。
是因為我的硬件有什么問題嗎？
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@149285786
謝謝米老鼠的解答！我實際用的是S1J-E3/5AT這款二極管，他的擊穿電壓是600伏，我的母線電壓最高是400V。我不知道他的反向特性是否足夠軟。我說的上管的驅(qū)動電壓隨著DC升高而減小，是母線的電壓。我測試的是全橋LLC電路，占空比在弱50%。我測試的時候是120kHz的頻率，對應的下管開通時間是4.16微秒，應該足以把boottrap電容充滿。如果我用50歐的電阻，如果母線電壓為0的時候，上官驅(qū)動電壓正常，但是母線電壓增高的話，這個驅(qū)動電壓就退化。如果我用10歐的電阻，母線電壓增高的話，上管驅(qū)動電壓不存在這個問題。是因為我的硬件有什么問題嗎？
這里是我用的600V二極管的參數(shù)。
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