自舉驅(qū)動
自舉驅(qū)動

不太明白
不太明白,各位請將向西點.

是用MOS代替整流橋的全波整流電路
MOS是倒過來用的(S在前,D在后),正脈沖來時,MOS的體二極管導通,同時驅(qū)動電路(15伏)加在MOS的G端,把該二極管短路.此電路為同步整流的一種方式,主要是降低功耗.

不是吧?
好像不是吧,mosfet的體二極管是用來續(xù)流的.雖然我也不太明白續(xù)流是怎么一回事.

續(xù)流?麻煩把電路發(fā)完整!
請!

明白一些了
MOSFET從斷到通,源極電位大幅度變化,而柵源之間電壓并沒有受到特別大的影響.其原因就是驅(qū)動電路能夠在D1和C1的作用下自動提高柵極電壓使柵源電壓得以維持.這種現(xiàn)象常被稱為“自舉”.
是否直流15V電壓加電容耦合過來的電壓之和驅(qū)動柵極
但15V電壓低于耦合電壓,d1還能導通馬 ????

please look it clear!!!
it is dc to ac inverter circuit. the upper circuit
is for driven MOSFET better performance. It is call bootstrap.

這是一個dc-ac逆變電路
控制信號為pwm信號,驅(qū)動四個mosfet交替開關,產(chǎn)生交流電壓.處于死區(qū)時,體二極管續(xù)流,不知對否?

bootstrap是什么意思?
bootstrap是什么意思?

這就為自舉電路
可不可以看一看整個腺路

看不懂
.

自舉升壓驅(qū)動
該電路為自舉升壓驅(qū)動電路,不過圖中所用dd1的4148耐壓太低.

請問dd1還能導通嗎?
是否直流15V電壓加電容耦合過來的電壓之和驅(qū)動柵極?
但15V電壓低于耦合電壓,dd1還能導通嗎 ????

就是自舉
咔咔

你說是逆變電路,總算明白了
這是自舉,下管通時,D1給C1充電,三極管和下管都關閉時,通過4.7k打通上管

DC作為輸入的話,象自舉電路,但不明白怎么自舉?
是不是解破別人的電路?有沒有遺漏,或者連錯的地方?輸出的中間是不是接變壓器?

哈哈哈哈!
明白了.如此簡單!

推廣!
什么強吸收和無員無損吸收都是這種結構的,統(tǒng)統(tǒng)稱之為自舉電路!!

還是不太明白這個問題,請指教.
是否直流15V電壓加電容耦合過來的電壓之和驅(qū)動柵極
但15V電壓低于耦合電壓,d1還能導通馬 ????

我就羅嗦點
當控制信號為高時,Q1導通15付通過DD1,D1給C1充電.當控制信號為低時,Q1截止.C1上的充電電壓,通過R1加在MOS的GS間使之導通.此時D1被反偏而截止.說白了就是利用給電容的沖放電支路不同,來實現(xiàn)能量的轉(zhuǎn)移.

回路內(nèi)沒有電感,怎么會有續(xù)流存在?
回路內(nèi)沒有電感,怎么會有續(xù)流存在?

這個電路應該只是個示意圖
實際應用還有很多東西.比如高壓隔離的問題沒有解決,實際搭電路要燒東西.

接感性負載
.

請問怎么隔離,我確實燒了好幾個mos
.

ok
ok

是自舉電路,不過圖好象有錯
此電路是DC-AC的輸出部分.具體工做如下:
1.首先這是橋試輸出電路,輸出MOS是交替導通.當左邊為低電平,右為高電平時,15V電壓經(jīng)DD1給C1充電.當左邊為高電平,右邊為低電平時,15V電壓經(jīng)D7給C7充電.左邊為高電壓(300V)時,QD1控制極電壓為300+UC1,電壓高于300V,QD1 MOS導通.二極管D1,D7(接在MOS控制極上的)不會導通,應該是12V穩(wěn)壓二極管,起保護用.電阻R1,R7是兩只三極管的負載電阻.MOS的體內(nèi)二極管導通與負載的性質(zhì)有關.以后鐵圖要把元件的序號標好,不要重復.不然敘述太麻煩.

不會
該電路可以直接用,但兩只三極管和二極管耐壓要夠,我用過這種電路.不過要共地.

他的電路是高低壓不共地的
你下面的分析我看了,有點問題.MOS管QD1的導通與否和300伏的輸入電壓沒有任何關系(其他管子也一樣).只決定于其GS間的電壓,這個電路是利用C1的能量加在GS端實現(xiàn)導通的.把D1換成穩(wěn)壓二極管當然也可以,但正向并非沒有用.

如果只是燒MOS,可能不是高壓燒的.
始終覺得不安全.建議放棄這種驅(qū)動方式,用驅(qū)動IC,IR2110或IR2120.

不共地就麻煩
300V電壓與MOS導通與否是沒關系,只是我想說名MOS導通時其控制極電壓有多高.二極管D1正向本來就沒用,給電容充電回路是經(jīng)過下面的MOS管到地.